公开(公告)号：CN103854985B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210510130.0

申请日：2012-12-03

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李春龙 ,  李俊峰 ,  闫江 ,  赵超

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种后栅工艺假栅的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜；在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成宽度为32nm~45nm的光刻胶线条；以所述光刻胶线条为标准，对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅。本发明还提供了一种后栅工艺假栅。采用本发明提供的技术方案，能精确控制栅极的关键尺寸，栅极的剖面形貌，并能有效改善栅极线条的粗糙度，保证了器件的性能及稳定性。

公开(公告)号：CN104518018A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410464352.2

申请日：2014-09-12

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： S·梅纳德

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/332

CPC classification number: H01L29/74 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/306 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/102 ,  H01L29/32 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7408 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41

Abstract: 本公开涉及一种具有温度稳定特性的SCR部件。垂直结构的SCR型部件具有形成在第一导电类型的硅区域上、自身形成在第二导电类型的硅层中的主上部电极，其中所述区域中断在其中硅层的材料与上部电极接触的第一部位中，以及在采用延伸在硅层和电极之间的电阻性多孔硅填充的第二部位中。

公开(公告)号：CN101399198A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810171103.9

申请日：2002-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/285 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: 一种采用SiO2膜及SiON膜作为具有极薄(例如2.5nm以下)膜厚的绝缘膜、采用多晶硅、非晶硅、SiGe作为电极的具有良好电气特性的电子器件(例如高性能MOS型半导体器件)结构的制造方法。在包含氧以及稀有气体的处理气体的存在下，通过由平面天线部件SPA在使以Si为主要成分的晶片W上照射微波，形成包含氧以及稀有气体的等离子体(或者包含氮以及稀有气体的等离子体、或者包含氮、稀有气体以及氢的等离子体)。利用此等离子体在所述晶片表面形成氧化膜(或者氮氧化膜)，根据需要形成多晶硅、非晶硅、SiGe的电极并形成电子器件结构。

公开(公告)号：CN1695254A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN03808462.7

申请日：2003-04-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高木刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/802

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其包括：在半导体基板10上隔着栅极绝缘膜11形成下部栅电极膜的工序；在下部栅电极膜上形成由比下部栅电极膜氧化速度慢的材料构成的上部栅电极膜的工序；对上部栅电极膜及下部栅电极膜进行图案化处理、形成具有下部栅电极12a及上部栅电极12b的栅电极12的工序；向半导体基板10中导入杂质、形成源－漏极区域15的工序；对下部栅电极12a及上部栅电极12b的侧面进行氧化、形成下部栅电极12a侧方的栅极长方向的厚度比上部栅电极12b的侧方的栅极长方向的厚度大的氧化膜侧壁13的工序。

公开(公告)号：CN1665024A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510051737.7

申请日：2005-03-01

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 益冈有里 ,  君塚直彦

IPC: H01L23/485 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在包括半导体衬底(10；56)的半导体器件中，在半导体衬底上提供至少一个电极结构(34，36；72，74)。将电极结构构造成多层电极结构，其包括形成在半导体衬底表面上并由所显现的介电常数大于二氧化硅的介电材料构成的绝缘层(34A，36A；72A，74A)、形成在绝缘层上并由多晶硅构成的下电极层(34B，36B；72B，74B)、和形成在下电极层上并由多晶硅构成的上电极层(34C，36C；72C，72D)。下电极层的特征在于，其多晶硅的平均晶粒尺寸大于上电极层多晶硅的平均晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN1628388A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN01814472.1

申请日：2001-07-18

Applicant: 自由度半导体公司

Inventor： 斯里坎斯·B.·萨马佛弗达姆 ,  飞利浦·J.·托斌 ,  小威廉·J.·泰勒

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/28 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/49 ,  H01L21/2807 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件(10)具有覆盖绝缘层(14)的导体，并且具有第一导电部分(20)、第二导电部分(30)以及第三导电部分(40)。第二导电部分(30)位于第一(20)和第三导电部分(40)之间。第一导电部分(20)具有第一元素，并且第三导电部分(40)包括一种金属和硅，而没有大量的第一元素。该导体可以是一个栅极或电容电极。

