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公开(公告)号：CN101261957B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710185176.9
申请日：2007-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/265 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法及影像感测装置，该方法包括：提供具有第一导电型的半导体衬底。在半导体衬底中形成多个感测元件。在感测元件之间形成隔离部件。使用至少两种不同注入能量来进行离子注入，以在大体位于隔离部件下方形成具有第一导电型的掺杂区。
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公开(公告)号：CN101261957A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710185176.9
申请日：2007-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/265 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法及影像感测装置，该方法包括：提供具有第一导电型的半导体衬底。在半导体衬底中形成多个感测元件。在感测元件之间形成隔离部件。使用至少两种不同注入能量来进行离子注入，以在大体位于隔离部件下方形成具有第一导电型的掺杂区。
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公开(公告)号：CN1738064A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510095806.4
申请日：2005-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/1463 , H01L27/14672
Abstract: 本发明是提供一种光感测器及其制造方法，所述光感测器具有与沟渠式绝缘结构整合的夹止式感光二极管结构，该光感测器包括一第一导电型的基板、至少一位于该基板内的沟渠、至少一该第一导电型的掺杂区以及至少一第二导电型的掺杂区，每一第一导电型的掺杂区位于一对应的沟渠下，每一第二导电型的掺杂区位于对应的第一导电型掺杂区与基板之间，第一导电型或第二导电型的掺杂区皆未延伸到沟渠的角落。本发明提供的夹止式感光二极管结构是与一沟渠绝缘结构整合，该夹止式感光二极管结构的位置可避开高缺陷密度的沟渠角落，而改善暗电流特性，因此，短波长的响应可通过使用此夹止式感光二极管结构而加以改善。
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公开(公告)号：CN1734745A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510075335.0
申请日：2005-06-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明是关于一种适用于影像感测器的透镜结构及其制造方法。该影像感测器包括双微透镜结构，是具有一外微透镜排列于一内微透镜上方，两微透镜是排列于对应的光感测器上方。可经由硅化法形成内或外微透镜，其中光阻材料的反应性部分是与含硅药剂反应。可通过梯级蚀刻法形成内或外微透镜，梯级蚀刻法包括一系列交替的蚀刻步骤，是包括非等向性蚀刻步骤及造成图案化的光阻侧向地缩减的蚀刻步骤。可使用接续的等向性蚀刻法来平坦化蚀刻过的梯级结构，并且形成平滑的透镜。亦可使用热安定及感光性聚合/有机材料形成永久的内或外透镜。涂覆感光材料，接着使用微影使其图案化，回流，接着熟化，以形成永久的透镜结构。
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公开(公告)号：CN109728018B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201811284627.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像传感器。一种背侧照明BSI图像传感器包含：衬底，其包含前侧及与所述前侧相对的背侧；像素传感器，其放置于所述衬底中；及彩色滤光片，其放置于所述像素传感器上方。所述像素传感器包含放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第一微结构，且所述彩色滤光片包含放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第二微结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110783351B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201910035883.2
申请日：2019-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例涉及一种具有高透射率的窄带滤波器和包括窄带滤波器的图像传感器。在一些实施例中，滤波器包括第一分布式布拉格反射器(DBR)、第二DBR、位于第一和第二DBR之间的缺陷层、以及多个柱状结构。柱状结构延伸穿过缺陷层并具有与缺陷层的折射率不同的折射率。第一和第二DBR限定低透射带，并且缺陷层限定划分低透射带的高透射带。柱状结构将高透射带移向更低或更高的波长，这取决于柱状结构的折射率和柱状结构的填充因子。本发明实施例涉及具有高透射率的窄带滤波器。
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公开(公告)号：CN110957337A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910794239.3
申请日：2019-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露提供一种图像传感器以及用于形成图像传感器的方法。在一些实施例中，图像传感器包含设置于半导体衬底中的光电探测器。具有实质平坦上表面的波导滤波器设置于光电探测器上方。波导滤波器包含设置于滤光器栅结构中的滤光器。滤光器包含半透明且具有第一折射率的第一材料。滤光器栅结构包含半透明且具有小于第一折射率的第二折射率的第二材料。
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公开(公告)号：CN106549025A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610084478.6
申请日：2016-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14698 , H04N5/23212 , H04N5/3696
Abstract: 提供了用于高角响应区别的图像传感器。多个像素包括相位检测自动对焦(PDAF)像素和图像捕获像素。像素的像素传感器布置在半导体衬底中。网格结构布置在半导体衬底上方，横向围绕像素的滤色镜。像素的微透镜布置在网格结构上方，并且包括PDAF像素的PDAF微透镜和图像捕获像素的图像捕获微透镜。PDAF微透镜包括比图像捕获微透镜更大的光学功率，或包括使得PDAF像素的PDAF接收表面具有非对称轮廓的位置或形状。也提供了用于制造图像传感器的方法。本发明的实施例还涉及用于复合网格结构的相位检测自动对焦(PHAF)像素的微透镜。
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公开(公告)号：CN103456751B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310153835.6
申请日：2013-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了在背面金属和像素阵列之间具有低阶梯高度的CMOS图像传感器及其形成方法。CMOS图像传感器可包括器件晶圆。导电部件可形成在器件晶圆的背面。器件晶圆可包括形成在其中的像素。钝化层可形成在器件晶圆的背面和导电部件上方。栅格膜可形成在钝化层上方。可图案化栅格膜以容纳滤色片。栅格膜图案可使滤色片与器件晶圆中的对应像素对齐。栅格膜形成在导电部件上方的部分可减少至与导电部件相邻的栅格膜的部分基本平齐。根据蚀刻工艺、化学机械工艺和它们的组合来执行图案化和减少。
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公开(公告)号：CN103456751A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310153835.6
申请日：2013-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了在背面金属和像素阵列之间具有低阶梯高度的CMOS图像传感器及其形成方法。CMOS图像传感器可包括器件晶圆。导电部件可形成在器件晶圆的背面。器件晶圆可包括形成在其中的像素。钝化层可形成在器件晶圆的背面和导电部件上方。栅格膜可形成在钝化层上方。可图案化栅格膜以容纳滤色片。栅格膜图案可使滤色片与器件晶圆中的对应像素对齐。栅格膜形成在导电部件上方的部分可减少至与导电部件相邻的栅格膜的部分基本平齐。根据蚀刻工艺、化学机械工艺和它们的组合来执行图案化和减少。
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