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公开(公告)号：CN118528433A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410861663.6
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法，涉及多线切割技术领域，在多线切割的过程中，根据砂浆类型及晶锭切割深度控制夹紧装置的温度，减小切割晶锭热膨胀量，控制夹紧装置的在X轴、Y轴、ZY轴合成方向的位移，使得切割后得到的整批次硅片的proflie相同。
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公开(公告)号：CN117445210A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311443425.5
申请日：2023-11-01
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种改善硅片脏污的方法，属于砂浆线切片工艺技术领域，包括：根据每刀加工后砂浆罐内残留的硅粉含量，向砂浆罐内添加预定比例的有效分子添加剂，利用有效分子添加剂降低硅片表面附着的硅粉含量，以改善硅片脏污；所述有效分子添加剂包括聚乙二醇、二甲肼、丙二醇、乙醚、聚醚、活性剂。
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公开(公告)号：CN113119331B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202110447267.5
申请日：2021-04-25
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种通过改善 晶棒晶向偏离角改善硅片warp的方法，属于单晶硅切片技术领域。方法通过保持拉制单晶硅晶棒所用的成品籽晶的 晶向的偏离度为1.5°±0.5°改善单晶硅切片warp值及warp分布。在掏籽晶过程中，使得所制备的成品籽晶的 晶向具有一个1.5°±0.5°的偏离角，用该成品籽晶拉制的单晶硅晶棒在切片过程中，能够保持晶棒的旋转角的变化范围在±5°之间，摆角在1.5°附近，从而保证了多线切割过程中，切入点的旋转角的稳定，进而显著降低硅片的warp值，显著降低批次间的warp值波动，且有利于改善硅片的面方位精度。
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公开(公告)号：CN113211662A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110438977.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够改善切片warp值的单晶硅多线切割装置，属于半导体切片技术领域。该装置包括相对设置的两个切割线辊、砂浆流量分布检测组件及砂浆流量调节组件，砂浆流量分布检测组件设置在两个切割线辊之间，用于检测切割线网上的砂浆流量分布。砂浆流量调节组件设置于切割线辊上方，包括砂浆进料管件及设置于砂浆进料管件上的流量调节件，砂浆进料管件上开设有砂浆分布槽，流量调节件用于调节砂浆分布槽的槽宽。根据切割线网上的砂浆流量分布情况，调节砂浆进料流量，从而使得切割线网上的砂浆流量分布均匀，进而改善单晶硅切片的warp值，尤其是改善砂浆管道末端的切片的warp值，提高单晶硅切片合格率。
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公开(公告)号：CN119189082A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411501271.5
申请日：2024-10-25
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种立式晶棒截断机，包括支撑组件、夹持组件、切割组件，支撑组件包括支撑立板、支撑架，切割组件包括防崩边部、切割部，夹持组件位于支撑架、切割部的上方，支撑立板位于支撑架的上方，防崩边部位于支撑架内，切割部位于防崩边部的上方，夹持组件、防崩边部、切割部位于支撑立板的同一侧，夹持组件与支撑立板连接，支撑立板的底部与支撑架的顶部一端连接，防崩边部的底部与支撑架的底部连接，切割部与支撑架滑动连接，夹持组件与防崩边部同轴，晶棒被夹持组件竖直夹持，夹持组件竖直移动，使得晶棒的底部与防崩边部接触，晶棒与防崩边部相互施加反方向的力，使得被切割成晶锭或者硅片的部分受到支撑力，不会向下倾斜，表面平整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119017573A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411372329.0
