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公开(公告)号：CN118528433A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410861663.6
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法，涉及多线切割技术领域，在多线切割的过程中，根据砂浆类型及晶锭切割深度控制夹紧装置的温度，减小切割晶锭热膨胀量，控制夹紧装置的在X轴、Y轴、ZY轴合成方向的位移，使得切割后得到的整批次硅片的proflie相同。
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公开(公告)号：CN115369480B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202211168080.2
申请日：2022-09-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种1806炉晶棒拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，根据实际拉速曲线设置预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制，以通过缩小拉速波动的幅度消除因分凝效应导致硅杂质浓度的升高，并且使得单晶生长界面平坦，没有杂质析出也没有产生杂质条纹。
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公开(公告)号：CN116479517A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310436939.1
申请日：2023-04-21
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 , 北方民族大学
Abstract: 本发明提供用于IGBT的低氧单晶硅的制备方法，涉及单晶硅制备方法的技术领域，当拉制200mm以上直径的晶棒时，在化料步骤中，加热器的发热区的底部与硅溶液的液面位于同一水平线，进行多次加料，当化料结束后，在整个拉晶阶段，调节加热器上升第一预定距离，使得加热器的发热区位于所述硅溶液的液面上方，使得拉晶前期氧含量降低；在加热器上升的过程中，施加水平磁场，并调节水平磁场下降至第二预定距离，使磁场中心位于液面下方，以抑制坩埚底部对流，降低石英坩埚溶解时间，进一步降低氧含量；在等径步骤中，根据石英坩埚的上升速度降低水平磁场的强度，进行拉晶，得到晶棒氧含量小于5ppma，以得到能够用于IGBT所需的硅片。
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公开(公告)号：CN118685852A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410733611.0
申请日：2024-06-07
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供改善OISF的拉晶方法，属于缺陷改善方法的技术领域，通过调整液口距，降低径向温度梯度，使得热对流稳定，建立液口距与OISF之间的关系，使得不同的液口距对应不同的OISF，以根据OISF的水平调整液口距，液口距调整简单、便捷且准确，使得拉制晶棒的OISF符合要求。
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公开(公告)号：CN116607206B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310338426.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种等径过程中的温度补偿方法，包括：从数据库中获取至少两炉等径过程中的温度数据；其中温度数据由若干组等径过程中晶体长度与其所对应的温度值构成；针对每一炉温度数据，计算温度数据中各温度值对应的补温参数；利用各炉的补温参数计算各预定晶体长度所对应的补温设定参数；将补温设定参数导入单晶炉的系统中，以实现对单晶在等径过程中的温度补偿。本方案采用的数据量更多，数据覆盖面也大，从而得到的温度补偿数据更加可靠，对于晶体的正常生长也更加有利，而且在计算出补温设定参数后，可以直接导入单晶炉的系统中，不需要人工处理，可以节省大量的时间和人力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118639316A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410856368.1
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: C30B15/30
Abstract: 本发明的半导体生长炉用取晶装置，属于单晶炉取晶装置领域，包括承载组件，承载组件包括夹持部、承重部，夹持部包括支撑竖板、连接臂、弧形夹持件，承重部包括：托架，连接臂的一端与所述支撑竖板连接，连接臂的另一端与所述弧形夹持件连接，位于同一水平面的所述弧形夹持件相对设置，所述托架与所述支撑竖板连接，当晶棒拉制完成后，将所述承载组件移动至取晶孔位置，籽晶提拉装置在籽晶绳的牵引下，将晶棒从上炉体内下降到取晶孔，晶棒从取晶孔的位置下降至托架上，当晶棒的底部与托架底部接触时，所述弧形夹持件将晶棒卡紧，然后剪断籽晶绳，即可完成晶棒的取出，仅通过本发明的装置便可完成晶棒的取出，步骤简单，使用方便。
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公开(公告)号：CN116607206A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310338426.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种等径过程中的温度补偿方法，包括：从数据库中获取至少两炉等径过程中的温度数据；其中温度数据由若干组等径过程中晶体长度与其所对应的温度值构成；针对每一炉温度数据，计算温度数据中各温度值对应的补温参数；利用各炉的补温参数计算各预定晶体长度所对应的补温设定参数；将补温设定参数导入单晶炉的系统中，以实现对单晶在等径过程中的温度补偿。本方案采用的数据量更多，数据覆盖面也大，从而得到的温度补偿数据更加可靠，对于晶体的正常生长也更加有利，而且在计算出补温设定参数后，可以直接导入单晶炉的系统中，不需要人工处理，可以节省大量的时间和人力。
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公开(公告)号：CN115821366A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211585988.3
申请日：2022-12-09
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种硼和轻掺磷的补掺方法，包括以下步骤，根据A段晶棒电阻率计算首次投掺量，并以相同的方式计算B段晶棒需求的补掺量；首次投掺量在投料时熔于坩埚，补掺量留做备用，用于在补掺时使用；在完成A晶棒拉制后，手动引晶一定直径及长度，在向下给定一定拉速进行放肩；在放肩至一定直径后，以一定拉速引上至副室冷却一定时间后取出；通过副室操作取出，并把所需的补掺量放至肩上，再放入炉内与肩部一起熔化于坩埚内。本发明通过上述方法在晶棒合并拉制及转晶向拉制时，对硼和轻掺磷进行补掺，可保证拉制出的晶棒电阻率匹配、合格，从而降低产品不良率。本发明还提供一种晶棒合并拉制方法及一种转晶向拉制方法。
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公开(公告)号：CN115816675A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211561377.5
申请日：2022-12-07
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供半导体晶棒硅片切割方法，涉及硅片切割工艺技术领域，利用砂浆液的液体阻尼及高比热容的特性，通过浸泡式切割的方法，以平衡硅片切割过程中硅片的变形温度和震动，使得硅片翘曲率降低，本发明通过利用砂浆液的液体阻尼及高比热容的特性，通过浸泡式切割的方法，以平衡硅片切割过程中硅片的变形温度和震动，使得硅片加工过程中产生的振动降低，并且硅片加工过程中的升温、降温缓慢，硅片的温度始终保持稳定的状态，进而硅片翘曲率降低。
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公开(公告)号：CN115369480A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211168080.2
申请日：2022-09-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种1806炉晶棒拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，根据实际拉速曲线设置预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制，以通过缩小拉速波动的幅度消除因分凝效应导致硅杂质浓度的升高，并且使得单晶生长界面平坦，没有杂质析出也没有产生杂质条纹。
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