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公开(公告)号：CN118507452A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410173761.0
申请日：2024-02-07
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括第一基底结构和堆叠在第一基底结构上的第二基底结构。第一基底结构包括：多个第一键合垫，在第一基底的第一管芯区域中；第一钝化层，在第一基底上，并且暴露第一键合垫；以及多个第一虚设图案，在第一划片区域中位于第一钝化层中。第二基底结构包括：多个第二键合垫，在第二基底的第二管芯区域中；第二钝化层，在第二基底上并暴露第二键合垫；以及多个第二虚设图案，在第二划片区域中位于第二钝化层中。第一键合垫和第二键合垫彼此直接键合。
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公开(公告)号：CN111223774B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201910800373.X
申请日：2019-08-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L27/146
摘要： 一种晶片平坦化方法，包括在具有芯片区域和划线区域的基板上形成第二绝缘层和抛光层；在芯片区域和划线区域中的抛光层中形成第一通孔并且在芯片区域中的第二绝缘层中形成第二通孔，其中第二通孔与第一通孔在芯片区域中相接；在第一通孔和第二通孔内以及抛光层的上表面上形成焊盘金属层；通过化学机械抛光(CMP)工艺抛光该抛光层和焊盘金属层，以暴露芯片区域和划线区域中的第二绝缘层的上表面。
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公开(公告)号：CN111223774A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910800373.X
申请日：2019-08-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L27/146
摘要： 一种晶片平坦化方法，包括在具有芯片区域和划线区域的基板上形成第二绝缘层和抛光层；在芯片区域和划线区域中的抛光层中形成第一通孔并且在芯片区域中的第二绝缘层中形成第二通孔，其中第二通孔与第一通孔在芯片区域中相接；在第一通孔和第二通孔内以及抛光层的上表面上形成焊盘金属层；通过化学机械抛光(CMP)工艺抛光该抛光层和焊盘金属层，以暴露芯片区域和划线区域中的第二绝缘层的上表面。
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公开(公告)号：CN113921511A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110772790.5
申请日：2021-07-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488
摘要： 一种半导体封装件包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一主连接焊盘结构和第一虚设连接焊盘结构。第一主连接焊盘结构布置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的界面处，并且被布置为在与第一半导体芯片的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开第一主间距，其中，第一主连接焊盘结构中的每一个包括：第一连接焊盘，其电连接至第一半导体芯片；以及第二连接焊盘，其电连接至第二半导体芯片并且接触第一连接焊盘。第一虚设连接焊盘结构布置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的界面处，被布置为与第一主连接焊盘结构间隔开，并且被布置为在第一方向上彼此间隔开第一虚设间距，第一虚设间距大于第一主间距。
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公开(公告)号：CN112435986A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010868480.9
申请日：2020-08-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/535 , H01L25/18 , H01L27/146 , H01L21/98
摘要： 提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括接合在一起的第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一基板、设置在第一基板上并且具有顶表面的第一绝缘层、嵌入在第一绝缘层中并且具有与第一绝缘层的顶表面基本齐平的顶表面的第一金属焊盘、以及设置在第一绝缘层和第一金属焊盘之间的第一阻挡件。第二半导体芯片以与第一半导体芯片相似的构造包括第二基板、第二绝缘层、第二金属焊盘和第二阻挡件。第一绝缘层的顶表面和第二绝缘层的底表面被接合以提供接合界面，第一金属焊盘和第二金属焊盘被连接，并且第一绝缘层的部分与第一金属焊盘的侧部区域接触。
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