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公开(公告)号：CN100585814C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510068210.5
申请日：2002-01-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/402 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L21/3105 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31658 , H01L21/31662 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。
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公开(公告)号：CN100561684C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200610162324.0
申请日：2003-03-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/28 , H01L29/51
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/31604 , H01L21/31645 , H01L21/31662 , H01L28/56 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要： 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。
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公开(公告)号：CN1691290A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510068210.5
申请日：2002-01-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/402 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L21/3105 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31658 , H01L21/31662 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101752244A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253426.7
申请日：2002-01-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/3105 , H01L21/8247 , H01L21/28 , C23C16/56 , C23C16/40
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/402 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L21/3105 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31658 , H01L21/31662 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。
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公开(公告)号：CN100373560C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN03813333.4
申请日：2003-03-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/318 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28167 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/31662 , H01L29/518 , H01L29/7833
摘要： 一种基板处理方法，通过微波等离子体氮化处理氮化在硅基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，可避免损伤氧氮化膜，抑制硅基板和氧氮化膜的界面处的氧化膜的再生长，使氧化膜换算膜厚减少。所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：将所述微波激励等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。
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公开(公告)号：CN100365796C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN02815546.7
申请日：2002-08-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76834 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/3105 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76831
摘要： 通过蚀刻，形成穿过由多孔硅氧化膜构成的第二绝缘层(13)和第三绝缘层(14)而成为连接孔(21)的一部分的孔。另外，采用第二阻挡膜(20)，通过蚀刻，在第三绝缘层(14)上形成第二槽(23)。另外，在连接孔(21)和第二槽(23)的侧壁上，采用RLSA型的等离子体处理装置，进行硅氧化膜的直接氮化处理，形成由SiN膜构成的屏障层(25)。在这里，第二阻挡膜(20)也通过与屏障层(25)相同的直接氮化处理而形成。
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公开(公告)号：CN1967787A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610162324.0
申请日：2003-03-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/28 , H01L29/51
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/31604 , H01L21/31645 , H01L21/31662 , H01L28/56 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要： 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。
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公开(公告)号：CN101266928A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810001745.4
申请日：2003-03-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/3105 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28167 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/31662 , H01L29/518 , H01L29/7833
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和基板处理方法，该基板处理方法的特征在于：氮化在基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，该方法包括：氮化处理工序，通过等离子体激励稀有气体和氮气，生成氮原子团或者氮离子，利用所述氮原子团或者氮离子来氮化所述氧化膜，所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：在100℃～500℃的基板温度，将所述等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持有所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。
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公开(公告)号：CN1930668A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200480015099.7
申请日：2004-05-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02112 , H01L21/0234 , H01L21/28176 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L29/518 , H01L29/78
摘要： 本发明提供一种改善由MOSFET的栅极绝缘膜或存储设备中的电容的电极间绝缘膜所含有的碳、低氧化物(suboxide)、悬挂键(danglingbond)等引起的特性恶化，提高绝缘膜的特性的方法。对绝缘膜实施将基于含有稀有气体的处理气体的等离子体的等离子体处理和热退火处理组合的改性处理。
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公开(公告)号：CN1539165A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN02815546.7
申请日：2002-08-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76834 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/3105 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76831
摘要： 通过蚀刻，形成穿过由多孔硅氧化膜构成的第二绝缘层(13)和第三绝缘层(14)而成为连接孔(21)的一部分的孔。另外，采用第二阻挡膜(20)，通过蚀刻，在第三绝缘层(14)上形成第二槽(23)。另外，在连接孔(21)和第二槽(23)的侧壁上，采用RLSA型的等离子体处理装置，进行硅氧化膜的直接氮化处理，形成由SiN膜构成的屏障层(25)。在这里，第二阻挡膜(20)也通过与屏障层(25)相同的直接氮化处理而形成。
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