电子器件材料的制造方法

Invention Grant

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Patent Title: 电子器件材料的制造方法
Patent Title (English): Method for producing material of electronic device
Application No.: CN02803991.2

Application Date: 2002-01-22
Publication No.: CN100477113C

Publication Date: 2009-04-08
Inventor: 菅原卓也 , 中西敏雄 , 尾﨑成则 , 松山征嗣 , 村川惠美 , 多田吉秀
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Applicant Address: 日本东京都
Assignee: 东京毅力科创株式会社
Current Assignee: 东京毅力科创株式会社
Current Assignee Address: 日本东京都
Agency: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
Agent 陆锦华
Priority: 12917/2001 2001.01.22 JP
International Application: PCT/JP2002/000439 2002.01.22
International Announcement: WO2002/058130 JA 2002.07.25
Date entered country: 2003-07-22
Main IPC: H01L21/316
IPC: H01L21/316 ; H01L21/318 ; H01L21/31

Abstract:

一种采用SiO2膜及SiON膜作为具有极薄(例如2.5nm以下)膜厚的绝缘膜、采用多晶硅、非晶硅、SiGe作为电极的具有良好电气特性的电子器件(例如高性能MOS型半导体器件)结构的制造方法。在包含氧以及稀有气体的处理气体的存在下，通过由平面天线部件SPA在使以Si为主要成分的晶片W上照射微波，形成包含氧以及稀有气体的等离子体(或者包含氮以及稀有气体的等离子体、或者包含氮、稀有气体以及氢的等离子体)。利用此等离子体在所述晶片表面形成氧化膜(或者氮氧化膜)，根据需要形成多晶硅、非晶硅、SiGe的电极并形成电子器件结构。

Public/Granted literature

CN1860596A 电子器件材料的制造方法 Public/Granted day:2006-11-08

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314	......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316	.......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层