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公开(公告)号：CN117107352A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310923647.0
申请日：2023-07-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种降低硅单晶拉制过程中微缺陷形成的装置及安装方法，该装置包括降温部件、法兰和辅助降温组件；降温部件包括内筒和外筒，内筒的中间为空心结构，用于在硅单晶拉制过程中通过硅单晶，内筒的上端与法兰固定；外筒密封包裹在内筒的外表面，外筒的上端与法兰的下表面固定，外筒和内筒之间的密封空间内设置有水道，该水道的进水口和出水口分别正对设置于外筒两侧；辅助降温组件包裹在降温部件的外表面上，且降温部件的外表面与该辅助降温组件的内表面之间存在间隙，该辅助降温组件上设置有若干个气体导向孔，用于在单晶硅拉制过程中氩气通过气体导向孔吹向降温部件的外表面。本方案能够降低单晶硅中缺陷的含量，从而提高拉制的单晶硅的质量。
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公开(公告)号：CN117516252A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311683992.8
申请日：2023-12-07
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: F28F25/00 , F28F27/00 , F25D31/00 , C02F1/66 , C02F103/02
Abstract: 一种冷却塔用节水系统和方法，该系统包括储水箱、补水箱、冷却装置、增压泵、PH调节装置和输水管路；储水箱的入口与冷却塔的排污口连通，出口与输水补水箱的入口连通，储水箱中的出口位置设置有高液位开关，用于在储水箱中的液位达到预设液位阈值时开启；补水箱的出口与增压泵的一端连通，另一端与PH调节装置的入口连通，用于抽取补水箱中的冷却水输送至PH调节装置；PH调节装置的出口与冷却塔的补水口连通，用于将PH调节装置中PH值调节合格的冷却水输送至冷却塔；冷却装置设置于储水箱和补水箱附近，用于对储水箱和补水箱中的冷却水进行降温；具有连通关系的各设备之间通过输水管路连通。本方案能够提高冷却水的利用率，减少水资源的浪费。
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公开(公告)号：CN116764337A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310772064.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种真空泵前置除尘装置，包括分离仓、引流分离机构；分离仓为内部中空且内径从上至下逐渐增大的筒体，分离仓的内壁上设有集尘板，分离仓的上端设有盖板，分离仓的顶部设有与分离仓内部连通的第一管道，分离仓的下端设有集尘室，在集尘室的底部设有与分离仓内部连通的第二管道，集尘室的底部还设有与分离仓连通的第三管道；引流分离机构沿分离仓的轴线纵向可转动的设置于分离仓的内部，引流分离机构的下端正对第二管道的出口端。本发明可实现分离仓的自动清洁、以及化合物颗粒的自动回收；在此过程中，无需人工再对分离仓进行清理，不仅清理程序简单，而且降低劳动强度、提高了工作效率。本发明还提供了一种单晶炉。
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公开(公告)号：CN117038428A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310724899.0
申请日：2023-06-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 一种改善硅片电阻率性能的预处理方法，包括步骤1：利用研磨机对硅片表面进行打磨，以使硅片表面平整；步骤2：将打磨好的硅片浸没在预先制备的碱腐蚀液中进行碱洗；步骤3：将碱洗后的硅片浸没在预先制备的混酸溶液中进行第一次酸洗；步骤4：对酸洗后的硅片进行氧化热处理和快速冷却，以去除硅片中的热施主；步骤5：将冷却后的硅片通过混酸溶液进行第二次酸洗，得到用于进行电阻率性能测试的硅片。本方案能够提高硅片的电阻率稳定性，并能够通过去热施主的方式还原出硅片的真实电阻率，提高硅片电阻率检测的准确性。
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公开(公告)号：CN116949569A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310899965.8
申请日：2023-07-20
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低单晶炉内氧化物的方法，涉及单晶炉除杂技术领域，包括连接吹扫部、开合部，连接吹扫部包括第一法兰、第二法兰、通气管，第二法兰内开设环形空腔，第二法兰内侧均匀设置数个吹扫孔，数个吹扫孔向一个方向倾斜，吹扫孔与环形空腔连通，第一法兰、第二法兰对称设置在开合部的上方、下方，第一法兰与所述开合部上端连接，开合部下端与第二法兰连接，通气管与第二法兰连接以与环形空腔连通，通过向通气管、环形空腔的内部吹入氩气，使得氩气从吹扫孔吹出来，使得氧化物被吹扫，防止氧化物在开合部聚集、凝结，当二次加料结束后，氧化物排出，降低氧化物落入石英坩埚内的概率，进而降低晶棒的良率，减少NG次数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116726566A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310886497.0