公开(公告)号：CN108598002A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810461527.2

申请日：2018-05-15

Applicant: 长江存储科技有限责任公司

Inventor： 杜在凯 ,  周文斌 ,  张磊

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66568 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7838

Abstract: 本发明提供一种能有效防止GOI hump现象的MOS晶体管及其制造方法。包括：在衬底表面形成沿远离衬底的方向依次包括第一氧化层和栅极层的栅极材料层的步骤；在栅极材料层上定义栅极区和非栅极区的步骤；利用第一蚀刻工艺对所述非栅极区的栅极材料层进行蚀刻、以形成第一栅极结构的步骤；以及利用第二蚀刻工艺去除第一栅极结构中的第一氧化层的侧壁材料、使第一栅极结构中的第一氧化层位于栅极区内、且在沿与衬底平行的方向形成凹槽、以形成第二栅极结构的步骤。

公开(公告)号：CN103839797A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310086224.4

申请日：2013-03-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  上海联星电子有限公司 ,  江苏中科君芯科技有限公司

Inventor： 胡爱斌 ,  朱阳军 ,  赵佳 ,  吴振兴 ,  卢烁今

IPC: H01L21/283

CPC classification number: H01L21/2807 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明公开了一种IGBT短路集电极结构的制备方法，属于功率半导体器件。该方法为：在所IGBT结构的正面形成栅极结构和源极结构后，将N-型衬底的背面减薄，并在N-型衬底的背面淀积一层掩蔽层；依次刻蚀部分掩蔽层和N-型衬底，并在N-型衬底的背面形成凹槽；在掩蔽层上和凹槽内淀积薄膜层，薄膜层的材料为锗，锗的厚度大于所述凹槽的深度；刻蚀掉掩蔽层上的所述薄膜层，经平坦后，依次通过离子注入和高温退火，在掩蔽层上刻蚀孔，并淀积金属，然后形成集电极。本发明在器件特性上，可以降低IGBT的导通电压和关断时间，并优化其导通和关断的折中特性；在制备工艺上，可以在较低温度下完全激活杂质，从而易于工艺的控制。

公开(公告)号：CN100477113C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN02803991.2

申请日：2002-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: 一种采用SiO2膜及SiON膜作为具有极薄(例如2.5nm以下)膜厚的绝缘膜、采用多晶硅、非晶硅、SiGe作为电极的具有良好电气特性的电子器件(例如高性能MOS型半导体器件)结构的制造方法。在包含氧以及稀有气体的处理气体的存在下，通过由平面天线部件SPA在使以Si为主要成分的晶片W上照射微波，形成包含氧以及稀有气体的等离子体(或者包含氮以及稀有气体的等离子体、或者包含氮、稀有气体以及氢的等离子体)。利用此等离子体在所述晶片表面形成氧化膜(或者氮氧化膜)，根据需要形成多晶硅、非晶硅、SiGe的电极并形成电子器件结构。

公开(公告)号：CN1864275A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480029021.0

申请日：2004-06-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈佳 ,  凯文·K·钱 ,  黄诗芬 ,  埃德华·J·诺瓦克

IPC: H01L31/119

CPC classification number: H01L21/2807 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管器件的多层栅极电极堆叠结构，其形成在栅极电介质(43)上硅纳米晶体籽晶层(41)上。硅纳米晶体层的小晶粒尺寸允许利用原位快速热化学气相沉积(RTCVD)的均匀且连续的多晶SiGe层(45)的沉积，具有达到至少70％的[Ge]。在氧环境中在快速降低的温度沉积腔的原位净化导致3至4A厚的薄SiO2或SixGeyOz界面层(47)。薄SiO2或SixGeyOz界面层足够薄且不连续从而提供对栅极电流的很小的电阻，但具有足够的[O]从而在热处理期间有效阻挡向上的Ge扩散，因此允许随后沉积的钴层的硅化。该栅极电极堆叠结构用于nFET和pFET两者。