Invention Publication
CN1628388A 半导体器件及其形成方法
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- Patent Title: 半导体器件及其形成方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and a process for forming the same
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Application No.: CN01814472.1Application Date: 2001-07-18
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Publication No.: CN1628388APublication Date: 2005-06-15
- Inventor: 斯里坎斯·B.·萨马佛弗达姆 , 飞利浦·J.·托斌 , 小威廉·J.·泰勒
- Applicant: 自由度半导体公司
- Applicant Address: 美国得克萨斯
- Assignee: 自由度半导体公司
- Current Assignee: 自由度半导体公司
- Current Assignee Address: 美国得克萨斯
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 朱海波
- Priority: 09/621,804 2000.07.21 US
- International Application: PCT/US2001/022660 2001.07.18
- International Announcement: WO2002/009178 EN 2002.01.31
- Date entered country: 2003-02-21
- Main IPC: H01L29/49
- IPC: H01L29/49 ; H01L21/28 ; H01L29/94
Abstract:
一种半导体器件(10)具有覆盖绝缘层(14)的导体，并且具有第一导电部分(20)、第二导电部分(30)以及第三导电部分(40)。第二导电部分(30)位于第一(20)和第三导电部分(40)之间。第一导电部分(20)具有第一元素，并且第三导电部分(40)包括一种金属和硅，而没有大量的第一元素。该导体可以是一个栅极或电容电极。
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IPC分类:
