公开(公告)号：CN104916692A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410397429.9

申请日：2014-08-13

申请人： 株式会社东芝

发明人： 增子真吾 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  汤元美树 ,  三村正人 ,  齐藤泰伸 ,  吉冈启 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  大野哲也 ,  仲敏行 ,  小野祐

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种能够实现电极的连接部分的电传导性或热传导性的提高的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片具有氮化物半导体层、以及设置于上述氮化物半导体层的控制电极、第一主电极和第二主电极。进而，上述装置具备支撑体，该支撑体具有基板、以及设置于上述基板的控制端子、第一主端子和第二主端子。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极与上述支撑体相对置地设置于上述支撑体。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极分别与上述支撑体的上述控制端子、上述第一主端子以及上述第二主端子电连接。

公开(公告)号：CN102832188B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210078611.9

申请日：2012-03-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  许呈锵 ,  蔡豪益 ,  李建勋

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 集成电路结构包括衬底和位于衬底上方的金属焊盘。钝化后互连(PPI)线连接至金属焊盘，其中，PPI线至少包括位于金属焊盘上方的部分。PPI焊盘连接至PPI线。聚合物层位于PPI线和PPI焊盘上方，其中，聚合物层具有大于约30μm的厚度。凸块下金属化层(UBM)延伸到聚合物层中的开口中并连接至PPI焊盘。本发明还提供了一种具有厚聚合物层的焊球保护结构。

公开(公告)号：CN102163578B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201110035445.X

申请日：2011-02-01

申请人： 索尼公司

发明人： 尾崎裕司 ,  浅见博

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法、叠层芯片安装结构及其形成方法，其中，所述半导体装置包括：半导体芯片，其具有半导体基板；焊盘电极，其形成于半导体基板上；基体金属层，其形成于所述焊盘电极上；以及焊料凸块电极，其形成于基体金属层上，其中，包括基体金属层的侧面的露出表面被焊料凸块电极所覆盖。即使当减小相邻的焊料凸块电极之间的间隔时，本发明仍可提高产量和接合的可靠性。

公开(公告)号：CN102201383B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201110073355.X

申请日：2011-03-25

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 张恕铭 ,  楼百尧 ,  温英男 ,  刘建宏

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/92142 ,  H01L2224/92143 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明公开一种电子元件封装体及其制造方法，电子元件封装体包括：至少一半导体芯片、至少一抵接部、一钝化保护层以及一基板。半导体芯片具有一第一表面及与其相对的一第二表面，其中至少一重布线设置于半导体芯片的第一表面上，且电连接于半导体芯片的至少一导电垫结构。抵接部设置于重布线上并与其电性接触。钝化保护层覆盖半导体芯片的第一表面且环绕抵接部。基板贴附于半导体芯片的第二表面。本发明也揭示上述电子元件封装体的制造方法。

公开(公告)号：CN102656677B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080056764.2

申请日：2010-09-01

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 辻本晋也

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/563 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03474 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体装置和该半导体装置的制造方法。半导体装置包括半导体芯片(1)、电极垫(2)、底部阻挡金属层(10)、焊锡凸块(6)以及底部填充材(18)，该电极垫(2)形成在半导体芯片(1)上，该底部阻挡金属层(10)形成在电极垫(2)上，该焊锡凸块(6)形成在底部阻挡金属层(10)上，该底部填充材(18)覆盖底部阻挡金属层(10)和焊锡凸块(6)的周围而形成。焊锡凸块(6)上与底部阻挡金属层(10)接合的界面为该底部阻挡金属层(10)的上表面，底部填充材(18)在凸块(6)的侧面和底部阻挡金属层(10)的端面接合的部分上的角度为直角或钝角。

公开(公告)号：CN102208388B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110081344.6

申请日：2011-03-24

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 樱井大辅

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/115 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种窄间距、且确保高连接可靠性的简易结构的半导体装置及其制造方法。本发明包括：对电子元器件(1)的多个电极(1a)的至少一个电极赋予两个以上的焊料粒子(3)的工序；将电子元器件(1)的电极(1a)与电路基板(2)的电极(2a)相对配置的工序；使赋予电子元器件(1)的电极(1a)表面的焊料粒子(3)与电路基板(2)的电极(2a)相抵接的工序；以及加热焊料粒子(3)的工序，通过焊料粒子(3)熔融后的两个以上的焊料接合体(8)将电子元器件(1)的电极(1a)和电路基板(2)的电极(2a)进行电连接。

公开(公告)号：CN104143543A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410188528.6

申请日：2014-05-06

申请人： 奇景光电股份有限公司

发明人： 林久顺

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L29/43 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13552 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074

摘要： 本发明公开一种金属凸块结构，包含位于金属焊垫上的护层、位于金属焊垫上又部分位于护层上的黏着层、部分位于凹穴中并覆盖黏着层的金属凸块、以及完全覆盖金属凸块的帽盖层。

公开(公告)号：CN104037091A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310300897.5

申请日：2013-07-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王俊杰 ,  郭宏瑞 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

摘要： 本发明公开了一种方法，包括：在凸块下金属（UBM）层上方涂覆光刻胶以及曝光光刻胶。在曝光步骤中，到达光刻胶的底部的光量小于到达光刻胶的顶面的光量的约5%。该方法进一步包括显影光刻胶以在光刻胶中形成开口。通过开口暴露UBM层的一部分。开口的底部横向尺寸大于顶部横向尺寸。在开口中形成电连接件，其中电连接件是不可回流的。本发明还提供了电连接件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103918354A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201380002511.0

申请日：2013-05-27

申请人： 日本特殊陶业株式会社

发明人： 林贵广 ,  永井诚 ,  伊藤达也 ,  森圣二 ,  若园诚 ,  西田智弘

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K1/18

CPC分类号： H05K3/4007 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/0366 ,  H05K3/28 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/4661 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/09881 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种配线基板，其中形成于层叠体的最外层的精确和刚性的坝部牢固地保护配线导体，且配线基板与半导体芯片的连接可靠性优异。构成该配线基板（10）的层叠体（31）包括作为最外层的导体层（24）的多个连接端子部（41）和配线导体（62）。配线导体（62）配置在通过用于倒装芯片地安装半导体芯片（51）的多个连接端子部（41）之间的预定位置。层叠体的最外层的树脂绝缘层（23）具有坝部（63）和增强部（64）。坝部（63）覆盖配线导体（62）。增强部（64）形成在配线导体（62）和邻近配线导体（62）的连接端子部（41）之间，且小于坝部（63）的高度（H3）。增强部（64）与坝部（63）的侧面连接。

公开(公告)号：CN103915412A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310131778.1

申请日：2013-04-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄其达 ,  庄曜群 ,  陈志华 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/528 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

摘要： 本发明公开了一种器件包括衬底，位于衬底上方的金属焊盘，以及与所述金属焊盘电断开的金属迹线。金属焊盘和金属迹线相互齐平。钝化层包括与所述金属焊盘的边缘部分重叠的部分。金属柱覆盖在金属焊盘上方并且与所述金属焊盘电断开。金属迹线具有与所述金属柱重叠的部分。本发明还公开了一种用于集成电路的金属布线结构。