公开(公告)号：CN113451256A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202011555509.4

申请日：2020-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹昭惠 ,  姜泌圭 ,  文光辰 ,  金泰成

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种集成电路半导体器件，包括：衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；沟槽，在衬底中，沟槽从衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸；硅通孔(TSV)着陆部，在沟槽中，TSV着陆部具有与衬底的第一表面间隔开的第一部分，以及第一部分与衬底的第一表面之间的第二部分，第一部分比第二部分宽；TSV孔，在衬底中，TSV孔从衬底的第二表面延伸并且与TSV着陆部的底表面对齐；以及TSV，在TSV孔中并且与TSV着陆部的底表面接触。

公开(公告)号：CN118248653A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311426283.1

申请日：2023-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  闵俊弘 ,  郑银淑 ,  曹昭惠

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装包括：第一基板，包括硅；第一绝缘层，与第一基板接触，第一绝缘层包括氧化硅，第一绝缘层具有第一浓度的硅；第二绝缘层，与第一绝缘层接触，第二绝缘层包括氧化硅，第二绝缘层具有第二浓度的硅，第二浓度低于第一浓度；以及在第二绝缘层上的结构。第一浓度是所述第一绝缘层中的硅的重量与所述第一绝缘层的总重量的比率，第二浓度是所述第二绝缘层中的硅的重量与第二绝缘层的总重量的比率，并且第一浓度在20wt％至50wt％的范围内。

公开(公告)号：CN116564933A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310078272.2

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹昭惠 ,  文光辰 ,  李镐珍

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：具有突出的有源图案的第一半导体衬底；栅结构；有源图案中在栅结构一侧的源/漏区；源/漏区上的层间绝缘层；接触结构，穿过层间绝缘层连接到源/漏区；通孔结构，电连接到接触结构并穿过层间绝缘层和第一半导体衬底；第一接合结构，包括第一半导体衬底上的第一绝缘层和第一绝缘层中的第一连接焊盘；第一接合结构上的第二接合结构，包括接合到第一绝缘层的第二绝缘层以及在第二绝缘层中并接合到第一连接焊盘的第二连接焊盘；以及第二半导体衬底，设置在第二接合结构上。

公开(公告)号：CN115132742A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210291326.9

申请日：2022-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗勋奏 ,  苏重燮 ,  金泰成 ,  曹昭惠 ,  黃善宽

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  G11C5/02 ,  G11C8/14 ,  G11C5/06 ,  G11C7/18

Abstract: 半导体装置包括：包括外围电路的下芯片结构、下芯片结构上的第一存储器芯片结构、以及第一存储器芯片结构上的第二存储器芯片结构。第一存储器芯片结构包括第一堆叠结构和第一竖直存储器结构。第一堆叠结构包括在竖直方向上堆叠并在第一水平方向上延伸的第一栅极线。第一竖直存储器结构在竖直方向上穿透第一栅极线。第二存储器芯片结构包括第二堆叠结构和第二竖直存储器结构。第二堆叠结构包括在竖直方向上堆叠并且在垂直于第一水平方向的第二水平方向上延伸的第二栅极线。第二竖直存储器结构在竖直方向上穿透第二栅极线。