-
公开(公告)号：CN119956471A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510227248.X
申请日：2025-02-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种拉制重掺磷硅单晶后的排气方法，涉及单晶硅生产技术领域，该方法在开启上炉筒和下炉筒之间的隔离阀之前，通过对惰性气体流量以及用于平衡调节炉压的APC阀或手动阀的开度进行调节，使惰性气体置换单晶炉上炉筒内的空气；以及，在开启上炉筒和下炉筒之间的隔离阀之后，向单晶炉内通入空气，使单晶炉排气管路内的磷混合物中的红磷与空气接触后缓慢且充分燃烧，并通过对真空球阀进行连续开关操作，将排气管路内壁吸附的磷混合物吹剥落。本方案能够在拉制重掺磷单晶后降低排气时爆炸的几率，提高生产安全性。
-
公开(公告)号：CN118028967B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202410347379.7
申请日：2024-03-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺单晶自动放肩的控制方法、装置和可读介质，属于拉晶电气控制技术领域，通过实时采集的实际直径对拉速进行反馈调节，并进行功率干预，以使放肩过程中按照预定的先进行纵向生长，再进行稳定生长，最后进行横向生长，进而重掺放肩过程中拉速的控制精度提高，并适当通过功率进行温度补偿，使得放肩过程中稳定性提高。
-
公开(公告)号：CN118639329A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410677274.8
申请日：2024-05-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种消除重掺硼缺陷的方法，属于重掺硼硅单晶加工技术领域，包括以下步骤：S1、将硅料与纯硼放入石英坩埚中进行化料；S2、化料结束后，将温度降至掺杂温度，向石英坩埚中掺杂锗，其中，纯硼与锗的比例为3:1。本发明通过在重掺硼硅单晶中掺杂锗，由于锗的原子半径大于基体硅原子，硼和锗的共掺杂能相互补偿晶格应变，更好的抑制位错的产生，消除重掺硼容易产生的原生缺陷。并且锗和硅都是4族元素，将锗掺入硅中，不会影响重掺硼硅单晶的电学性能。
-
公开(公告)号：CN118461131A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410498681.2
申请日：2024-04-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供用于拉制氧含量面内分布均匀的单晶衬底硅片的方法，涉及单晶硅制备方法的技术领域，在直拉单晶的过程中，在石英坩埚两侧施加CUSP磁场，在预定磁场强度下，CUSP磁场与石英坩埚同步上升，能够更有效地抑制熔汤的对流，增大边界扩散层厚度，在CUSP磁场的作用下，氧的轴向分布均匀性和径向分匀匀性得到改善，杂质的径向分均匀性也变好，使得拉制的晶棒的氧含量面内分布均匀。
-
公开(公告)号：CN117305974A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311274284.9
申请日：2023-09-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善重掺砷杂质管道的拉晶方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，通过控制晶体的生长速率、固液界面的温度梯度及熔体中的对流，使得热传导沿着径向方向传输均匀，晶体生长过程中固液界面平坦，不会在高掺杂浓度长晶过程中形成中心富集进而不会形成杂质管道，使得器件端的正品率提升。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113584585A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110897832.8
申请日：2021-08-05
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法，属于掺杂硅单晶生产技术领域。该方法包括以下步骤：等径前工序中，调节氩气流量为120slm‑130slm，并保持该氩气流量至二段等径工序结束；并且，等径前工序中，调节单晶炉炉压为12 kPa‑15 kPa；一段等径工序中，将单晶炉炉压逐渐升高至18 kPa‑20 kPa；二段等径工序中，维持单晶炉炉压为18 kPa‑20 kPa。通过该方法生产重掺砷硅单晶，能够显著降低所制备的重掺砷硅单晶的电阻率，尤其是将重掺砷硅单晶晶棒的头部电阻率降低至0.0029Ω.cm以下，提高重掺砷硅单晶晶棒的综合利用率，降低生产成本。同时，重掺砷硅单晶晶棒拉制过程中，发生晶变导致NG的概率显著下降，进一步提高重掺砷硅单晶晶棒的合格率。
-
公开(公告)号：CN119736706A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411987147.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种控制重掺单晶电阻率下降幅度的方法，涉及重掺拉晶技术领域，拉晶过程中，在固化率之后，通过拉速、压力、氩气共同调节，以拉制电阻率位于低电阻以下时，要求电阻率下降幅度≤0.4mΩ的晶棒；其中：拉速保持不变，单位压力变化幅度在5Kpa/100mm‑30Kpa/100mm，单位氩气变化幅度在10slm/100mm‑40slm/100mm之间，由于目前工艺无法直接得到头部电阻为低电阻故通过在一定固化率后，当晶棒电阻率达到低电阻时，通过拉速、压力、氩气共同调节，使得合格率提高，同时稳定性得到提升，标准差降低（N=10）。
-
公开(公告)号：CN118422317A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410661172.7
申请日：2024-05-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高掺硼高拉速单晶硅氧含量的热场装置及拉晶方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，所述热屏位于所述坩埚上方，所述提升环位于所述支撑环的上方，所述支撑环位于所述断热材部上，所述热屏的上部与所述提升环连接，所述提升环与所述热屏绳可拆卸连接，所述支撑环镶嵌在所述断热材部上，所述提升环与所述支撑环存在预定间距，进而使氩气能从提升环与支撑环的间隙进入，在炉内形成循环，有助于石英坩埚中的SiO中的氧原子进入晶棒，以提高高拉速晶棒的氧含量。
-
公开(公告)号：CN118127613A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410277532.3
申请日：2024-03-12
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善N型重掺轴向电阻率分布均匀性的直拉单晶硅方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，在掺杂N型掺杂剂等径拉晶过程中，根据预定拉速曲线进行晶棒等径拉制，且单晶炉内氩气流量保持在恒定范围内，使得等径拉制过程中，随着等径长度的增加，拉速逐渐降低至最低值，增大尾部杂质挥发，减少杂质进入晶棒等径后段，使得电阻率升高，进而等径头部至尾部的轴向电阻率变化平缓，晶棒轴向电阻率的均匀性提高，整棒的合格率提高。
-
公开(公告)号：CN118087027A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410311083.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种减小重掺 晶棒宽面的拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶方法技术领域，将多晶硅料和掺杂剂放置在石英坩埚中，在氩气气氛下加热至稳定的熔硅；在稳定的熔硅中进行引晶、放肩，进入等径生长阶段；在等径的全阶段按照预定拉速曲线、预定补温曲线、预定初始埚位及埚跟比进行晶棒拉制，使得纵向温度梯度平稳且缓解晶棒生长界面的过冷度，防止宽面增大。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
57
records
(took 0.025 seconds)
