公开(公告)号：CN115132742A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210291326.9

申请日：2022-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗勋奏 ,  苏重燮 ,  金泰成 ,  曹昭惠 ,  黃善宽

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  G11C5/02 ,  G11C8/14 ,  G11C5/06 ,  G11C7/18

Abstract: 半导体装置包括：包括外围电路的下芯片结构、下芯片结构上的第一存储器芯片结构、以及第一存储器芯片结构上的第二存储器芯片结构。第一存储器芯片结构包括第一堆叠结构和第一竖直存储器结构。第一堆叠结构包括在竖直方向上堆叠并在第一水平方向上延伸的第一栅极线。第一竖直存储器结构在竖直方向上穿透第一栅极线。第二存储器芯片结构包括第二堆叠结构和第二竖直存储器结构。第二堆叠结构包括在竖直方向上堆叠并且在垂直于第一水平方向的第二水平方向上延伸的第二栅极线。第二竖直存储器结构在竖直方向上穿透第二栅极线。