公开(公告)号：CN102456663A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110309782.3

申请日：2011-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑世泳 ,  宋昊建 ,  李忠善 ,  李镐珍

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一半导体芯片，其包括穿透其至少一部分的第一穿透电极和第二穿透电极，第一穿透电极具有第一突出高度，第二穿透电极具有高于第一突出高度的第二突出高度；第二半导体芯片，其与第一穿透电极电连接；以及第三半导体芯片，其与第二穿透电极电连接。

公开(公告)号：CN1996565A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200710001527.6

申请日：2007-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  李镐珍 ,  张东铉 ,  李东镐

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/274 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087

Abstract: 本发明提供了一种具有应力消除分隔件的半导体器件封装和一种制造该半导体器件封装的方法，在该半导体器件封装中，从芯片的本体延伸的金属互连指状物提供芯片互连。金属指状物通过应力消除分隔件与芯片的本体隔离。在一个示例中，这种隔离采取空气间隙的形式。在另一示例中，这种隔离采取弹性体材料的形式。在任一种情况下，避免了金属互连指状物和芯片的本体之间的热膨胀系数的不匹配，从而减轻了与裂纹和剥离相关的问题，并使得器件产量和器件可靠性提高。

公开(公告)号：CN109103169B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN201810632849.9

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪义官 ,  文光辰 ,  李来寅 ,  李镐珍

IPC: H01L23/532

Abstract: 一种半导体器件包括：位于第一衬底上的第一绝缘夹层的上部的第一导电图案、垂直地延伸的多个第一导电纳米管(CNT)、位于第二衬底下方的第二绝缘夹层的下部的第二导电图案、以及垂直地延伸的多个第二CNT。第二绝缘夹层的下表面接触第一绝缘夹层的上表面。多个第一CNT中的每一个的侧壁的至少一部分被第一导电图案覆盖，并且多个第二CNT中的每一个的侧壁的至少一部分被第二导电图案覆盖。第一导电图案和第二导电图案垂直地面向彼此，并且多个第一CNT中的至少一个与多个第二CNT中的至少一个彼此接触。

公开(公告)号：CN117637484A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311058461.X

申请日：2023-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴首玟 ,  金泰成 ,  朴宰亨 ,  李圭夏 ,  李余珍 ,  文光辰 ,  李镐珍

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/321 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种晶片的制造方法，该方法包括以下操作：制备包括半导体芯片区域和测试区域的晶片，用原子力显微镜(AFM)测量测试区域中包括的测量区域，测量区域包括具有恒定线宽和恒定间距的多条金属线；基于测量区域的测量结果来确定测试区域的表面粗糙度值；基于表面粗糙度值来确定测试区域的金属线的阶梯差值；以及基于金属线的阶梯差值来确定半导体芯片区域中的接合焊盘的阶梯差值。

公开(公告)号：CN117457609A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310349144.7

申请日：2023-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴建相 ,  李镐珍 ,  金石镐

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体器件可以包括：下结构，包括第一衬底、第一衬底上的第一焊盘、以及包围第一焊盘的第一绝缘层；以及上结构，包括第二衬底、第二衬底上的第二焊盘、以及包围第二焊盘的第二绝缘层。第一焊盘和第二焊盘中的每一个可以包括第一部分和第一部分上的第二部分。第二部分可以包括与第一部分相同的金属材料。第一焊盘的第二部分可以与第二焊盘的第二部分接触，并且第一绝缘层可以与第二绝缘层接触。

公开(公告)号：CN116564933A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310078272.2

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹昭惠 ,  文光辰 ,  李镐珍

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：具有突出的有源图案的第一半导体衬底；栅结构；有源图案中在栅结构一侧的源/漏区；源/漏区上的层间绝缘层；接触结构，穿过层间绝缘层连接到源/漏区；通孔结构，电连接到接触结构并穿过层间绝缘层和第一半导体衬底；第一接合结构，包括第一半导体衬底上的第一绝缘层和第一绝缘层中的第一连接焊盘；第一接合结构上的第二接合结构，包括接合到第一绝缘层的第二绝缘层以及在第二绝缘层中并接合到第一连接焊盘的第二连接焊盘；以及第二半导体衬底，设置在第二接合结构上。

公开(公告)号：CN112289774A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010670130.1

申请日：2020-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇南 ,  文光辰 ,  李镐珍 ,  姜泌圭 ,  罗勋奏

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L27/02

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且具有位于第一表面上并由第一隔离区限定的有源区；多个有源鳍，布置在有源区上，沿第一方向延伸，并且由第二隔离区限定，第二隔离区具有小于第一隔离区的第一深度的第二深度；掩埋导电布线，位于与所述多个有源鳍相邻的沟槽中，并且沿所述沟槽的延伸方向延伸；填充绝缘部分，位于沟槽中，并且设置在掩埋导电布线周围；层间绝缘层，位于第一隔离区和第二隔离区上，并且位于掩埋导电布线上；接触结构，穿透层间绝缘层，并且接触掩埋导电布线；以及导电贯通结构，从第二表面穿过衬底延伸到沟槽，并且接触掩埋导电布线。

公开(公告)号：CN109300871A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201810794961.2

申请日：2018-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  文光辰 ,  徐柱斌 ,  林东灿 ,  藤崎纯史 ,  李镐珍

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L25/065

Abstract: 一种半导体器件包括：在基板上的导电部件；钝化层，在基板上并且包括暴露导电部件的至少一部分的开口；以及焊盘结构，在开口中并且位于钝化层上，焊盘结构电连接到导电部件。焊盘结构包括：在开口的内侧壁上共形地延伸的下导电层，下导电层包括顺序地堆叠的导电阻挡层、第一籽晶层、蚀刻停止层和第二籽晶层；第一焊盘层，在下导电层上并且至少部分地填充开口；以及第二焊盘层，在第一焊盘层上并且与下导电层的位于钝化层的顶表面上的外围部分接触。

公开(公告)号：CN109103124A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810521429.3

申请日：2018-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  姜泌圭 ,  金石镐 ,  文光辰 ,  李来寅 ,  李镐珍

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种晶片结合装置，用于在晶片结合工艺和/或包括所述晶片结合装置的晶片结合系统中精确地检测晶片的结合状态。所述晶片结合装置包括：第一支撑板，包括第一表面和用于真空吸附在第一表面上设置的第一晶片的真空槽；第二支撑板，包括面对第一表面的第二表面。第二晶片在第二表面上。所述晶片结合装置和/或所述晶片结合系统包括位于第一支撑板的中心部分处的结合引发器和位于第一支撑板上的区域传感器，所述区域传感器被配置为检测第一晶片与第二晶片之间的结合的传播状态。

公开(公告)号：CN108004583A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711043826.6

申请日：2017-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东灿 ,  文光辰 ,  朴炳律 ,  李来寅 ,  李镐珍

IPC: C25D17/00 ,  C25D5/00

CPC classification number: C25D5/006 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/005 ,  C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种电镀设备包括：电镀槽，包括安装于其中的阳极和容纳于其中的电镀溶液；基底保持器，被构造为保持将要浸到电镀溶液中的基底，并且包括围绕基底的支撑件和位于支撑件上以电连接到基底的外围的阴极；磁场产生组件，设置在支撑件中，并且包括沿基底的圆周延伸的至少一个电磁线圈；以及电源，被构造为将电流供应到电磁线圈。