公开(公告)号：CN101848974B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200880114602.2

申请日：2008-10-28

申请人： LG化学株式会社

发明人： 柳贤智 ,  金章淳 ,  洪宗完 ,  朴孝淳 ,  高东汉

IPC分类号： H01L21/78

CPC分类号： C09J163/00 ,  C08G59/621 ,  C08K3/36 ,  C08K5/0025 ,  C08K5/13 ,  C08K5/3445 ,  C09J7/35 ,  C09J7/385 ,  C09J133/068 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0615 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/2891 ,  Y10T428/31515 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/06 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及一种用于半导体封装工艺的切割模片粘合膜和应用该切割模片粘合膜的半导体器件。设置该切割模片粘合膜，从而使晶片和模片粘合部分的粘合层之间的粘合力X与模片粘合部分和切割部分的粘性层之间的粘性力Y的比值X/Y为0.15-1，并且模片粘合部分的粘合层在常温下的储能模量为100-1000Mpa。根据本发明的切割模片粘合膜在切割工艺中能减少毛刺的产生，由此制备的半导体器件具有优异的可靠性并且没有由于覆盖结合区的毛刺而因差的连接可靠性所导致的劣化。

公开(公告)号：CN103165544A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210520357.3

申请日：2012-12-06

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 千岁裕之 ,  田中俊平 ,  水野浩二

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： C09J7/0207 ,  B23B3/30 ,  B32B3/30 ,  C09J7/20 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2201/61 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/15787 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供能够防止发生树脂组合物层的胶粘力的降低、电气可靠性的降低并且在切割后能够从多个半导体元件同时剥离背磨带的层叠片。该层叠片具有背磨带和树脂组合物层，所述背磨带具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述树脂组合物层被设置在背磨带的粘合剂层上，所述粘合剂层的拉伸弹性模量在23℃下为0.1～5.0MPa，所述粘合剂层与树脂组合物层之间的T剥离强度在23℃、300mm/分钟的条件下为0.1～5N/20mm。

公开(公告)号：CN103124778A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201080069341.4

申请日：2010-11-08

申请人： 株式会社KCC

发明人： 金镇源 ,  金成洙 ,  申光浩 ,  赵庆南 ,  黄教圣 ,  丁畅范

IPC分类号： C09J133/20 ,  C09J163/00 ,  C09J161/10 ,  C09J7/02

CPC分类号： C09J161/06 ,  C08G59/621 ,  C08L33/20 ,  C08L61/06 ,  C08L63/00 ,  C09J163/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种用于制备半导体的粘合剂组合物及薄膜，更详细地涉及一种用于制备半导体的粘合剂组合物及包含该组合物涂布层的用于制备半导体的粘附薄膜，所述用于制备半导体粘合剂的组合物包含含有丙烯腈的丙烯酸树脂、环氧化合物和酚醛树脂的混合物及填料，在半导体制备工序中，所述组合物具有优异的晶片拾取（Pick up）工序特性，并且对晶片、引线框和印刷线路板基板的粘合力优异。

公开(公告)号：CN102693920A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210077886.0

申请日：2012-03-22

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 森俊

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 半导体器件芯片的安装方法，不会在凸起电极之间形成导电路径且使用了各向异性导电材料。具有以下步骤：准备半导体器件晶片的步骤，该半导体器件晶片在由形成为格子状的多个分割预定线划分出的各区域中分别形成有具有多个凸起电极的半导体器件；绝缘体覆盖步骤，用绝缘体覆盖半导体器件晶片的凸起电极侧，将绝缘体填充到相邻的凸起电极之间；凸起电极端面露出步骤，使覆盖有绝缘体的半导体器件晶片的凸起电极侧平坦，使凸起电极的端面露出；分割步骤，分割为各个半导体器件芯片；安装步骤，使各向异性导电体介入到具有与凸起电极对应的电极的布线基板或晶片的电极与半导体器件芯片的凸起电极之间，将半导体器件芯片搭载到布线基板或晶片上，并将电极与凸起电极连接。

公开(公告)号：CN102637610A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210029734.3

申请日：2012-02-10

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： O.艾兴格 ,  A.海因里希 ,  K.勒斯尔

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  B81C1/00

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27426 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83898 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及用于在载体上安装半导体芯片的方法。一种方法包括提供具有第一主表面和沉积在第一主表面上的焊料层的半导体芯片，其中所述焊料层具有至少1μm的粗糙度。将半导体芯片放置在载体上，其中半导体芯片的第一主表面面向所述载体。以第一主表面的每mm2的表面积至少1牛顿的压力将半导体芯片按压在所述载体上，并且对焊料施加热量。

