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公开(公告)号：CN118621427A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410645465.6
申请日：2024-05-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种半导体生长炉晶棒取出设备及方法，包括两个夹持机构、两个夹持机构之间的连接柱、动力机构；夹持机构包括固定环、旋转环、夹紧部、传动部；固定环可允许晶棒穿过，旋转环套转动装于固定环外部，旋转环的内壁与固定环的外壁之间形成夹腔，夹紧部设于固定环内圆面处，传动部设于夹腔内，传动部的一端铰接于旋转环且另一端穿过固定盘并相接于夹紧部；动力机构的输出端分别对应的与两个夹持机构上的旋转环相连接，使动力机构能够带动两个夹持机构上的旋转环同步转动，实现两个夹持机构同时对晶棒的夹紧或释放。在取晶棒时，采用垂直提取方式，受晶棒重力作用，纵向提升力与晶棒轴线处于一条直线，晶棒重心更加稳定，可防止晶棒与单晶炉发生磕碰。
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公开(公告)号：CN117305975A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311283342.4
申请日：2023-09-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶炉真空度控制系统、单晶炉及方法，包括中炉筒、真空度控制单元、执行单元，真空度控制单元包括采集判断模块、控制器，执行单元包括氧化物去除模块、真空度调整模块，中炉筒与采集判断模块连接，采集判断模块与控制器的接收端连接，控制器的输出端与真空度调整模块的输入端连接，真空度调整模块与氧化物去除模块连接，氧化物去除模块与中炉筒连接，当采集判断模块采集中炉筒内的真空度与设定值进行判断，并将判断结果反馈至控制器，控制器控制真空度调整模块启动，真空度调整模块调整真空度达到设定值，在抽真空时气体先通过氧化物去除模块将氧化物去除，再进入真空度调整模块，使得真空度调整模块不会被氧化物影响，炉压稳定。
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公开(公告)号：CN117161021A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311092096.4
申请日：2023-08-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶炉上炉筒清洁装置，涉及单晶炉清洁装置技术领域，包括爬升组件、清扫收集组件，清扫收集组件包括驱动电机、清洁转盘、清洁毛刷、真空吸附管，清洁转盘的内部设置中空空腔，清洁转盘的周向侧壁均匀开设吸附口，清洁转盘位于驱动电机的上方，驱动电机与爬升组件连接，驱动电机的驱动端与清洁转盘连接，清洁转盘的周向侧壁与清洁毛刷连接，清洁转盘的底部与真空吸附管转动连接，且清洁转盘的中空空腔与真空吸附管连通，清洁毛刷与上炉筒的内壁接触，进行旋转刷洗使得附着在上炉筒内壁的氧化物变为细小颗粒，再通过吸附口、真空吸附管将刷洗出的氧化物颗粒吸附出去，使得清洁毛刷刷洗后的氧化物颗粒、粉尘能够直接被清理出去。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118720933A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410984524.2
申请日：2024-07-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种防腐蚀的半导体滚磨机，涉及滚磨机技术领域，包括机架、晶锭、夹持组件、防腐罩、喷水管，夹持组件包括驱动部、主轴，驱动部、主轴为两个，驱动部位于机架的侧面，两个主轴位于所述机架内的两端，晶锭位于两个主轴的中间，喷水管位于晶锭的一端，所述驱动部、主轴、晶锭同轴，主轴的一端穿过机架的侧壁与驱动部连接，两个主轴的自由端形成夹持间隙，晶锭位于夹持间隙内被两个主轴夹持，防腐罩安装在主轴上，防腐罩与喷水管的喷水方向相向，在滚磨过程中，晶棒跟随主轴进行转动，通过相向设置的防腐罩，将水流折射回去，防止水及水雾从主轴与机架之间的缝隙进入轴承、轴内，使得轴承不会被腐蚀。
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公开(公告)号：CN116949569A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310899965.8
申请日：2023-07-20
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低单晶炉内氧化物的方法，涉及单晶炉除杂技术领域，包括连接吹扫部、开合部，连接吹扫部包括第一法兰、第二法兰、通气管，第二法兰内开设环形空腔，第二法兰内侧均匀设置数个吹扫孔，数个吹扫孔向一个方向倾斜，吹扫孔与环形空腔连通，第一法兰、第二法兰对称设置在开合部的上方、下方，第一法兰与所述开合部上端连接，开合部下端与第二法兰连接，通气管与第二法兰连接以与环形空腔连通，通过向通气管、环形空腔的内部吹入氩气，使得氩气从吹扫孔吹出来，使得氧化物被吹扫，防止氧化物在开合部聚集、凝结，当二次加料结束后，氧化物排出，降低氧化物落入石英坩埚内的概率，进而降低晶棒的良率，减少NG次数。
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公开(公告)号：CN119956496A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510226821.5
申请日：2025-02-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 该发明涉及一种阻止单晶炉中排出的尾气氧化沉积的排气管，包括排气管本体，该排气管本体为双层同心圆管结构，该排气管本体内管与外管之间留有空隙，形成密闭的空腔，在排气管本体内管的内壁上开设有若干个与空腔连通的气流引导孔，气流引导孔沿排气管本体内管的长度方向及圆周方向均布开设，在排气管本体外管上设置有连通空腔的进气口，惰性气体从进气口进入空腔后，沿各气流引导孔排入排气管本体内管中，利用惰性气体阻止单晶炉中排出的尾气与排气管本体内管的内壁接触，并可加快单晶炉中排出的尾气在排气管本体内管中的流速，以减少单晶炉中排出的尾气在排气管本体中氧化沉积，降低了排气管本体被氧化物堵塞的现象发生，保证了单晶炉排气顺畅。
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公开(公告)号：CN118563414A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410645287.7
申请日：2024-05-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种半导体生长炉晶棒取出工装，包括夹持机构、动力机构；夹持机构包括固定环、旋转环、夹紧部、传动部；固定环可允许晶棒穿过，旋转环套转动装于固定环外部，旋转环的内壁与固定环的外壁之间形成夹腔，夹紧部设于固定环内圆面处，传动部设于夹腔内，传动部的一端铰接于旋转环且另一端穿过固定盘并相接于夹紧部；动力机构的输出端与旋转环相连接。通过动力机构带动旋转环周向转动，使传动部沿固定环的径向方向向晶棒移动，促使夹紧部与晶棒的外壁紧密贴合，从而实现对晶棒的夹紧。在整个取晶棒的过程中，采用垂直提取的方式，受晶棒重力作用，纵向提升力与晶棒轴线处于一条直线上，使晶棒重心更加稳定，能够防止晶棒与单晶炉发生磕碰。
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公开(公告)号：CN116971024A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310952348.X
申请日：2023-07-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种二次加料系统，包括单晶炉和二次加料装置，所述二次加料装置包括加料筒、提拉杆和石英锥，单晶炉包括主炉室和副炉室，石英锥通过提拉杆的提升后封堵在加料筒的下端口，升降籽晶提拉绳使二次加料装置完全进入副炉室内，隔离阀包括壳体和安装在壳体内的隔离板，自壳体的上法兰自壳体的下法兰之间设置腔体，腔体的内壁上设置内凸缘，内凸缘上设置密封圈安装槽，密封圈安装槽的上端开口宽度小于密封圈安装槽的中部的宽度，密封圈安装在密封圈安装槽内，通过开口缩小的密封圈安装槽将密封圈固定防止在二次加料的过程中因隔离板转动打开过程中气流不稳定而出现掉落的情况。本发明还公开一种使用上述二次加料系统的二次加料方法。
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