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公开(公告)号：CN114858286B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202210382635.7
申请日：2022-04-13
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 , 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种确定长晶过程中生长界面形状的制备系统及生产方法，检测机构包括内嵌槽和固环，内嵌槽开设在上炉筒的内壁，内嵌槽的内表面与固环的外表面固定连接，本发明涉及单晶生产技术领域。该确定长晶过程中生长界面形状的制备系统及生产方法，通过设置检测机构，首先通过设置多个红外热像仪，使得检测范围与上炉筒内部径长相同，适用于不同尺寸单晶棒的生长界面确认，其次红外热像仪通过单晶棒的热辐射形成热成像图，通过热成像图的尺寸可最终确认单晶棒的生长界面形状，通过上述结构的组合解决了单晶生长界面在长晶过程中受提拉速度和熔融体对流的影响，仅通过观测弯月面并不能完全确认最终的生长界面形状的问题。
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公开(公告)号：CN119779789A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411945206.1
申请日：2024-12-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体硅单晶缺陷检测技术领域，具体涉及一种简单快速检测硅单晶LDP缺陷密度的方法，将硝酸铜溶液涂抹至清洗后的所述硅单晶样片表面，并对其进行高温热处理第一预设时长，使用混酸溶液对冷却后的所述硅单晶样片腐蚀第二预设时长，使用去离子水洗去所述硅单晶样片表面残留的所述混酸溶液，并将其放置于择优腐蚀液中择优腐蚀第三预设时长，再使用去离子水将所述硅单晶样片表面的择优腐蚀液清洗干净，使得具有缺陷的硅单晶样片的表面呈现出清晰且边缘规整的中心聚集环或半径环，若具有LDP缺陷，通过中心聚集环或半径环的环宽计算LDP缺陷密度，提高硅单晶LDP缺陷密度检测的准确性。
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公开(公告)号：CN119736706A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411987147.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种控制重掺单晶电阻率下降幅度的方法，涉及重掺拉晶技术领域，拉晶过程中，在固化率之后，通过拉速、压力、氩气共同调节，以拉制电阻率位于低电阻以下时，要求电阻率下降幅度≤0.4mΩ的晶棒；其中：拉速保持不变，单位压力变化幅度在5Kpa/100mm‑30Kpa/100mm，单位氩气变化幅度在10slm/100mm‑40slm/100mm之间，由于目前工艺无法直接得到头部电阻为低电阻故通过在一定固化率后，当晶棒电阻率达到低电阻时，通过拉速、压力、氩气共同调节，使得合格率提高，同时稳定性得到提升，标准差降低（N=10）。
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公开(公告)号：CN119392350A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411502419.7
申请日：2024-10-25
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种降低直拉单晶氧含量的系统及其方法，在化料后，单晶炉内的大部分气体通过进气件分布至气体收集腔内，气体收集腔内的气体能够通过排气件排出，通过石英排气系统，可以有效的控制单晶炉内的气体流出速度，从而控制Oi的挥发速率，增加真空泵排气能力，能够带走更多的挥发O元素，阻止O元素流入固液界面前沿，最终降低O含量，将单晶硅棒中的氧含量稳定的控制在低于5 ppma以下，且在控制O含量的同时，气体收集腔在收集气体的同时，能够通过气体流动，带走隔热组件上半部分表面吸收的辐射热和流体流经带来的热量，提供更优秀的温度场，从而控制晶棒中缺陷的形核与长大。
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公开(公告)号：CN119243323A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411381456.7
申请日：2024-09-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于提高重掺面内电阻均匀性的拉晶方法，涉及重掺单晶拉晶方法技术领域，包括依次进行的掺杂步骤、氧化步骤、试温步骤，在所述掺杂步骤与所述试温步骤之间增加氧化步骤，通过在掺杂结束后，在预定坩埚转速、预定氩气流量、预定炉压下氧化预定时间，一方面，掺杂剂挥发量最小进而掺杂剂最大程度进入熔汤表面，进而保证电阻率要求；另一方面，改善熔汤对流，使得熔汤上表面的掺杂剂进入熔汤中后能够充分得到“搅拌”进而杂质在熔汤内分布均匀，使得放肩NG率降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119160507A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411353387.9
