公开(公告)号：CN106158753A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510172012.7

申请日：2015-04-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李宜静 ,  李昆穆 ,  李启弘 ,  李资良

IPC分类号： H01L21/8244 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0847

摘要： 本发明公开了半导体器件的结构和方法。该半导体器件包括具有第一器件区和第二器件区的衬底。第一器件区包括第一源极/漏极(S/D)区，并且第二器件区包括多个第二S/D区。该半导体器件还包括位于第一S/D区中的多个第一凹槽以及多个第二凹槽，每个第二S/D区中具有一个第二凹槽。该半导体器件还包括具有底部和顶部的第一外延部件，其中，每个底部均位于第一凹槽中的一个中，并且顶部位于第一S/D区上方。该半导体器件还包括多个第二外延部件，每个第二外延部件均具有位于第二凹槽中的一个中的底部。第二外延部件彼此分隔开。

公开(公告)号：CN106057882A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610107906.2

申请日：2016-02-26

申请人： 环球晶圆股份有限公司

发明人： 胡铭显 ,  孙健仁 ,  李依晴 ,  徐文庆

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/778 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/7783

摘要： 本发明提供一种半导体组件，包含一基板、一初始层及一缓冲堆栈结构。初始层设置于基板之上且包含氮化铝。缓冲堆栈结构设置于初始层之上，缓冲堆栈结构包含多个基层及至少一掺杂层设置于相邻二层基层之间，基层包含氮化铝镓，掺杂层包含氮化铝镓或氮化硼铝镓。在缓冲堆栈结构之中，基层的铝浓度渐减且镓浓度渐增，基层实质上不含碳，掺杂层的掺质为碳或铁。本发明不仅提升半导体组件的崩溃电压，且一并兼顾半导体组件的整体翘曲，避免在完成磊晶制程后的冷却过程，半导体组件因过度翘曲而破裂。

公开(公告)号：CN105990419A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610149806.6

申请日：2016-03-16

申请人： 汉民科技股份有限公司

发明人： 小林隆 ,  林伯融 ,  陈哲霖

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/778 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66462

摘要： 一种半导体装置包含：一基板、一缓冲层、及一装置层。缓冲层沉积于基板上，且包括至少一氮化镓磊晶层及沉积于氮化镓磊晶层上的至少一插入层，其中一电子捕捉元素被掺杂入氮化镓磊晶层的一区域，该区域是为邻近该氮化镓磊晶层及其上的插入层之间的一介面。装置层则形成于缓冲层之上。借由上述结构，氮化镓磊晶层的电子被捕捉，而降低电子迁移率，并使得来自缓冲层漏电流被抑制，因此半导体装置的性能也就被提升。本发明亦揭露一种制造上述半导体装置的方法。

公开(公告)号：CN105609406A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510707965.9

申请日：2015-10-27

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 森谷敦 ,  中矶直春 ,  渡桥由悟 ,  村上孝太郎

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L21/02609 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C30B25/04 ,  C30B25/165 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/67011 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/11517

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统、立体闪存、动态随机存储器及半导体器件。本发明的课题在于在表面的至少一部分露出有绝缘膜的衬底上形成Si膜时，提高所形成的Si膜的膜质。本发明的技术手段为具有：衬底，由单晶硅构成；绝缘膜，形成于衬底的表面；第一硅膜，通过在单晶硅上以单晶硅为基底进行同质外延生长而形成；和第二硅膜，形成于绝缘膜上，且晶体结构与第一硅膜不同。

公开(公告)号：CN105593979A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480053831.3

申请日：2014-09-08

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 富田英幹 ,  兼近将一 ,  桑原诚 ,  上田博之

IPC分类号： H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L27/098 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7788

摘要： 半导体装置具备：第一化合物半导体层；第二化合物半导体层，其与第一化合物半导体层相比带隙较大；p型的第三化合物半导体层，其被设置在第二化合物半导体层上的一部分处；p型的第四化合物半导体层，其被设置在第三化合物半导体层上，并且与第三化合物半导体层相比为高电阻；栅电极，其被设置在第四化合物半导体层上。

