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公开(公告)号：CN105529355B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610065771.8
申请日：2016-01-29
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/20 , H01L23/552
摘要： 本发明公开了一种沟槽型超级结外延填充方法，包括步骤：步骤一、提供一形成有N型外延层的半导体衬底。步骤二、在N型外延层中形成多个沟槽。步骤三、采用外延生长中在沟槽中填充具有层次结构的P型外延层，层次结构通过调节硼烷气体通入速率实现。本发明能降低超级结形成的器件的开关速度、减少对外电磁干扰。
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公开(公告)号：CN103579119B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210262379.4
申请日：2012-07-27
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/8247
摘要： 本发明公开了一种EEPROM存储单元的制造方法，在场氧形成后，直接生长高压氧化层,在隧道区域光刻定义隧道区窗口，以高压氧化层作为隧道区离子注入的阻挡层进行离子注入，然后进行自对准的隧道区窗口湿法刻蚀,然后生长隧道氧化层。由于高压氧化层经离子注入后蚀刻率会相对较快，并且湿法蚀刻各向同性的影响相对减小，所以本发明的EEPROM存储单元的制造方法可改善隧道区窗口的图形更圆滑，制造的EPROM存储单元可靠性高。同时本发明的EEPROM存储单元的制造方法，以隧道区窗口处的高压氧化层作为隧道区离子注入的隔离层离子注入的阻挡层，使隧道区窗口经过一次光刻就能形成，工艺流程简单，生产成本低。
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公开(公告)号：CN105529355A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610065771.8
申请日：2016-01-29
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/20 , H01L23/552
CPC分类号： H01L29/06 , H01L21/0257 , H01L21/02579 , H01L23/552
摘要： 本发明公开了一种沟槽型超级结外延填充方法，包括步骤：步骤一、提供一形成有N型外延层的半导体衬底。步骤二、在N型外延层中形成多个沟槽。步骤三、采用外延生长中在沟槽中填充具有层次结构的P型外延层，层次结构通过调节硼烷气体通入速率实现。本发明能降低超级结形成的器件的开关速度、减少对外电磁干扰。
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公开(公告)号：CN103855018A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210513691.6
申请日：2012-12-04
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/4236
摘要： 本发明公开了一种POWER？MOS沟槽底部进行离子注入调节崩溃电压和改善导通电阻的方法，包括：1）在沟槽侧壁和底部以及P型EPI表面沉积杂质掺杂的正硅酸乙酯；2）填充光阻；3）光阻回刻，仅留下沟槽底部的光阻，将露出的杂质参杂的正硅酸乙酯刻蚀去除；4）沟槽底部的光阻去除，淀积无掺杂正硅酸乙酯；5）离子高温扩散；6）正硅酸乙酯刻蚀去除，生长栅极氧化层；7）沟槽的多晶硅淀积、离子注入，多晶硅回刻，接触孔绝缘层淀积，接触孔定义，接触孔金属钨填充、反刻，金属淀积，金属垫定义，引出栅极和源极。本发明避免了沟槽侧壁损伤，可减少牺牲氧化层的生长，沟槽宽度不改变，提高集成密度，调节崩溃电压和改善导通电阻。
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公开(公告)号：CN104282542A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310285072.0
申请日：2013-07-08
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66477 , H01L21/28158
摘要： 本发明公开了一种解决超级结产品保护环场氧侧壁多晶硅残留的方法，包括：1）在外延衬底上生长保护环场氧后，用光刻胶定义出保护环场氧区域，刻蚀出保护环场氧侧壁；2）去除光刻胶，在外延衬底和保护环场氧的表面淀积二氧化硅；3）刻蚀二氧化硅，仅在保护环场氧侧壁上形成一层二氧化硅侧墙；4）生长栅极氧化膜，并通过生长栅极氧化膜的生长工艺使二氧化硅侧墙致密化；5）淀积栅极多晶硅；6）通过光刻胶曝光和刻蚀，刻出多晶硅栅极，并去除保护环场氧侧壁的多晶硅残留。本发明解决了传统工艺中多晶硅在场氧侧壁上因纵向厚度过厚而无法在多晶硅刻蚀时去除干净的问题。
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