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种便于储存运送的晶锭盛放装置，包括盛放箱、以及设于盛放箱内的晶锭料盒；晶锭料盒包括盒体，盒体的顶部表面开设有两个轴线平行的弧形凹槽，弧形凹槽的两个端部设置有与弧形凹槽同心布设的弧形阻挡部，弧形凹槽的内部设有直径小于弧形凹槽且同心布设的弧形支撑部；弧形支撑部将弧形凹槽隔成多个放置槽；盒体的底部表面上开设有正对弧形凹槽的盛放孔。还提供了一种晶锭储存方法。本发明采用双面内衬的晶锭料盒，能够根据需要，针对长短不一的晶锭进行存储，以避免搬运中存在的崩边以及货物之间的撞击。
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公开(公告)号：CN119075645A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411381712.2
申请日：2024-09-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及废气处理技术领域，尤其涉及一种硅片酸洗废气处理装置及废气处理方法，该硅片酸洗废气处理装置中设有碱洗组件、第一净化组件、氧化组件、第二净化组件、冷却组件及存储组件，碱洗组件的入料端用于抽取硅片酸洗废气，出料端与第一净化组件的入料端连接，第一净化组件的出料端与氧化组件的入料端连接，氧化组件的出料端与第二净化组件的入料端连接，冷却组件安装在第一净化组件和氧化组件间的连接管路上，存储组件与第一净化组件和氧化组件间的连接管路连接；如此，通过冷却组件将大量的二氧化氮气体冷凝为二氧化氮液体，通过存储组件存储二氧化氮液体，以降低需要反应的二氧化氮气体总量，防止部分来不及反应的二氧化氮气体逃逸至大气中造成污染。
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公开(公告)号：CN118952488A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411380914.5
申请日：2024-09-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低多线切割机金刚线断线率的方法，涉及多线切割机的技术领域，在切割前，在待切割晶锭的底部粘接导向件，通过预定金刚线速度曲线进行晶锭切割；在切割时，金刚线先按照预定位置进入导向件内，防止金刚线因受阻力大发生滑移，一方面防止金刚线入刀位置产生偏差导致硅片入刀翘曲，另一方面通过导向条降低金刚线的振动，使得金刚线从导向条进入晶锭时相对位置被固定，金刚线与晶锭进行点点接触，减少接触面积，避免产生线弓，进而金刚线张力变化小，金刚线断线率降低。
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公开(公告)号：CN118422317A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410661172.7
申请日：2024-05-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高掺硼高拉速单晶硅氧含量的热场装置及拉晶方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，所述热屏位于所述坩埚上方，所述提升环位于所述支撑环的上方，所述支撑环位于所述断热材部上，所述热屏的上部与所述提升环连接，所述提升环与所述热屏绳可拆卸连接，所述支撑环镶嵌在所述断热材部上，所述提升环与所述支撑环存在预定间距，进而使氩气能从提升环与支撑环的间隙进入，在炉内形成循环，有助于石英坩埚中的SiO中的氧原子进入晶棒，以提高高拉速晶棒的氧含量。
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公开(公告)号：CN118219447A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410528159.4
申请日：2024-04-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶棒切割的砂浆更换方法及砂浆更换装置，属于单晶硅技术领域，包括：采用游离磨料线切割技术对晶棒进行切割，并在切割过程中持续更换砂浆；根据晶棒被切割的硅粉量以及碳化硅切割后的破碎量确定砂浆的更换量。本发明通过根据晶棒被切割的硅粉量以及碳化硅切割后的破碎量确定砂浆的更换量，并在切割过程中持续更换砂浆，将受到破碎的碳化硅更换为新的碳化硅，使得碳化硅的粒度分布均匀，从而减少硅片表面的损伤层深度，降低硅片表面粗糙度，使得加工出的硅片质量缺陷明显降低，提高了硅片的成品率。
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