公开(公告)号：CN104425507A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410283687.4

申请日：2014-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 宋福庭 ,  闵仲强 ,  黄韦翰 ,  刘世昌 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/34 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了闪存结构及其形成方法。提供了半导体器件结构的机制的实施例。该半导体器件结构包括衬底和设置在衬底上方的字线单元。半导体器件进一步包括设置在衬底上方并且紧邻字线单元的存储栅极和位于存储栅极的侧壁上的间隔件。间隔件和字线单元位于存储栅极的相对侧。此外，存储栅极的顶面和存储栅极的侧壁之间的夹角在约75°至约90°的范围内。

公开(公告)号：CN104425438A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410338435.7

申请日：2014-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾元泰 ,  刘铭棋 ,  周仲彦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01C7/006 ,  H01C17/075 ,  H01L21/707 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L28/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种新颖的集成电路及其制造方法。集成电路包括多个第一互连焊盘、多个第二互连焊盘、第一层间介电层、薄膜电阻器以及至少两个端帽。用作薄膜电阻器的连接件的端帽与多个第二互连焊盘放置在同一级内。因此，通过端帽和多个第二互连焊盘的直接连接可形成它们之间的电连接。因此，可用一种具备成本效益的方式来制造具有薄膜电阻器的集成电路，从而克服上述缺点。

公开(公告)号：CN104347349A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310471415.2

申请日：2013-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈升照 ,  黄志辉 ,  杜友伦 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/68707 ,  H01L33/0079 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明提供了用于清洗用来混合接合的半导体晶圆表面的机制的实施例。一种用于清洗用来混合接合的半导体晶圆的表面方法包括：提供半导体晶圆，并且半导体晶圆具有嵌入在绝缘层中的导电焊盘。该方法还包括：对半导体晶圆的表面实施等离子体工艺，并且在导电结构的表面上形成金属氧化物。该方法还包括：使用清洗液实施清洗工艺，以与金属氧化物进行还原反应，使得在导电结构的表面上形成金属-氢键。该方法还包括：在真空下将半导体晶圆传送至接合室，以用于混合接合。本发明还提供了用于混合接合的机制和集成系统的实施例。

公开(公告)号：CN104300080A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201310462757.8

申请日：2013-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐晨祐 ,  黄韦翰 ,  刘世昌 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了一种磁阻式随机存取存储器（MRAM）结构，包括底部电极结构。磁性隧道结（MTJ）元件位于底部电极结构上方。MTJ元件包括反铁磁材料层。铁磁固定层位于反铁磁材料层上方。隧道层位于铁磁固定层上方。铁磁自由层位于隧道层上方。铁磁自由层具有第一部分和消磁的第二部分。该MRAM结构还包括位于第一部分上方的顶部电极结构。本发明还公开了磁阻式随机存取存储器结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN104051433A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310302532.6

申请日：2013-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐鸿文 ,  吴东庭 ,  卢玠甫 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开提供了一种防止在半导体晶圆背侧的加工过程中产生电弧的方法。本方法包括在背侧上方沉积介电层以及在介电层上方沉积抗电弧层。抗电弧层是导电层，但不用于传导信号或电能。方法进一步包括蚀刻穿过半导体晶圆的多个材料层的开口。开口露出位于半导体晶圆的前侧的导电层。此外，本方法包括在开口中沉积导电层，以形成穿过晶圆的互连件。本文也公开了根据本方法制造的半导体晶圆。

公开(公告)号：CN104051288A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310485415.8

申请日：2013-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  刘人诚 ,  陈晓萌 ,  黄信华 ,  林宏桦 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/187 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种用于混合晶圆接合的方法。在一个实施例中，公开了一种方法，包括：在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露金属焊盘层的表面，并且平坦化介电层，以在每个半导体衬底上形成接合表面；对至少两个半导体衬底执行氧化工艺，以氧化金属焊盘层，形成金属氧化物；执行蚀刻以去除金属氧化物，使金属焊盘层的表面从至少两个半导体衬底中的每个的介电层的接合表面凹陷；使至少两个半导体衬底的接合表面在物理上接触；以及执行热退火，以在半导体衬底的金属焊盘之间形成接合。公开了附加方法。

公开(公告)号：CN103985672A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201310178003.X

申请日：2013-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐晨祐 ,  刘世昌 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L43/12

Abstract: 本发明实施例提供了一种形成半导体器件的方法、一种形成MRAM器件的方法以及一种形成半导体器件的方法。一个实施例是一种形成半导体器件的方法，该方法包括在第一层上方形成第二层，和对第二层实施第一蚀刻工艺以限定部件，其中第一蚀刻工艺在部件的表面上形成膜。该方法进一步包括对部件实施离子束蚀刻工艺，其中离子束蚀刻工艺从部件的表面去除膜。本发明还公开了一种从半导体器件去除膜的方法。

公开(公告)号：CN102237390B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201010250744.0

申请日：2010-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈明辉 ,  刘世昌 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含：一底电极接触形成于一基底之上；一介电层形成于该底电极接触之上；一加热元件形成于该介电层中，其中该加热元件配置于二个气隙之间，且该气隙将该加热元件与该介电层分隔；以及，一相变化元件形成于该加热元件之上，其中该相变化元件包含一实质上非晶质背材及一有源区，该有源区能在非晶质及结晶相间进行相变化。本发明能够改善该相变化元件的隔热性质。此外，可有效降低用以使该有源区进行相变化形成非晶质态的重置电流。

公开(公告)号：CN101853802B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201010128086.8

申请日：2010-03-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许家豪 ,  傅士奇 ,  许峰嘉 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/71 ,  H01L23/544 ,  H01L27/146

CPC classification number: G03F9/7084 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/7088

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有正面和背面的器件衬底，器件衬底具有第一折射率，在器件衬底的正面之上形成嵌入靶，在嵌入靶之上形成反射层，在器件衬底的背面之上形成介质层，介质层具有小于第一折射率的第二折射率，从背面投射辐射穿过介质层和器件衬底，从而为半导体加工检测嵌入靶。

公开(公告)号：CN101853864B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910246943.1

申请日：2009-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  许家豪 ,  喻中一 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/1469 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有正面、背面、和第一边缘部分的器件衬底，在器件衬底的正面的一部分的上方形成材料层，修剪第一边缘部分，移除材料层，将器件衬底的正面键合到载体衬底，从背面减薄器件衬底，修剪减薄的器件衬底的第二边缘部分。