公开(公告)号：CN102543775A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110276346.0

申请日：2011-09-16

申请人： 株式会社东芝

发明人： 种泰雄 ,  片村幸雄 ,  芳村淳 ,  岩见文宏

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/27901 ,  H01L2224/29016 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： 根据实施方式的半导体装置的制造方法，在半导体晶片的芯片区域的第1面形成粘接层。沿着切割区域将半导体芯片单片化，并经由粘接层阶梯状地层叠半导体芯片。在粘接层的形成中，在第1面中的不以层叠的状态与其它半导体芯片接触的第1区域的至少一部分设置粘接层形成为比与其它半导体芯片接触的第2区域厚的凸部。

公开(公告)号：CN102533146A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110303308.X

申请日：2011-10-09

申请人： 第一毛织株式会社

发明人： 鱼东善 ,  宋珪锡 ,  黃珉珪 ,  宋基态 ,  徐大虎

IPC分类号： C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J163/02 ,  C09J163/04 ,  C09J163/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： C09J7/0217 ,  B32B7/06 ,  B32B27/08 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2255/28 ,  B32B2307/30 ,  B32B2405/00 ,  C08G18/6254 ,  C08G59/08 ,  C08G2170/40 ,  C08L2312/08 ,  C09J7/22 ,  C09J7/385 ,  C09J163/00 ,  C09J175/04 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/061 ,  H01L2924/0615 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0675 ,  H01L2924/068 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/0705 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/31515 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种用于半导体装置的粘合剂膜，所述粘合剂膜包括在0℃至5℃下具有50μm/m·℃至150μm/m·℃的线性膨胀系数的基膜。所述粘合剂膜在低温储存较长时间后具有优异的卷绕形状稳定性，从而在以后的半导体封装工艺中不会导致倾斜现象并降低缺陷。

公开(公告)号：CN101419963B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200810175529.1

申请日：2006-06-06

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  百慕达南茂科技股份有限公司

发明人： 沈更新 ,  林俊宏

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/00 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提出一种晶片-晶片封装体，包括：承载器、第一晶片、第一粘合膜、第二晶片、第二晶片、第二粘合膜、多个焊料凸块、多个接线以及封装胶体。第一晶片配置于该承载器上，并具有一第一主动表面。第一粘合膜配置于承载器与第一晶片之间。第二晶片具有一朝向第一主动表面的第二主动表面。第二粘合膜配置于第一晶片的第一主动表面与第二晶片的第二主动表面之间，且具有B阶特性。多个焊料凸块位于第二粘合膜中并电性连接于第一晶片的第一主动表面与第二晶片的第二主动表面之间。多个接线电性连接承载器与第一晶片，且第二粘合膜覆盖所述接线的一部分。封装胶体配置于承载器上，以覆盖第一晶片及第二晶片。

公开(公告)号：CN101714513A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910254219.3

申请日：2005-04-20

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 稻田祯一 ,  增野道夫 ,  宇留野道生 ,  岩仓哲郎

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/68 ,  C09J7/00 ,  C09J163/00

CPC分类号： H01L24/29 ,  C08K3/36 ,  C08L2666/02 ,  C09J7/10 ,  C09J163/00 ,  C09J2205/102 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/27 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/287 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247

摘要： 本发明的目的在于提供一种粘着片，能够填充衬底的配线、或在半导体芯片附设的金属丝形成的凹凸，又在切割时不发生树脂飞边，而且能满足耐热性或耐湿性。本发明的粘着片的特征在于，含有：树脂100重量份，其包含含有交联性官能团的重均分子量为10万以上，且Tg为-50～50℃的高分子量成分15～40重量％、及以环氧树脂为主成分的热固化性成分60～85重量％；及填料40～180重量份，该粘着片的厚度为10～250μm。

公开(公告)号：CN100517564C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710105459.8

申请日：2003-10-24

申请人： 株式会社瑞萨科技

发明人： 阿部由之

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68395 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/27

摘要： 当将一个半导体晶片形成较薄时，防止晶片的翘曲。在一个半导体晶片上形成多个半导体元件，将一个保护带粘贴在半导体晶片的表面上，并且将半导体晶片的背面研磨成预定厚度。将一个管芯键合膜粘贴在半导体晶片的背面上，并且进一步将一个切割带粘贴在晶片背面。粘贴在半导体晶片上的切割带由一个保持夹具所保持。将保护带从晶片表面剥离，并且加热管芯键合膜，以改进半导体晶片与管芯键合膜之间的粘合。使半导体晶片经受切割，以分成各个半导体芯片。将半导体芯片按预定数管芯键合在一个布线衬底上，以制造一种半导体器件。