公开(公告)号：CN105593979A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480053831.3

申请日：2014-09-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英幹 ,  兼近将一 ,  桑原诚 ,  上田博之

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L27/098 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7788

Abstract: 半导体装置具备：第一化合物半导体层；第二化合物半导体层，其与第一化合物半导体层相比带隙较大；p型的第三化合物半导体层，其被设置在第二化合物半导体层上的一部分处；p型的第四化合物半导体层，其被设置在第三化合物半导体层上，并且与第三化合物半导体层相比为高电阻；栅电极，其被设置在第四化合物半导体层上。