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公开(公告)号：CN117248268B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202311232017.5
申请日：2023-09-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低 晶向掺锑单晶电阻率径向变化率的方法及单晶晶棒，涉及 晶向单晶硅拉晶技术领域，在重掺拉制晶棒时，当晶棒进入等径阶段时，通过在预定等径长度内调整晶棒的拉速进行晶棒拉制，一方面，改善固液界面形状，从而中心电阻率和边缘电阻率偏差降低，使得晶体的电阻率分布更均匀，提高材料的电子性质均匀性；另一方面，减小杂质在(111)原子密排面与其他平面区的杂质浓度，进而减小 晶向重掺单晶的小平面效应，从而降低电阻率径向变化率（RRG），提高材料的电子性质稳定性，应用更加广泛。
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公开(公告)号：CN117661102A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311682881.5
申请日：2023-12-08
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种消除 晶向重掺锑杂质管道缺陷的方法，涉及单晶硅重掺拉晶技术领域，在等径过程中，增大轴向温度梯度同时以恒定的高拉速进行拉晶，避免组分过冷引起固液界面形态不稳，进而避免杂质管道的生成。
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公开(公告)号：CN116968201A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310767359.0
申请日：2023-06-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供12英寸切割硅片形貌的控制方法，涉及切割硅片的控制方法技术领域，使用具有平衡膨胀的多线切割机配合砂浆液的温度曲线切割晶锭得到硅片，以提高硅片的质量；所述多线切割机包括平衡膨胀组件、钢线、晶锭，所述晶锭位于所述平衡膨胀组件上方，所述晶锭与所述钢线相互垂直，所述平衡膨胀组件包括主辊轴、监测件，所述主辊轴为两个，两个主辊轴位于同一水平面，所述主辊轴的轴向开设水冷腔，所述水冷腔内通入预定温度曲线的冷水，所述监测件设置在所述主辊轴上，所述钢线缠绕在两个主辊轴上，所述水冷腔根据砂浆液的温度曲线及监测件监测到的主辊轴的膨胀量通入预定温度曲线的冷水，以降低主辊轴的膨胀，使得硅片的翘曲降低。
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公开(公告)号：CN116638640A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310726300.7
申请日：2023-06-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供控制切割硅片形貌的工艺方法，涉及切割硅片的控制方法技术领域，通过在机架上开设水冷腔，在硅片不同切割位置根据监测件监测到的机架的膨胀量向水冷腔内通入第一预定温度曲线的冷水，正负补偿晶锭在不同切割区域的膨胀状况，从而改善硅片的入刀形状，控制和提高硅片的平坦度，进而使硅片形貌和MC侧形貌一致，改善硅片warp，且避免晶锭由于硅片局部区域内急速变形引起的nano问题，使得硅片质量提高。
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公开(公告)号：CN116555897A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310594940.7
申请日：2023-05-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 , 北方民族大学
Abstract: 本发明提供一种基于功率拉晶的晶体直径控制方法，属于半导体晶体制造技术领域，包括以下步骤：S1：在PLC控制模块内将晶体拉速偏差范围设定为±0.01mm/min以内，并设定晶体直径、晶体直径偏差范围、加热器功率及上述参数对应的动作判断条件；S2：通过相机采集晶体直径信号并将晶体直径信号反馈至PLC控制模块，PLC控制模块将晶体实时直径与晶体设定直径比较，根据判断结果采用ADC1控制模式来调整晶体拉速和加热器功率；S3：PLC控制模块通过计算晶体直径偏差并判断晶体直径偏差是否在设定的晶体直径偏差范围内，根据判断结果决定是否启用判断干预模式以控制功率的增加或降低，采用该方法可以使拉速偏差达到±0.01mm/min以内时，直径偏差仍控制在±1.0mm之内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114921846A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210604027.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低重掺锑 单晶杂质条纹的方法，属于硅片加工技术领域，本发明在晶棒拉制时，通过控制晶棒的拉速以控制晶棒的生长界面，将凹向溶体的生长界面控制为水平状或凸状，以使晶棒生长界面的凝固时间相同，进而在垂直生长轴方向的切割方向上，径向的凝固时间相同，使得杂质在各点的浓度一致，进而在CP腐蚀后的Wafer表面不会出现同心圆或偏心圆环纹，使得产品的良率不会被降低。
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公开(公告)号：CN116607206B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310338426.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种等径过程中的温度补偿方法，包括：从数据库中获取至少两炉等径过程中的温度数据；其中温度数据由若干组等径过程中晶体长度与其所对应的温度值构成；针对每一炉温度数据，计算温度数据中各温度值对应的补温参数；利用各炉的补温参数计算各预定晶体长度所对应的补温设定参数；将补温设定参数导入单晶炉的系统中，以实现对单晶在等径过程中的温度补偿。本方案采用的数据量更多，数据覆盖面也大，从而得到的温度补偿数据更加可靠，对于晶体的正常生长也更加有利，而且在计算出补温设定参数后，可以直接导入单晶炉的系统中，不需要人工处理，可以节省大量的时间和人力。
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公开(公告)号：CN118563414A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410645287.7
申请日：2024-05-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种半导体生长炉晶棒取出工装，包括夹持机构、动力机构；夹持机构包括固定环、旋转环、夹紧部、传动部；固定环可允许晶棒穿过，旋转环套转动装于固定环外部，旋转环的内壁与固定环的外壁之间形成夹腔，夹紧部设于固定环内圆面处，传动部设于夹腔内，传动部的一端铰接于旋转环且另一端穿过固定盘并相接于夹紧部；动力机构的输出端与旋转环相连接。通过动力机构带动旋转环周向转动，使传动部沿固定环的径向方向向晶棒移动，促使夹紧部与晶棒的外壁紧密贴合，从而实现对晶棒的夹紧。在整个取晶棒的过程中，采用垂直提取的方式，受晶棒重力作用，纵向提升力与晶棒轴线处于一条直线上，使晶棒重心更加稳定，能够防止晶棒与单晶炉发生磕碰。
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公开(公告)号：CN117127251A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311113305.9
申请日：2023-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮掺杂单晶硅的制备方法及单晶晶棒，涉及单晶硅制造领域，在拉晶过程中，将氮化硅片掺杂进石英坩埚中，进行拉晶，得到晶棒，在拉晶过程中，将氮化硅片掺杂进石英坩埚中，使得氮原子能均匀的分布在溶汤中，而不会漂浮于熔硅表面，进而成晶率提高。
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公开(公告)号：CN116971024A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310952348.X
申请日：2023-07-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种二次加料系统，包括单晶炉和二次加料装置，所述二次加料装置包括加料筒、提拉杆和石英锥，单晶炉包括主炉室和副炉室，石英锥通过提拉杆的提升后封堵在加料筒的下端口，升降籽晶提拉绳使二次加料装置完全进入副炉室内，隔离阀包括壳体和安装在壳体内的隔离板，自壳体的上法兰自壳体的下法兰之间设置腔体，腔体的内壁上设置内凸缘，内凸缘上设置密封圈安装槽，密封圈安装槽的上端开口宽度小于密封圈安装槽的中部的宽度，密封圈安装在密封圈安装槽内，通过开口缩小的密封圈安装槽将密封圈固定防止在二次加料的过程中因隔离板转动打开过程中气流不稳定而出现掉落的情况。本发明还公开一种使用上述二次加料系统的二次加料方法。
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