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公开(公告)号：CN1930668A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200480015099.7
申请日：2004-05-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02112 , H01L21/0234 , H01L21/28176 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L29/518 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种改善由MOSFET的栅极绝缘膜或存储设备中的电容的电极间绝缘膜所含有的碳、低氧化物(suboxide)、悬挂键(danglingbond)等引起的特性恶化，提高绝缘膜的特性的方法。对绝缘膜实施将基于含有稀有气体的处理气体的等离子体的等离子体处理和热退火处理组合的改性处理。
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公开(公告)号：CN1489784A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN02804154.2
申请日：2002-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/402 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L21/3105 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31658 , H01L21/31662 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 一种具有优良电气特性的绝缘层或半导体层的高质量MOS型半导体等的电子器件材料的制造方法。包括在以单晶硅为主要成分的被处理基体上实施CVD处理形成绝缘膜的工序，以及将所述被处理基体暴露在通过具有多个缝隙的平面天线部件(SPA)对处理气体辐射微波而生成的等离子体中，并使用此等离子体将所述绝缘膜改性的工序。
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公开(公告)号：CN101752244A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253426.7
申请日：2002-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/3105 , H01L21/8247 , H01L21/28 , C23C16/56 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/402 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L21/3105 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31658 , H01L21/31662 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。
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公开(公告)号：CN1967787A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610162324.0
申请日：2003-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/28 , H01L29/51
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/31604 , H01L21/31645 , H01L21/31662 , H01L28/56 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。
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公开(公告)号：CN100585814C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510068210.5
申请日：2002-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/402 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L21/3105 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31658 , H01L21/31662 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100561684C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200610162324.0
申请日：2003-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/28 , H01L29/51
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/31604 , H01L21/31645 , H01L21/31662 , H01L28/56 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。
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公开(公告)号：CN1691290A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510068210.5
申请日：2002-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/402 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L21/3105 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31658 , H01L21/31662 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101752244B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200910253426.7
申请日：2002-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/3105 , H01L21/8247 , H01L21/28 , C23C16/56 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/402 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L21/3105 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31658 , H01L21/31662 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。
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公开(公告)号：CN100477113C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN02803991.2
申请日：2002-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C8/02 , C23C8/34 , C23C8/36 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/2807 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/31662 , H01L21/32055
Abstract: 一种采用SiO2膜及SiON膜作为具有极薄(例如2.5nm以下)膜厚的绝缘膜、采用多晶硅、非晶硅、SiGe作为电极的具有良好电气特性的电子器件(例如高性能MOS型半导体器件)结构的制造方法。在包含氧以及稀有气体的处理气体的存在下，通过由平面天线部件SPA在使以Si为主要成分的晶片W上照射微波，形成包含氧以及稀有气体的等离子体(或者包含氮以及稀有气体的等离子体、或者包含氮、稀有气体以及氢的等离子体)。利用此等离子体在所述晶片表面形成氧化膜(或者氮氧化膜)，根据需要形成多晶硅、非晶硅、SiGe的电极并形成电子器件结构。
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公开(公告)号：CN100347832C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN02804154.2
申请日：2002-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/402 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L21/3105 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31658 , H01L21/31662 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 一种具有优良电气特性的绝缘层或半导体层的高质量MOS型半导体等的电子器件材料的制造方法。包括在以单晶硅为主要成分的被处理基体上实施CVD处理形成绝缘膜的工序，以及将所述被处理基体暴露在通过具有多个缝隙的平面天线部件(SPA)对处理气体辐射微波而生成的等离子体中，并使用此等离子体将所述绝缘膜改性的工序。
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