申请日：2024-09-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种截断机截断精度控制方法，预先输入锯带厚度、分段晶棒长度或样片厚度的设定值；根据锯带实际厚度、分段晶棒长度或样片厚度输出实际晶锭截断长度或实际样片截断厚度；根据实际晶锭截断长度或实际样片截断厚度进行晶锭切割，得到截断晶锭或截断样片；对截断晶锭或截断样片进行长度或厚度测量，得到晶锭测量直径或样片测量厚度；根据晶锭测量直径或样片测量厚度、分段晶棒长度或样片厚度的设定值计算得到锯带磨耗量；根据锯带磨耗量、锯带厚度得到锯带实际厚度；根据锯带实际厚度重复上述S2~S6步骤截断晶锭或截断样片；如此截断晶锭或截断样片不会因锯带磨损量未知而导致输出实际晶锭截断长度或实际样片截断厚度偏大，使得精度提高。
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公开(公告)号：CN118422319A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410660934.1
申请日：2024-05-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高电阻率单晶材料的制备方法，涉及半导体材料制备和材料掺杂技术领域，包括以下步骤：步骤S1：制备至少一批高阻值母合金晶片；其中，每一个批母合金晶片中晶片的电阻率偏差均位于预设范围内，且各批母合金晶片的平均电阻率均不小于0.005Ω·cm；步骤S2：从制备出的各批母合金晶片中选择一批母合金晶片，并根据所选择的该批母合金晶片的平均电阻率计算拉制单晶材料所需的重量；步骤S3：按照计算出的母合金晶片的重量进行称取，并投入硅熔体中进行单晶材料拉制。本方案能够提高高电阻率单晶材料打靶电阻率的准确性，进而提高高电阻率单晶材料的成品率。
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公开(公告)号：CN118404725A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410636955.X
申请日：2024-05-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供改善 晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，涉及晶棒切片技术领域，先用X光机照射 晶向晶锭在X方向的晶向偏离度，根据X方向的测量值计算得到底轴转角，用X光机照射 晶向晶锭在Y方向的晶向偏离度，得到Y方向的测量值；将 晶向晶锭的旋转角固定为预定角度，根据旋转角、底轴转角、Y方向的测量值将 晶向晶锭粘接在可调式粘接台上，通过在可调式粘接台进行粘接，防止在粘接过程，因粘接剂未干导致的已调整好偏离角度的 晶向晶锭发生移动，使得粘接过程中晶向偏离度不会发生改变，在切割过程中，钢线在预定的切入点切入，钢线受阻力小，避免钢线受影响出现晃动，使得钢线切入方向不会发生偏离，切割精度提高。
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公开(公告)号：CN117740436A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311743933.5
申请日：2023-12-18
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G01N1/06
Abstract: 本发明提供一种半导体单晶晶棒检测样片的取样方法，涉及检测样片取样技术领域，首先将多个晶锭的端面进行面与面粘接、校正，得到晶棒，再将晶棒进行校正，得到校正晶棒，然后将校正晶棒粘接在树脂板上、固化，得到待切割晶棒，最后将待切割晶棒通过砂浆切片机进行切片，得到厚度小于1mm的样片；通过对晶棒进行校正，使得组成晶棒内的数个晶锭竖直向下，且晶棒的外圆修正、对齐，使得切出的样片无裂片、崩边，且样片厚度差（TTV）小于10mm。
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公开(公告)号：CN117304997A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311280833.3
申请日：2023-09-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种利用硅晶圆砂浆线切片废料制备固体燃料的方法及固体燃料，属于硅晶圆砂浆线切片废料利用技术领域；所述利用硅晶圆砂浆线切片废料制备固体燃料的方法，包括如下步骤：（1）在室温下将硅晶圆砂浆线切片废料与黏土混合均匀，得到混合物A；所述硅晶圆砂浆线切片废料为硅晶圆切片后的旧砂浆经压滤产生的固相压滤物；（2）将木屑与水加入到所述混合物A中，边加入边搅拌，使其充分融合，得到混合物B；（3）将所述混合物B采用模压法压紧成型，烘干，得到固体燃料。本发明充分利用了硅晶圆砂浆线切片中产生的废弃压滤物资源，制得的固体燃料具有燃烧效率高、污染小等优点。
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