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公开(公告)号：CN115004336A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180010141.X
申请日：2021-12-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/02 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 本公开内容的实施方式提供减少或消除选择性钨层的横向生长的方法。进一步实施方式提供整合的清洁和沉积方法，此方法改善在沟槽结构上选择性沉积的钨的选择性。另外的实施方式提供用于形成针对沟槽结构的更均匀和更有选择性的自底向上的间隙填充而具有改善的膜性质的方法。
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公开(公告)号：CN114981952A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180008308.9
申请日：2021-05-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 姚雅宽 , 赖一鸣 , 吴凯 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 凯文·卡舍菲 , 雷雨 , 董琳 , 任河 , 徐翼 , 梅裕尔·奈克 , 陈浩 , 凌芒芒
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 描述了用于预清洁具有金属和电介质表面的基板的方法。基板暴露于强还原剂中，以从金属表面移除污染物并损坏电介质表面。基板接着暴露于氧化处理，以修复对电介质表面的损坏并氧化金属表面。基板接着暴露于弱还原剂以将金属氧化物还原为纯金属表面，而基本上不影响电介质表面。还描述了用于实施该方法的处理工具和计算机可读介质。
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公开(公告)号：CN114930520A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008907.0
申请日：2021-06-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/04
Abstract: 描述用于预清洁基板的方法，所述基板具有金属和电介质表面。将包含冷却特征的基座的温度设定为小于或等于100℃，其中基板位在所述基座上。使基板暴露于等离子体处理，以从包括金属底部、电介质侧壁和/或电介质场的基板的特征去除化学残留物和/或杂质，和/或修复电介质侧壁和/或电介质场中的表面缺陷。等离子体处理可为氧等离子体，举例而言，直接氧等离子体。还描述用于实施所述方法的处理工具及计算机可读介质。
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公开(公告)号：CN119895560A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380065707.8
申请日：2023-09-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 徐翼 , 雷雨 , 亓智敏 , 张爱西 , 赵咸元 , 雷伟 , 高兴尧 , 希里什语·A·佩特 , 黄涛 , 常翔 , 帕特里克·博-均·李 , 杰拉尔丁·瓦斯奎兹 , 吴典晔 , 汪荣军
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 用于降低金属间隙填充物的电阻率的方法包含以下步骤：在特征的开口中且在基板的区域上沉积共形层，其中共形层的第一厚度为大约10微米或更小，使用各向异性沉积工艺直接地在共形层上且在开口的底部并且直接地在所述区域上沉积非共形金属层。在所述区域上且在特征的底部上的非共形金属层的第二厚度是大约30微米或更大。并且在特征的开口中并且在金属间隙填充物材料完全地填充开口而没有任何空隙的区域上沉积金属间隙填充物材料。
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公开(公告)号：CN119522482A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380055685.7
申请日：2023-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 一种在基板上形成结构的方法包括在至少一个特征内形成钨成核层。方法包括通过循环气相沉积制程形成成核层。循环气相沉积制程包括形成成核层的一部分，然后将成核层暴露至化学气相传输（CVT）制程，以从成核层的一部分中去除杂质。CVT制程可以在400摄氏度或更低的温度下执行，并且包括由处理气体形成等离子体，处理气体包含大于或等于氢气和氧的总流量的90%的氢气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110998791B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201880051523.5
申请日：2018-07-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/56 , H01L21/324
Abstract: 一种用于在半导体处理腔室中于基板上形成膜的方法，包括使用等离子体增强工艺以及氯基气体、氢气、和惰性气体的气体混合物在基板上形成第一层。之后净化所述处理腔室，且以氢基前驱气体热浸泡所述第一层。之后再次净化所述处理腔室，且可用所述等离子体增强工艺或不用所述等离子体增强工艺重复上述处理，直到在基板上达到一定的膜厚度为止。
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公开(公告)号：CN114946018A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180008110.0
申请日：2021-06-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L23/532 , H01L23/522
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及沉积钨的方法。本公开内容的一些实施方式提供了在相对低的温度下执行的用于沉积钨的方法。本公开内容的一些实施方式提供了其中控制反应物气体之间的比率的方法。本公开内容的一些实施方式提供了钨的选择性沉积。本公开内容的一些实施方式提供了用于在低温下沉积具有相对低粗糙度、应力及杂质水平的钨膜的方法。
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公开(公告)号：CN113678231A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080027926.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 马飞越 , 吴凯 , 雷雨 , 大东和也 , 徐翼 , 维卡什·班西埃 , 张镁 , 任河 , 雷蒙德·霍曼·洪 , 姚雅宽 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 周静 , 蹇国强 , 林志周 , 赖一鸣 , 叶佳 , 王振宇
IPC: H01L21/285 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/02 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/67 , C23C14/04
Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。
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公开(公告)号：CN112105758A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031467.3
申请日：2019-05-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/448 , C23C28/00 , H01L21/285 , H01L21/768
Abstract: 本案提供一种用于提供具有金属膜的电子装置的设备和方法。本公开内容的一些实施方式利用金属钨层作为衬垫，该衬垫充满包含钴的金属膜。金属钨层具有对钴的良好粘附力，导致增强的钴缝隙填充效能。
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