公开(公告)号：CN104952823B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201510133448.5

申请日：2015-03-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·戴特尔 ,  A·施门 ,  D·佐杰卡

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/4554

Abstract: 依照本发明的实施例，半导体封装包括裸片焊盘和被布置在该裸片焊盘上的保护器件。保护器件包括布置在衬底中的第一热产生区。第一热产生去被布置在朝向该裸片焊盘的第一侧面。在该第一热产生区处的焊接层连接保护器件与裸片焊盘。

公开(公告)号：CN104425483A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410425941.X

申请日：2014-08-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·费舍尔 ,  C·阿伦斯 ,  D·佐杰卡 ,  A·施门

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L21/288 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/78 ,  H01L21/784 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/495 ,  H01L23/522 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/98 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10337 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了用于制造半导体器件的方法和半导体器件。根据各种实施例，一种用于制造半导体器件的方法可以包括：提供半导体工件，该半导体工件包括在半导体工件的第一侧的器件区域，其中半导体工件的机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺，并且在半导体工件的与半导体工件的第一侧相对的第二侧之上沉积至少一个传导层，其中至少一个传导层增加半导体工件的机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺。

公开(公告)号：CN106057796A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610225787.0

申请日：2016-04-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： V·V·温特 ,  A·施门 ,  D·佐杰卡 ,  J·威勒门

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

Abstract: 本申请涉及具有触发器器件的保护器件及其形成方法。半导体器件包括具有晶闸管的垂直保护器件和布置在衬底中的横向触发器元件。所述横向触发器元件用于触发所述垂直保护器件。

公开(公告)号：CN104952823A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510133448.5

申请日：2015-03-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·戴特尔 ,  A·施门 ,  D·佐杰卡

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/4554

Abstract: 依照本发明的实施例，半导体封装包括裸片焊盘和被布置在该裸片焊盘上的保护器件。保护器件包括布置在衬底中的第一热产生区。第一热产生去被布置在朝向该裸片焊盘的第一侧面。在该第一热产生区处的焊接层连接保护器件与裸片焊盘。

公开(公告)号：CN105633073B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201510824114.2

申请日：2015-11-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·施门 ,  D·佐杰卡

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60 ,  H01L21/822

Abstract: 本申请涉及竖直集成的半导体器件和制造方法。根据各种实施例的竖直集成的半导体器件可以包括：第一半传导层；第二半传导层，被布置在所述第一半传导层之上；第三半传导层，被布置在所述第二半传导层之上；以及电旁路，被耦合在所述第一半传导层与所述第二半传导层之间。

公开(公告)号：CN106057796B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201610225787.0

申请日：2016-04-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： V·V·温特 ,  A·施门 ,  D·佐杰卡 ,  J·威勒门

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

Abstract: 本申请涉及具有触发器器件的保护器件及其形成方法。半导体器件包括具有晶闸管的垂直保护器件和布置在衬底中的横向触发器元件。所述横向触发器元件用于触发所述垂直保护器件。

公开(公告)号：CN105633073A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510824114.2

申请日：2015-11-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·施门 ,  D·佐杰卡

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60 ,  H01L21/822

Abstract: 本申请涉及竖直集成的半导体器件和制造方法。根据各种实施例的竖直集成的半导体器件可以包括：第一半传导层；第二半传导层，被布置在所述第一半传导层之上；第三半传导层，被布置在所述第二半传导层之上；以及电旁路，被耦合在所述第一半传导层与所述第二半传导层之间。