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公开(公告)号：CN110277310A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201811137035.4
申请日：2018-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请涉及半导体装置的制造方法。本发明实施例提供一种用于晶片接合的方法，其包含：提供晶片；在第一晶片的顶表面上形成牺牲层；修整所述第一晶片的边缘以获得第一晶片面积；清洁所述第一晶片的所述顶表面；去除所述牺牲层；和将所述第一晶片的所述顶表面接合到第二晶片，所述第二晶片具有大于所述第一晶片面积的第二晶片面积。
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公开(公告)号：CN106486412B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201610769404.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种方法，包括对半导体衬底实施各向异性蚀刻以形成沟槽。该沟槽具有垂直侧壁和连接至垂直侧壁的圆形的底部。实施损坏去除步骤以去除半导体衬底的表面层，表面层暴露于沟槽。蚀刻沟槽的圆形的底部以形成斜直底面。填充沟槽以形成在沟槽中的沟槽隔离区域。本发明实施例涉及深沟槽隔离及其形成方法。
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公开(公告)号：CN104347645B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201310456351.9
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种有源像素传感器及其相关的形成方法，其中，有源像素传感器具有在制造过程中降低对下面的栅极介电层的损害的栅极介电保护层。在一些实施例中，有源像素传感器具有设置在半导体衬底内的光电检测器。具有第一栅极结构的转移晶体管位于设置在半导体衬底之上的第一栅极介电层上。具有第二栅极结构的复位晶体管位于第一栅极介电层上。栅极介电保护层设置栅极氧化物上在第一栅极结构和第二栅极结构之间延伸的位置处以及位于光电检测器上方的位置处。栅极介电保护层保护第一栅极介电层在有源像素传感器的制造过程中免于蚀刻步骤。
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公开(公告)号：CN106486506A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610626795.6
申请日：2016-08-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/762
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H01L21/76224 , H01L27/14683
Abstract: 实例性隔离结构包括位于半导体衬底中的沟槽的底面上方并且沿着半导体衬底中的沟槽的侧壁延伸的第一钝化层，其中，第一钝化层包括第一介电材料。半导体器件还包括沟槽中的位于第一钝化层上的钝化氧化物层，其中，钝化氧化物层包括第一介电材料的氧化物并且具有比第一钝化层高的氧原子百分比。半导体器件还包括沟槽中的位于钝化氧化物层上的第二钝化层，其中，第二钝化层也包括第一介电材料并且具有比钝化氧化物层低的氧原子百分比。本发明实施例涉及深沟槽隔离结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112397535B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202010738104.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露提供一种半导体影像感测器装置及其制造方法。例如半导体影像感测器装置包含感测器，具有正面以及背面，在感测器的正面形成金属互连层，在感测器的背面形成抗反射涂层，在抗反射涂层上形成复合蚀刻终止层，其中复合蚀刻终止层包含富氢层以及压缩高密度层，接着在复合蚀刻终止层上形成滤光层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114695404A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110505958.6
申请日：2021-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种集成晶片、图像传感器及其形成方法。图像传感器包括衬底。光检测器位于衬底中且包含延伸到衬底的第一侧中的半导体保护环。浅沟槽隔离结构延伸到衬底的第一侧中。外部隔离结构延伸到与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧中到达浅沟槽隔离结构。浅沟槽隔离结构和外部隔离结构横向包围光检测器。内部隔离结构延伸到衬底的第二侧中且上覆光检测器。内部隔离结构通过衬底与光检测器竖直分离。此外，外部隔离结构横向包围内部隔离结构。
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公开(公告)号：CN110273140B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201811440405.1
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/02
Abstract: 本发明实施例涉及气体簇射头、成膜设备以及用于形成半导体结构的方法。根据本发明的一些实施例，一种成膜设备包含反应室、安置于所述反应室内部并经配置以支撑衬底的底座，及在所述底座上方的气体簇射头。所述气体簇射头包含多个第一孔及安置于所述气体簇射头的圆周与所述第一孔之间的多个第二孔。所述第一孔经布置以形成第一图案且经配置以在所述衬底上形成材料膜的第一部分。所述第二孔经布置以形成第二图案且经配置以在所述衬底上形成所述材料膜的第二部分。所述第二图案的孔密度大于所述第一图案的孔密度。
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公开(公告)号：CN110660687B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910537975.0
申请日：2019-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，提供了用于接合半导体晶圆的方法。方法包括在第一半导体晶圆的中心区域上方形成第一集成电路(IC)。第一环形接合支撑结构形成在第一半导体晶圆的环形周边区域上方，其中，第一半导体晶圆的环形周边区域围绕第一半导体晶圆的中心区域。第二半导体晶圆接合至第一半导体晶圆，使得布置在第二半导体晶圆上的第二IC电连接至第一IC。本发明的实施例还提供了接合支撑结构和多个半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN110273140A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201811440405.1
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/02
Abstract: 本发明实施例涉及气体簇射头、成膜设备以及用于形成半导体结构的方法。根据本发明的一些实施例，一种成膜设备包含反应室、安置于所述反应室内部并经配置以支撑衬底的底座，及在所述底座上方的气体簇射头。所述气体簇射头包含多个第一孔及安置于所述气体簇射头的圆周与所述第一孔之间的多个第二孔。所述第一孔经布置以形成第一图案且经配置以在所述衬底上形成材料膜的第一部分。所述第二孔经布置以形成第二图案且经配置以在所述衬底上形成所述材料膜的第二部分。所述第二图案的孔密度大于所述第一图案的孔密度。
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公开(公告)号：CN109801931A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201810749873.0
申请日：2018-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明一些实施例公开一种半导体结构和半导体结构制造方法。其中，半导体结构包含：半导体衬底，其具有前表面及背向所述前表面的后表面；填充材料，其从所述前表面延伸到所述半导体衬底中且不穿透所述半导体衬底，所述填充材料包含上部分及下部分，所述上部分与所述半导体衬底接触；及外延层，其加衬于所述填充材料的所述下部分与所述半导体衬底之间。本发明一些实施例还公开一种相关联制造方法。
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