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公开(公告)号：CN119663422A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411836536.7
申请日：2024-12-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善重掺N型单晶D‑swirl的拉晶方法及单晶晶棒，涉及重掺拉晶技术领域，采用预定热场进行晶棒拉制，且等径过程中包括第一等径工序、第二等径工序，所述第一等径工序采用第一预定拉速进行晶棒拉制；所述第二等径工序采用第二预定拉速进行晶棒拉制；所述第二预定拉速小于第一预定拉速，所述第二预定拉速与第一预定拉速的差值为0.05mm/min~0.2mm/min，所述第一预定拉速、第二预定拉速避免拉晶过程中生长界面收到熔体中的影响，且通过所述预定热场一方面平衡等径过程中拉速带来的温度梯度的变化，另一方面控制气流、温度的稳定，有助于提升单晶生长的均匀性和稳定性，以降低晶棒内的D字条纹，以提升器件正品率。
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公开(公告)号：CN119142400A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411372142.0
申请日：2024-09-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及晶棒制备设备技术领域，尤其涉及一种具备装卸功能的晶棒运输装置及运输方法，该具备装卸功能的晶棒运输装置中设有放置构件及装卸构件，放置构件用于放置需要运输的晶棒，装卸构件包括竖直调整组件、水平调整组件及夹具组件，竖直调整组件的固定端可旋转地安装在放置构件上，水平调整组件的固定端与竖直调整组件的伸缩端固定连接，夹具组件可滑动的安装在水平调整组件上，竖直调整组件及水平调整组件分别沿竖直方向和水平方向伸缩；如此，通过竖直调整组件及水平调整组件调整夹具组件的活动范围，使得夹具组件能够将需要运输的晶棒放置到放置构件上或从放置构件上将晶棒取下，从而提高晶棒的装卸速度，提升了晶棒的运输效率。
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公开(公告)号：CN118639313A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410854832.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善重掺砷D字条纹的拉晶方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，通过控制晶体的生长速率、固液界面的温度梯度及冷却速度，使得热传导沿着径向方向传输均匀，晶体生长过程中固液界面平坦，从而消除D字条纹，提升器件端的正品率。
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公开(公告)号：CN118621427A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410645465.6
申请日：2024-05-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种半导体生长炉晶棒取出设备及方法，包括两个夹持机构、两个夹持机构之间的连接柱、动力机构；夹持机构包括固定环、旋转环、夹紧部、传动部；固定环可允许晶棒穿过，旋转环套转动装于固定环外部，旋转环的内壁与固定环的外壁之间形成夹腔，夹紧部设于固定环内圆面处，传动部设于夹腔内，传动部的一端铰接于旋转环且另一端穿过固定盘并相接于夹紧部；动力机构的输出端分别对应的与两个夹持机构上的旋转环相连接，使动力机构能够带动两个夹持机构上的旋转环同步转动，实现两个夹持机构同时对晶棒的夹紧或释放。在取晶棒时，采用垂直提取方式，受晶棒重力作用，纵向提升力与晶棒轴线处于一条直线，晶棒重心更加稳定，可防止晶棒与单晶炉发生磕碰。
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公开(公告)号：CN118241304A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410373540.8
申请日：2024-03-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于重掺压力控制的装置及控制方法，属于拉晶电气控制技术领域，一方面，不再通过APC阀进行控制，而是通过对主泵的频率进行控制，进而控制压力，能够得到更高上限的压力控制，并且压力控制稳定，另一方面，通过稳定的压力控制使得炉体内氧化物能够及时被抽走，减少了对单晶生长的不利影响，对于低阻产品得不断开发有了更显著的助力。
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公开(公告)号：CN118207629A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410538090.3
申请日：2024-04-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供半导体级专用姆合金制备方法，涉及半导体级姆合金硅制备的技术领域，通过使用使用高纯热场拉制电阻面内分布均匀晶棒，再将晶棒切割成预定厚度的样片，将样片进行倒角、研磨、腐蚀、ML贴附、ML研磨、ＭＬ电阻測定、外观检查，得到姆合金；以在高纯热场下拉制晶棒使得晶棒内的金属含量低，然后控制样片厚度，对样品进行后续处理，降低杂质含量，使得制成的姆合金纯度高，进而姆合金拉制的产品的体金属稳定，电阻分布均匀，不同批次的电阻率均匀，电阻打靶的准确率提高。
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公开(公告)号：CN119075645A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411381712.2
申请日：2024-09-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及废气处理技术领域，尤其涉及一种硅片酸洗废气处理装置及废气处理方法，该硅片酸洗废气处理装置中设有碱洗组件、第一净化组件、氧化组件、第二净化组件、冷却组件及存储组件，碱洗组件的入料端用于抽取硅片酸洗废气，出料端与第一净化组件的入料端连接，第一净化组件的出料端与氧化组件的入料端连接，氧化组件的出料端与第二净化组件的入料端连接，冷却组件安装在第一净化组件和氧化组件间的连接管路上，存储组件与第一净化组件和氧化组件间的连接管路连接；如此，通过冷却组件将大量的二氧化氮气体冷凝为二氧化氮液体，通过存储组件存储二氧化氮液体，以降低需要反应的二氧化氮气体总量，防止部分来不及反应的二氧化氮气体逃逸至大气中造成污染。
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公开(公告)号：CN118219447A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410528159.4
申请日：2024-04-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶棒切割的砂浆更换方法及砂浆更换装置，属于单晶硅技术领域，包括：采用游离磨料线切割技术对晶棒进行切割，并在切割过程中持续更换砂浆；根据晶棒被切割的硅粉量以及碳化硅切割后的破碎量确定砂浆的更换量。本发明通过根据晶棒被切割的硅粉量以及碳化硅切割后的破碎量确定砂浆的更换量，并在切割过程中持续更换砂浆，将受到破碎的碳化硅更换为新的碳化硅，使得碳化硅的粒度分布均匀，从而减少硅片表面的损伤层深度，降低硅片表面粗糙度，使得加工出的硅片质量缺陷明显降低，提高了硅片的成品率。
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公开(公告)号：CN118087027A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410311083.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种减小重掺 晶棒宽面的拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶方法技术领域，将多晶硅料和掺杂剂放置在石英坩埚中，在氩气气氛下加热至稳定的熔硅；在稳定的熔硅中进行引晶、放肩，进入等径生长阶段；在等径的全阶段按照预定拉速曲线、预定补温曲线、预定初始埚位及埚跟比进行晶棒拉制，使得纵向温度梯度平稳且缓解晶棒生长界面的过冷度，防止宽面增大。
