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公开(公告)号：CN119956470A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510227198.5
申请日：2025-02-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供的改善重掺锑漩涡缺陷的拉晶方法及单晶晶棒，属于单晶硅拉晶技术领域，包括以下步骤，首先在单晶炉中设置预定热场结构，使所述预定热场在晶体生长界面形成梯度温度场，以逐渐增大晶体生长界面的温度梯度，促使点缺陷在晶体生长过程中可以多次的向外扩散，从而减少点缺陷的聚集避免生成漩涡缺陷；然后从引晶工序至转肩工序结束，使用预定埚转同时以第一预定拉速拉制晶棒，其中液口距恒定，以使晶体生长界面形成过冷度保证单晶的生长动力；接着从转肩工序至等径工序结束，使用第二预定拉速拉制晶棒，以减小晶体生长界面的波动，使得热量沿着晶棒的径向方向均匀的传导，进一步减少漩涡缺陷的生成，以提高重掺锑单晶晶棒的品质。
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公开(公告)号：CN119903657A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411986742.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供一种确认热场结构最优功率配比的方法，属于单晶硅制造技术领域。包括：S1、设置多组不同的主底加热器的功率配比，模拟出坩埚的R角以及坩埚侧壁的温度；S2、根据温度的范围以及整体热场的温度分布，确认最优功率配比范围。本发明设置多组不同的主底加热器的功率配比，根据不同的功率配比，通过仿真软件模拟出坩埚的R角以及坩埚侧壁的温度；最后根据温度的范围以及整体热场的温度分布，确认最优功率配比范围。从而不需要对实际的坩埚进行加热，通过仿真软件模拟，根据模拟结果选择最优的功率配比范围，因此不会出现坩埚变形的情况出现，减少对热场使用寿命的影响。
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公开(公告)号：CN115323489A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211011811.2
申请日：2022-08-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供用于重掺硅单晶的掺杂方法及掺杂装置，涉及重掺硅单晶生产技术技术领域，包括石英钟罩，石英钟罩包括内层钟罩、中层钟罩、外层钟罩，中层钟罩为数个，内层钟罩、中层钟罩、外层钟罩的高度依次降低，内层钟罩、中层钟罩、外层钟罩同轴，所述内层钟罩、中层钟罩、外层钟罩的底壁位于同一水平面，中层钟罩套设在所述内层钟罩外，所述外层钟罩套设所述中层钟罩外，内层钟罩的底环壁均匀设置数个第一导向孔，中层钟罩的底环壁均匀设置数个第二导向孔；在受到硅溶液1000℃以上高温热场及真空的影响，通过多层的适应钟罩以及第一导向孔、第二导向孔的设置，以增加砷气体或磷气体挥发行走的路径，延长掺杂时间。
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公开(公告)号：CN119411215A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411518030.1
申请日：2024-10-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种消除重掺硼单晶硅棒内部米字形条纹的方法及其产品，在现有技术的拉晶工序的基础上增加了预热步骤，该步骤中首先将坩埚调整至第一预设位置，且将籽晶降至所述第二预设位置，并停留30 min至50 min，使籽晶能够充分预热，减少籽晶和熔硅的温差，避免在拉晶过程中由于籽晶与熔硅具有较大的温度差而产生位错，停留30 min至50 min后，将坩埚以第一预设速率提升至第三预设位置，同步将籽晶以第二预设速率提升至第四预设位置，将坩埚和籽晶提升的过程中，由籽晶远离坩埚的一端的上方向下通入温度为引晶温度的±15℃的氩气，控制流量为150 slm至160 slm，使籽晶内部温度更加均匀，制备得到的晶棒部分位置内部出现米字形条纹的缺陷。
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公开(公告)号：CN118639329A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410677274.8
申请日：2024-05-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种消除重掺硼缺陷的方法，属于重掺硼硅单晶加工技术领域，包括以下步骤：S1、将硅料与纯硼放入石英坩埚中进行化料；S2、化料结束后，将温度降至掺杂温度，向石英坩埚中掺杂锗，其中，纯硼与锗的比例为3:1。本发明通过在重掺硼硅单晶中掺杂锗，由于锗的原子半径大于基体硅原子，硼和锗的共掺杂能相互补偿晶格应变，更好的抑制位错的产生，消除重掺硼容易产生的原生缺陷。并且锗和硅都是4族元素，将锗掺入硅中，不会影响重掺硼硅单晶的电学性能。
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公开(公告)号：CN117305974A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311274284.9
申请日：2023-09-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善重掺砷杂质管道的拉晶方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，通过控制晶体的生长速率、固液界面的温度梯度及熔体中的对流，使得热传导沿着径向方向传输均匀，晶体生长过程中固液界面平坦，不会在高掺杂浓度长晶过程中形成中心富集进而不会形成杂质管道，使得器件端的正品率提升。
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公开(公告)号：CN118127613A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410277532.3
申请日：2024-03-12
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善N型重掺轴向电阻率分布均匀性的直拉单晶硅方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，在掺杂N型掺杂剂等径拉晶过程中，根据预定拉速曲线进行晶棒等径拉制，且单晶炉内氩气流量保持在恒定范围内，使得等径拉制过程中，随着等径长度的增加，拉速逐渐降低至最低值，增大尾部杂质挥发，减少杂质进入晶棒等径后段，使得电阻率升高，进而等径头部至尾部的轴向电阻率变化平缓，晶棒轴向电阻率的均匀性提高，整棒的合格率提高。
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公开(公告)号：CN118087027A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410311083.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种减小重掺 晶棒宽面的拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶方法技术领域，将多晶硅料和掺杂剂放置在石英坩埚中，在氩气气氛下加热至稳定的熔硅；在稳定的熔硅中进行引晶、放肩，进入等径生长阶段；在等径的全阶段按照预定拉速曲线、预定补温曲线、预定初始埚位及埚跟比进行晶棒拉制，使得纵向温度梯度平稳且缓解晶棒生长界面的过冷度，防止宽面增大。
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公开(公告)号：CN115369480B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202211168080.2
申请日：2022-09-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种1806炉晶棒拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，根据实际拉速曲线设置预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制，以通过缩小拉速波动的幅度消除因分凝效应导致硅杂质浓度的升高，并且使得单晶生长界面平坦，没有杂质析出也没有产生杂质条纹。
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公开(公告)号：CN118563409A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410645015.7
申请日：2024-05-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善终端产品电性均匀性的热场及拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶技术领域，通过在所述降温上部断热材的下部设置空心层，所述降温热屏部位于所述石英坩埚的上方，所述降温上部断热材位于所述断热材部的上方，所述降温热屏部的上端与所述降温上部断热材的上方搭接，所述降温上部断热材与所述断热材部组装，以改善热场温度梯度，以使温度梯度增大，进而在拉晶过程中，晶棒在800℃‑1100℃的停留时间缩短，缺陷生长周期减短，避免已均质成核和异质成核借着过饱和析出而聚结形成的微缺陷，从而降低微缺陷密度，使得终端产品性能均匀性提高。
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