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发明公开
半导体晶片的布局方法、晶片的检查方法及制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN117637484A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311058461.X

申请日：2023-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴首玟 , 金泰成 , 朴宰亨 , 李圭夏 , 李余珍 , 文光辰 , 李镐珍

IPC: H01L21/48 , H01L21/321 , H01L21/66 , H01L23/544 , H01L27/02

Abstract: 提供了一种晶片的制造方法，该方法包括以下操作：制备包括半导体芯片区域和测试区域的晶片，用原子力显微镜(AFM)测量测试区域中包括的测量区域，测量区域包括具有恒定线宽和恒定间距的多条金属线；基于测量区域的测量结果来确定测试区域的表面粗糙度值；基于表面粗糙度值来确定测试区域的金属线的阶梯差值；以及基于金属线的阶梯差值来确定半导体芯片区域中的接合焊盘的阶梯差值。

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