公开(公告)号：CN118507452A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410173761.0

申请日：2024-02-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 孙成旻 ,  金石镐 ,  朴首玟 ,  李圭夏 ,  蒋妵希

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H10B80/00 ,  H01L23/31

摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括第一基底结构和堆叠在第一基底结构上的第二基底结构。第一基底结构包括：多个第一键合垫，在第一基底的第一管芯区域中；第一钝化层，在第一基底上，并且暴露第一键合垫；以及多个第一虚设图案，在第一划片区域中位于第一钝化层中。第二基底结构包括：多个第二键合垫，在第二基底的第二管芯区域中；第二钝化层，在第二基底上并暴露第二键合垫；以及多个第二虚设图案，在第二划片区域中位于第二钝化层中。第一键合垫和第二键合垫彼此直接键合。

公开(公告)号：CN117637484A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311058461.X

申请日：2023-08-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴首玟 ,  金泰成 ,  朴宰亨 ,  李圭夏 ,  李余珍 ,  文光辰 ,  李镐珍

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/321 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  H01L27/02

摘要： 提供了一种晶片的制造方法，该方法包括以下操作：制备包括半导体芯片区域和测试区域的晶片，用原子力显微镜(AFM)测量测试区域中包括的测量区域，测量区域包括具有恒定线宽和恒定间距的多条金属线；基于测量区域的测量结果来确定测试区域的表面粗糙度值；基于表面粗糙度值来确定测试区域的金属线的阶梯差值；以及基于金属线的阶梯差值来确定半导体芯片区域中的接合焊盘的阶梯差值。