申请日：2023-07-18
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种滤芯，包括支撑筒体、第一过滤网、第二过滤网和两个端盖，支撑筒体上设置多个开孔，第一过滤网经过多次往复折弯后形成多个第一内折皱和第一外折皱，第一过滤网环绕设置在支撑筒体外侧，第二过滤网经过多次往复折弯后形成多个第二内折皱和第二外折皱，第二过滤网环绕设置在第一过滤网外侧，每一个第一外折皱外部对应设置一个第二外折皱，依次从内到外环绕的支撑筒体、第一过滤网和第二过滤网的两端经过挤压严实形成密封部后分别安装一个端盖，通过第一外折皱提升毛絮等杂质的储存空间的同时，靠近支撑筒体的第一内折皱的部分超滤孔没有被毛絮等杂质堵塞使得滤芯能够持续进行过滤，延长了滤芯的使用周期，从而减少了滤芯的更换次数。
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公开(公告)号：CN116555895A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310590748.0
申请日：2023-05-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 , 北方民族大学
Abstract: 本发明提供了一种用于轻掺磷多根拉制单晶硅棒掺杂量的计算方法，属于直拉单晶硅生产技术领域，该方法考虑到多根拉制时磷母合金与需求阻值的硅熔体中的杂质含量并不对等，需求阻值的硅熔体中的杂质含量偏大的实际情况，提出了新的计算公式，在计算单根之后拉制的硅棒的掺杂量时，以向坩埚内补加的硅料量及补加后的硅熔体中杂质浓度为主进行掺杂量的计算，得到的掺杂量准确性较高，提高了的掺杂量的计算准确性，进而提高了硅棒头部电阻率的打靶准确性。
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公开(公告)号：CN117038428B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310724899.0
申请日：2023-06-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 一种改善硅片电阻率性能的预处理方法，包括步骤1：利用研磨机对硅片表面进行打磨，以使硅片表面平整；步骤2：将打磨好的硅片浸没在预先制备的碱腐蚀液中进行碱洗；步骤3：将碱洗后的硅片浸没在预先制备的混酸溶液中进行第一次酸洗；步骤4：对酸洗后的硅片进行氧化热处理和快速冷却，以去除硅片中的热施主；步骤5：将冷却后的硅片通过混酸溶液进行第二次酸洗，得到用于进行电阻率性能测试的硅片。本方案能够提高硅片的电阻率稳定性，并能够通过去热施主的方式还原出硅片的真实电阻率，提高硅片电阻率检测的准确性。
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公开(公告)号：CN117966252A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410137914.6
申请日：2024-01-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺半导体单晶硅的掺杂装置及掺杂方法，涉及重掺单晶硅生产技术领域。包括掺杂钟罩，掺杂钟罩包括外层钟罩、中隔离层、内隔离层，其中，外层钟罩、中隔离层、内隔离层的高度依次降低；所述外层钟罩、所述中隔离层、所述内隔离层的底部位于同一水平面，且所述外层钟罩的底部与所述中隔离层的底部之间封闭，所述中隔离层的底部与所述内隔离层的底部之间封闭，所述内隔离层的底部呈开口结构，以使所述掺杂钟罩的底部形成空心圆形状。通过设置多层掺杂钟罩，增加气化的掺杂剂在掺杂钟罩内预储存的时间，延长掺杂时间，且气化的掺杂剂只能通过掺杂钟罩底部的一个出口慢慢流出，使得气化掺杂剂能够被硅液充分吸收，提高掺杂效率。
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公开(公告)号：CN117519360A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311597085.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G05D23/24
Abstract: 一种冷冻机降温用冷却水的恒温控制系统及方法，该系统中N台冷却塔分布设置在冷却池上，每一台冷却塔内设置一台冷却风机，每一台冷却风机与一台变频器连接，通过调节运行频率调节冷却风机的转速，N台变频器和温度传感器均与主控设备电性连接，且该温度传感器设置于N台冷却塔的总出水管路上；冷却塔抽取冷却池中的冷却水，并经冷却塔内的冷却风机降温后输送至总出水管路上，温度传感器实时采集总出水管路内水温值，并将该水温值上传至主控设备；主控设备根据水温值和目标温度，实时对变频器的启停和运行频率进行调节，以通过调节对应冷却风机的转速使冷却水的温度保持在目标温度。本方案能够节省时间和人力，同时提高恒温控制的准确性。
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