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公开(公告)号：CN113252569A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110080796.6
申请日：2021-01-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01N21/17 , G01N21/3504 , G01N21/01 , G01N21/15
Abstract: 实施例公开了具有玻璃盖的红外发射器。一种具有用于发射红外辐射的玻璃盖的红外发射器，包括包围空腔的封装件和被配置用于发射红外辐射的加热结构，其中第一部分对于红外辐射是透明的，并且第二部分包括玻璃材料，加热结构布置被在封装件的第一部分与第二部分之间的空腔中。
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公开(公告)号：CN108449702A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810151536.1
申请日：2018-02-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·沃瑟 , C·阿伦斯 , A·德厄 , G·梅茨格-布吕克尔 , J·斯特拉塞
IPC: H04R19/04
Abstract: 微型机电麦克风可以包括：参考电极，布置在所述参考电极的第一侧并且能够通过待检测的声音移动的第一膜，以及布置在与参考电极的第一侧相对的所述参考电极的第二侧上并且能够通过待检测的声音移动的第二膜。第一膜和第二膜中的一个的、通过声音相对于参考电极移动的区域，不取决于其相对于参考电极的位置，该区域可以包括平坦部分以及邻近该平坦部分并且在膜的与第一膜和第二膜中另一个的重叠区域中布置的波纹部分。
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公开(公告)号：CN104425483A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410425941.X
申请日：2014-08-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L21/288 , H01L21/7685 , H01L21/78 , H01L21/784 , H01L23/4827 , H01L23/495 , H01L23/522 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/98 , H01L2223/5446 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05647 , H01L2224/0569 , H01L2224/2746 , H01L2224/2747 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2916 , H01L2224/29164 , H01L2224/29166 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1032 , H01L2924/10329 , H01L2924/10335 , H01L2924/10337 , H01L2924/1037 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2224/27 , H01L2924/0781 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了用于制造半导体器件的方法和半导体器件。根据各种实施例，一种用于制造半导体器件的方法可以包括：提供半导体工件，该半导体工件包括在半导体工件的第一侧的器件区域，其中半导体工件的机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺，并且在半导体工件的与半导体工件的第一侧相对的第二侧之上沉积至少一个传导层，其中至少一个传导层增加半导体工件的机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺。
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公开(公告)号：CN113912001A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110777581.X
申请日：2021-07-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及用于玻璃上传感器的方法和结构。用于在衬底上提供半导体层布置的方法包括：提供具有功能层和半导体衬底层的半导体层布置；将半导体层布置附接到玻璃衬底层，使得功能层被布置在玻璃衬底层与半导体衬底层之间；以及至少部分地去除半导体衬底层，使得玻璃衬底层代替作为半导体层布置的衬底的半导体衬底层。
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公开(公告)号：CN112420817A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010849467.9
申请日：2020-08-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/20 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 公开了半导体器件和方法。提供了一种半导体器件，其包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的复合层。复合层包括台面和第一绝缘层。台面具有顶表面、底表面和侧面，侧面嵌入在第一绝缘层中。台面包括基于III族氮化物的多层结构，基于III族氮化物的多层结构提供基于III族氮化物的器件，基于III族氮化物的器件具有被布置在台面的顶表面上的第一电极和第二电极，并且第一绝缘层由氧化物材料和/或氮化物材料形成。第一外部接触和第二外部接触定位在复合层的第二表面上。第一导电通孔延伸通过第一绝缘层并且被电耦合到台面的顶表面上的第一电极和第一外部接触。第二导电通孔延伸通过第一绝缘层并且被电耦合到台面的顶表面上的第二电极和第二外部接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108449702B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810151536.1
申请日：2018-02-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·沃瑟 , C·阿伦斯 , A·德厄 , G·梅茨格-布吕克尔 , J·斯特拉塞
IPC: H04R19/04
Abstract: 微型机电麦克风可以包括：参考电极，布置在所述参考电极的第一侧并且能够通过待检测的声音移动的第一膜，以及布置在与参考电极的第一侧相对的所述参考电极的第二侧上并且能够通过待检测的声音移动的第二膜。第一膜和第二膜中的一个的、通过声音相对于参考电极移动的区域，不取决于其相对于参考电极的位置，该区域可以包括平坦部分以及邻近该平坦部分并且在膜的与第一膜和第二膜中另一个的重叠区域中布置的波纹部分。
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公开(公告)号：CN105552071A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510689354.6
申请日：2015-10-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/6835 , H01L22/20 , H01L23/3121 , H01L23/5222 , H01L23/552 , H01L23/642 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2924/1421
Abstract: 本公开的实施例涉及在隔离材料上使用RF电路的系统和方法。公开了一种器件，其包括晶片/芯片、第一层、第一器件、隔离模具和第二器件。该第一层形成于该芯片之上并且具有非隔离特性。该第一器件形成于该第一层之上。在一个示例中，其仅形成于该第一层之上。该隔离模具形成于该芯片之上。该隔离模具具有隔离特性。该第二器件实质上形成于该隔离模具之上。
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公开(公告)号：CN105552071B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201510689354.6
申请日：2015-10-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及在隔离材料上使用RF电路的系统和方法。公开了一种器件，其包括晶片/芯片、第一层、第一器件、隔离模具和第二器件。该第一层形成于该芯片之上并且具有非隔离特性。该第一器件形成于该第一层之上。在一个示例中，其仅形成于该第一层之上。该隔离模具形成于该芯片之上。该隔离模具具有隔离特性。该第二器件实质上形成于该隔离模具之上。
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公开(公告)号：CN108696263A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810301958.2
申请日：2018-04-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03H9/02 , H03H9/205 , H01L41/277 , H01L41/083
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/175 , H03H9/205 , H03H9/584 , H03H9/589 , H03H2003/025 , H03H2009/02188 , H03H9/02015 , H01L41/083 , H01L41/277 , H03H9/02086 , H03H2009/02165
Abstract: 本公开描述了用于制造谐振器结构的方法和对应的谐振器结构。包括第一压电材料的第一晶片(40)被单颗化并被键合到第二晶片(45)。
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公开(公告)号：CN107958878A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710963085.7
申请日：2017-10-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/485
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/6835 , H01L23/5222 , H01L23/645 , H01L25/112 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/11002 , H01L2224/13082 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/94 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1423 , H01L2924/1431 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L23/13 , H01L23/485
Abstract: 涉及一种HF组件，具有块体半导体衬底，该块体半导体衬底具有至少一个集成的HF构件，其被集成在块体半导体衬底的第一主表面区域的块体半导体衬底中，其中，所述块体半导体衬底还包括第二主表面区域和侧面区域，HF组件还具有绝缘体结构，其包围块体半导体衬底的侧面区域，其中所述绝缘体结构还包括第一和第二相对主表面区域。HF组件还具有布线层堆叠，其具有至少一种嵌入在绝缘材料中、结构化的金属化层，其被布置在所述的块体半导体衬底和与其相邻的绝缘体结构的第一主表面区域上，以及HF组件还具有在绝缘体结构的第二主表面处的载体结构，其中该载体结构和绝缘体结构具有不同的材料。
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