公开(公告)号：CN105529355A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610065771.8

申请日：2016-01-29

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 杨震 ,  徐丹 ,  王飞

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L23/552

CPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02579 ,  H01L23/552

摘要： 本发明公开了一种沟槽型超级结外延填充方法，包括步骤：步骤一、提供一形成有N型外延层的半导体衬底。步骤二、在N型外延层中形成多个沟槽。步骤三、采用外延生长中在沟槽中填充具有层次结构的P型外延层，层次结构通过调节硼烷气体通入速率实现。本发明能降低超级结形成的器件的开关速度、减少对外电磁干扰。

公开(公告)号：CN103180491B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201080067947.4

申请日：2010-09-25

申请人： 叶志镇

发明人： 叶志镇 ,  卢洋藩 ,  吴科伟 ,  黄靖云 ,  叶启阔

IPC分类号： C30B29/16 ,  C23C16/18 ,  H01L29/22

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C23C16/407 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/227

摘要： 本发明公开了一种p型ZnO基材料的制备方法，该方法在金属有机化学气相沉积设备系统中进行，该方法将衬底表面清洗后放入金属有机化学气相沉积系统的生长室中，生长室抽真空至10－3～10－4Pa，加热衬底至200～700℃，输入有机锌源、有机钠源和氧气，在衬底上沉积p型ZnO基材料；Na掺杂能够大大提高ZnO基材料中的空穴浓度以及p型稳定性，采用Na掺杂技术结合MOCVD设备，可制备具有良好晶体质量和优良电学、光学性能的p型ZnO基材料；本发明采用环戊二烯基钠等类似有机物作为钠掺杂的金属有机源，可实现工业化生产Na掺杂p型ZnO基材料应用。

公开(公告)号：CN105280707A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510252597.3

申请日：2015-05-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 光心君 ,  余宗兴 ,  许义明

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

摘要： 本发明的一些实施例提供了一种半导体结构，其包括衬底和部分设置在衬底中的外延区域。外延区域包括晶格常数大于衬底的晶格常数的物质。外延区域中的物质的浓度分布从外延区域的底部到外延区域的顶部单调增加。外延区域的第一层具有为约2的高度与宽度比。第一层是紧挨衬底设置的层，并且第一层具有的物质的平均浓度为从约10％至约40％。第二层设置在第一层上方。第二层具有底部，底部具有的物质浓度为从约20％至约50％。本发明涉及半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN104600162B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410112151.6

申请日：2014-03-24

申请人： 上海卓霖半导体科技有限公司

发明人： 蔡卓然 ,  高海 ,  刘智 ,  尹祥麟 ,  刘正伟 ,  张欣瑶 ,  周环宇

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/12 ,  C30B11/14 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/04 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

摘要： 本发明公开了一种基于LAO衬底的非极性蓝光LED外延片及其制备方法，包括如下步骤：a)采用LAO衬底，选取晶体取向，并对LAO衬底进行表面清洁处理；b)对LAO衬底进行退火处理，并在LAO衬底表面形成AlN籽晶层；c)在LAO衬底上采用金属有机化合物化学气相淀积依次形成非极性m面GaN缓冲层、非极性非掺杂u‐GaN层、非极性n型掺杂GaN薄膜、非极性InGaN/GaN量子阱、非极性m面AlGaN电子阻挡层和非极性p型掺杂GaN薄膜。本发明提供的基于LAO衬底的非极性蓝光LED外延片及其制备方法，具有缺陷密度低、结晶质量好，发光性能好的优点，且制备成本低廉。

公开(公告)号：CN102782808B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201080063667.6

申请日：2010-12-10

申请人： 同和电子科技有限公司

发明人： 大鹿嘉和 ,  松浦哲也

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/325 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： 提供了一种用于提高了载流子浓度和提高了光输出的p型AlGaN层、用于制造p型AlGaN层的方法以及III族氮化物半导体发光元件。用于制造p型AlGaN层的方法的特征在于，通过多次重复第一步骤和第二步骤来形成p型AlxGa1-xN层(0≤x