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公开(公告)号：CN109103169B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201810632849.9
申请日：2018-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532
Abstract: 一种半导体器件包括：位于第一衬底上的第一绝缘夹层的上部的第一导电图案、垂直地延伸的多个第一导电纳米管(CNT)、位于第二衬底下方的第二绝缘夹层的下部的第二导电图案、以及垂直地延伸的多个第二CNT。第二绝缘夹层的下表面接触第一绝缘夹层的上表面。多个第一CNT中的每一个的侧壁的至少一部分被第一导电图案覆盖，并且多个第二CNT中的每一个的侧壁的至少一部分被第二导电图案覆盖。第一导电图案和第二导电图案垂直地面向彼此，并且多个第一CNT中的至少一个与多个第二CNT中的至少一个彼此接触。
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公开(公告)号：CN113921511A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110772790.5
申请日：2021-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 一种半导体封装件包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一主连接焊盘结构和第一虚设连接焊盘结构。第一主连接焊盘结构布置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的界面处，并且被布置为在与第一半导体芯片的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开第一主间距，其中，第一主连接焊盘结构中的每一个包括：第一连接焊盘，其电连接至第一半导体芯片；以及第二连接焊盘，其电连接至第二半导体芯片并且接触第一连接焊盘。第一虚设连接焊盘结构布置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的界面处，被布置为与第一主连接焊盘结构间隔开，并且被布置为在第一方向上彼此间隔开第一虚设间距，第一虚设间距大于第一主间距。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102142442B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201010611021.9
申请日：2010-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/24 , H01L27/22 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/8229 , H01L45/00 , H01L43/00 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其形成方法。根据本发明的一种半导体器件包括：设置在衬底上的层间绝缘层，该层间绝缘层包括暴露衬底的开口；设置在该开口中的阻挡层图案；以及设置在阻挡层图案上的导电图案，导电图案具有从该开口伸出的氧化部分和位于该开口中的非氧化部分，其中导电图案的宽度由阻挡层图案的厚度决定。本发明还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN102142442A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010611021.9
申请日：2010-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/24 , H01L27/22 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/8229 , H01L45/00 , H01L43/00 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其形成方法。根据本发明的一种半导体器件包括：设置在衬底上的层间绝缘层，该层间绝缘层包括暴露衬底的开口；设置在该开口中的阻挡层图案；以及设置在阻挡层图案上的导电图案，导电图案具有从该开口伸出的氧化部分和位于该开口中的非氧化部分，其中导电图案的宽度由阻挡层图案的厚度决定。本发明还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110610923A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910504531.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体器件、一种半导体封装件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一结构，所述第一结构包括第一导电图案，所述第一导电图案在所述第一结构的上部被暴露；模制层，所述模制层覆盖所述第一导电图案；第二结构，所述第二结构位于所述模制层上；以及贯穿通路，所述贯穿通路穿过所述第二结构和所述模制层，所述贯穿通路电连接到所述第一导电图案，所述贯穿通路包括位于所述第二结构中的第一通路部分和位于所述模制层中的第二通路部分，所述第二通路部分连接到所述第一通路部分，所述第二通路部分的上部具有第一宽度，所述第二通路部分的中间部分具有大于所述第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN110610923B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN201910504531.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体器件、一种半导体封装件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一结构，所述第一结构包括第一导电图案，所述第一导电图案在所述第一结构的上部被暴露；模制层，所述模制层覆盖所述第一导电图案；第二结构，所述第二结构位于所述模制层上；以及贯穿通路，所述贯穿通路穿过所述第二结构和所述模制层，所述贯穿通路电连接到所述第一导电图案，所述贯穿通路包括位于所述第二结构中的第一通路部分和位于所述模制层中的第二通路部分，所述第二通路部分连接到所述第一通路部分，所述第二通路部分的上部具有第一宽度，所述第二通路部分的中间部分具有大于所述第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN109103169A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810632849.9
申请日：2018-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532
Abstract: 一种半导体器件包括：位于第一衬底上的第一绝缘夹层的上部的第一导电图案、垂直地延伸的多个第一导电纳米管(CNT)、位于第二衬底下方的第二绝缘夹层的下部的第二导电图案、以及垂直地延伸的多个第二CNT。第二绝缘夹层的下表面接触第一绝缘夹层的上表面。多个第一CNT中的每一个的侧壁的至少一部分被第一导电图案覆盖，并且多个第二CNT中的每一个的侧壁的至少一部分被第二导电图案覆盖。第一导电图案和第二导电图案垂直地面向彼此，并且多个第一CNT中的至少一个与多个第二CNT中的至少一个彼此接触。
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