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公开(公告)号：CN105552071A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510689354.6
申请日：2015-10-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/6835 , H01L22/20 , H01L23/3121 , H01L23/5222 , H01L23/552 , H01L23/642 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2924/1421
Abstract: 本公开的实施例涉及在隔离材料上使用RF电路的系统和方法。公开了一种器件，其包括晶片/芯片、第一层、第一器件、隔离模具和第二器件。该第一层形成于该芯片之上并且具有非隔离特性。该第一器件形成于该第一层之上。在一个示例中，其仅形成于该第一层之上。该隔离模具形成于该芯片之上。该隔离模具具有隔离特性。该第二器件实质上形成于该隔离模具之上。
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公开(公告)号：CN105552071B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201510689354.6
申请日：2015-10-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及在隔离材料上使用RF电路的系统和方法。公开了一种器件，其包括晶片/芯片、第一层、第一器件、隔离模具和第二器件。该第一层形成于该芯片之上并且具有非隔离特性。该第一器件形成于该第一层之上。在一个示例中，其仅形成于该第一层之上。该隔离模具形成于该芯片之上。该隔离模具具有隔离特性。该第二器件实质上形成于该隔离模具之上。
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公开(公告)号：CN113539983B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110434586.2
申请日：2021-04-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 公开了具有在电介质层上的具有带有有源区域的低欧姆部分和高欧姆部分的半导体管芯的电子组件。一种电子组件(100)，包括模制层(102)和半导体管芯(104)，半导体管芯(104)包括低欧姆的第一部分(142)和高欧姆的第二部分(144)，其中第一部分(142)具有有源区域(140)，并且第二部分(144)被布置在模制层(102)上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107769742B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201710703215.3
申请日：2017-08-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种集成电路(200)包括衬底、放大器‑MOSFET(100)和偏压端子。偏压端子设置用于产生衬底与放大器‑MOSFET(100)的至少一个负载端子的电势差。衬底的电阻率不小于0.3kOhm cm，所述电势差是‑3V或者更负。由此可以在实例中实现特别是用于高频信号的具有低的信号噪声的放大器。
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公开(公告)号：CN106130527B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610293867.X
申请日：2016-05-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03K17/693
CPC classification number: H03K17/693
Abstract: 本公开涉及用于驱动射频开关的系统和方法。根据实施例，一种射频(RF)开关电路，包括：包含负载路径和控制节点的多个串联连接的RF开关单元；耦合在相邻RF开关单元的控制节点之间的多个第一栅极电阻器；以及具有耦合至多个RF开关单元之一的控制节点的第一端以及被配置成开关驱动器的输出的第二端的输入电阻器。多个串联连接的RF开关单元中的每一个均包括开关晶体管。
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公开(公告)号：CN113539983A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110434586.2
申请日：2021-04-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 公开了具有在电介质层上的具有带有有源区域的低欧姆部分和高欧姆部分的半导体管芯的电子组件。一种电子组件(100)，包括模制层(102)和半导体管芯(104)，半导体管芯(104)包括低欧姆的第一部分(142)和高欧姆的第二部分(144)，其中第一部分(142)具有有源区域(140)，并且第二部分(144)被布置在模制层(102)上。
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公开(公告)号：CN107769742A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710703215.3
申请日：2017-08-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种集成电路(200)包括衬底、放大器-MOSFET(100)和偏压端子。偏压端子设置用于产生衬底与放大器-MOSFET(100)的至少一个负载端子的电势差。衬底的电阻率不小于0.3kOhm cm，所述电势差是-3V或者更负。由此可以在实例中实现特别是用于高频信号的具有低的信号噪声的放大器。
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公开(公告)号：CN106130527A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610293867.X
申请日：2016-05-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03K17/693
CPC classification number: H03K17/693
Abstract: 本公开涉及用于驱动射频开关的系统和方法。根据实施例，一种射频(RF)开关电路，包括：包含负载路径和控制节点的多个串联连接的RF开关单元；耦合在相邻RF开关单元的控制节点之间的多个第一栅极电阻器；以及具有耦合至多个RF开关单元之一的控制节点的第一端以及被配置成开关驱动器的输出的第二端的输入电阻器。多个串联连接的RF开关单元中的每一个均包括开关晶体管。
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