公开(公告)号：CN106997852A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201610046635.4

申请日：2016-01-25

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  哈姆扎·依玛兹 ,  何约瑟 ,  鲁军 ,  牛志强 ,  连国峰

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及一种用于模压芯片级封装的晶圆工艺，包括：在晶圆上的芯片焊接垫上沉积金属凸块；在晶圆正面制备第一封装层，覆盖金属凸块；在晶圆的边缘处制备未覆盖环，使多个划线中每个划线的两端都裸露出来；减薄第一封装层，使金属凸块裸露出来；制备切割槽；研磨晶圆的背面，在晶圆边缘处形成凹陷空间和支撑环；在凹陷空间中晶圆的背面沉积金属种子层；切除晶圆的边缘部分；在衬底上翻转并安装晶圆；沉积覆盖着金属种子层的金属层；从晶圆上除去衬底；通过沿划线切割第一封装层、晶圆、金属种子层和金属层，使单独的芯片与晶圆分离。

公开(公告)号：CN104347568B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310343088.2

申请日：2013-08-07

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 哈姆扎·耶尔马兹 ,  薛彦迅 ,  鲁军 ,  彼得·威尔逊 ,  霍炎 ,  牛志强 ,  鲁明朕

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明一般涉及一种功率器件，尤其是涉及薄型的具有良好散热效果的功率器件及其制备方法。包括芯片安装单元和第一、第二芯片及第一、第二互联结构，第一、第二芯片分别粘贴在芯片安装单元的第一、第二基座上，第一互联结构将第一芯片正面的主电极以及第二芯片背面的背部电极电性连接至第四引脚和第一、第二引脚两者之一上。第二互联结构将第一芯片正面的副电极电性连接至第一、第二引脚两者中没有与第一互联结构进行电性连接的一个上。

公开(公告)号：CN105448854A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410431462.9

申请日：2014-08-29

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  哈姆扎·依玛兹 ,  何约瑟 ,  鲁军 ,  牛志强 ,  连国峰 ,  付红霞 ,  龚玉平

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/73253

Abstract: 本发明提出了一种用于MCSP的晶圆制作方法，包括：在芯片的焊盘上沉积一个金属凸起；在晶圆的前表面上制备一个第一封装层，覆盖金属凸起；同时在晶圆边缘制备一个未覆盖环，使位于两个相邻芯片之间的每条划线末端裸露出来；减薄第一封装层，使金属凸起裸露出来；研磨晶圆背面，在晶圆背部形成一个凹陷和一个支撑环；在凹陷中晶圆的背面，依次沉积一个金属种子层和一个厚金属层；并且通过沿划线切割第一封装层、晶圆、金属种子层和厚金属层，将单个芯片和晶圆分离。

公开(公告)号：CN105244347A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201410318620.X

申请日：2014-07-07

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 牛志强 ,  潘华 ,  鲁明朕 ,  何约瑟 ,  鲁军

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开一种新型嵌入式封装，包含：预填塑封料的引线框架，及设置其上的若干芯片，预填塑材料填充引线框架镂空结构，使引线框架形成一平面无镂空整体；围绕引线框架分布设置的引脚；金属片，连接在部分芯片上；第一层压层，其包覆在芯片、引线框架、金属片和引脚上；对应引脚、以及各个芯片中用于连接各个引脚的区域处，第一层压层设有由芯片或引脚的表面至第一层压层外表面的导电结构；各个芯片需连接引脚处的导电结构与引脚或其他芯片的导电结构电性连接。本发明将多芯片嵌入在预制的引线框架上，并被包覆在层压层中通过导电结构连接，提高热性能和电性能，便于完成柔性功率和逻辑混合设计，具有三维堆叠能力，可进行系统级封装。

公开(公告)号：CN102456654B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201110355157.2

申请日：2011-10-26

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 冯涛 ,  牛志强 ,  龚玉平 ,  吴瑞生 ,  黄平 ,  石磊 ,  何约瑟

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7827 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

Abstract: 一种无衬底的复合功率半导体器件包括一个很薄的衬底，以及一个位于衬底顶面上的顶部金属层。衬底和外延层的总厚度小于25微米。焊料隆起焊盘形成在顶部金属层上方，成型混料包围着焊料隆起焊盘，并使焊料隆起焊盘至少部分裸露出来。

公开(公告)号：CN103208430B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210026966.3

申请日：2012-01-17

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 鲁军 ,  牛志强 ,  何约瑟 ,  黄平 ,  龚玉平 ,  薛彦迅 ,  张晓天 ,  鲁明联

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/06181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明一般涉及一种超薄芯片的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种利用热压焊球技术以在晶圆级塑封工艺中实现超薄芯片的方法。本发明首先在晶圆上进行植球，将焊球植于设置在芯片正面的金属衬垫上，并对晶圆进行加热，将焊球软化；之后利用一个热压板同时于所有焊球的顶端进行施压，在焊球的顶端形成一个平面化的顶面；再进行晶圆级的塑封工艺，形成覆盖在晶圆的正面的一层塑封层，其中，任意一个焊球的顶面均暴露于该塑封层之外；最后再减薄晶圆的厚度以获得超薄芯片。

公开(公告)号：CN104779234A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201410012670.5

申请日：2014-01-10

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 牛志强 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  鲁军 ,  王飞

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种优化爬电距离的功率器件及其制备方法。具有一个芯片安装单元，芯片安装单元包括基座和一些引脚，并排的引脚间以非等距离方式设置并位于基座的一侧缘附近，一个芯片粘附在基座上，一个塑封体包覆基座、芯片，塑封体包括一个塑封延伸部包覆引脚的至少一部分来获得引脚间的一个较好的电气安全距离，以便改善器件的电压爬电距离。

公开(公告)号：CN102456654A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110355157.2

申请日：2011-10-26

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 冯涛 ,  牛志强 ,  龚玉平 ,  吴瑞生 ,  黄平 ,  石磊 ,  何约瑟

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7827 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

Abstract: 一种无衬底的复合功率半导体器件包括一个很薄的衬底，以及一个位于衬底顶面上的顶部金属层。衬底和外延层的总厚度小于25微米。焊料隆起焊盘形成在顶部金属层上方，成型混料包围着焊料隆起焊盘，并使焊料隆起焊盘至少部分裸露出来。

公开(公告)号：CN107046010B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201610082487.1

申请日：2016-02-05

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 张晓天 ,  雪克·玛力卡勒强斯瓦密 ,  牛志强 ,  胡照群 ,  何约瑟

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及到一种可实现电压切换的电源管理装置，尤其是涉及到低端MOSFET晶片和高端MOSFET晶片并集成控制IC的电压转换装置及其制备方法。一个第一晶片倒装在第一安装区域，第一晶片正面的金属衬垫与位于第一安装区域的焊盘对接；一个第二晶片倒装在第二安装区域，第二晶片正面的金属衬垫与位于第二安装区域的焊盘对接；一个导电结构连接在结合垫和第一晶片背面的金属层之间，一个塑封体覆盖在基板正面，将第一、第二晶片和导电结构包覆在内。

公开(公告)号：CN104779234B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201410012670.5

申请日：2014-01-10

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 牛志强 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  鲁军 ,  王飞

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种优化爬电距离的功率器件及其制备方法。具有一个芯片安装单元，芯片安装单元包括基座和一些引脚，并排的引脚间以非等距离方式设置并位于基座的一侧缘附近，一个芯片粘附在基座上，一个塑封体包覆基座、芯片，塑封体包括一个塑封延伸部包覆引脚的至少一部分来获得引脚间的一个较好的电气安全距离，以便改善器件的电压爬电距离。