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公开(公告)号：CN119956470A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510227198.5
申请日：2025-02-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供的改善重掺锑漩涡缺陷的拉晶方法及单晶晶棒，属于单晶硅拉晶技术领域，包括以下步骤，首先在单晶炉中设置预定热场结构，使所述预定热场在晶体生长界面形成梯度温度场，以逐渐增大晶体生长界面的温度梯度，促使点缺陷在晶体生长过程中可以多次的向外扩散，从而减少点缺陷的聚集避免生成漩涡缺陷；然后从引晶工序至转肩工序结束，使用预定埚转同时以第一预定拉速拉制晶棒，其中液口距恒定，以使晶体生长界面形成过冷度保证单晶的生长动力；接着从转肩工序至等径工序结束，使用第二预定拉速拉制晶棒，以减小晶体生长界面的波动，使得热量沿着晶棒的径向方向均匀的传导，进一步减少漩涡缺陷的生成，以提高重掺锑单晶晶棒的品质。
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公开(公告)号：CN119956471A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510227248.X
申请日：2025-02-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种拉制重掺磷硅单晶后的排气方法，涉及单晶硅生产技术领域，该方法在开启上炉筒和下炉筒之间的隔离阀之前，通过对惰性气体流量以及用于平衡调节炉压的APC阀或手动阀的开度进行调节，使惰性气体置换单晶炉上炉筒内的空气；以及，在开启上炉筒和下炉筒之间的隔离阀之后，向单晶炉内通入空气，使单晶炉排气管路内的磷混合物中的红磷与空气接触后缓慢且充分燃烧，并通过对真空球阀进行连续开关操作，将排气管路内壁吸附的磷混合物吹剥落。本方案能够在拉制重掺磷单晶后降低排气时爆炸的几率，提高生产安全性。
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公开(公告)号：CN120063847A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510232956.2
申请日：2025-02-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种准确检测硅片氧化诱生层错缺陷的预处理方法，属于硅片质量检测技术领域，包括：S1、对待测硅片进行初步酸洗抛光，以去除待测硅片表面的氧化层和损伤层；S2、将抛光后的待测硅片放入氧化退火炉中进行氧化热处理，以使待测硅片的氧化诱生层错缺陷成核长大，并利用氢氟酸溶液对氧化热处理后的待测硅片进行去氧化；S3、利用研磨机对去氧化的待测硅片进行双面研磨，以进一步去除损伤层；S4、对研磨后的待测硅片再次进行酸洗抛光，去除研磨造成的表面损伤；S5、将待测硅片放入择优腐蚀液进行腐蚀，以将氧化诱生层错缺陷完全显露出来，便于检测。从而将加工过程造成的氧化诱生层错缺陷完全去除，准确检测拉晶过程造成的氧化诱生层错缺陷。
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公开(公告)号：CN119976671A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510382231.1
申请日：2025-03-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 该发明提供一种石英坩埚预装料用密封吸盘辅助提升装置，包括升降机构、提升臂、辅助稳盘机构及辅助操控机构，提升臂平行设置在升降机构上，提升臂的一端与升降机构销接，提升臂的另一端为自由端，在提升臂的自由端设置有用于吊起密封吸盘的吊钩，升降机构可驱动提升臂垂直升降，辅助稳盘机构对称设置在吊钩的两侧，并能够在吊钩的两侧垂直向下伸缩运动，辅助操控机构设置在在提升臂的自由端，并与辅助稳盘机构牵引连接，通过推拉辅助操控机构能够使提升臂的自由端围绕升降机构自由平行转动，并且，在推拉转动的过程中，辅助操控机构能够同时牵引辅助稳盘机构向下伸出，使其按压在被吊起的密封吸盘上表面两侧，使密封吸盘在被移动过程中保持平稳。
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公开(公告)号：CN119956496A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510226821.5
申请日：2025-02-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 该发明涉及一种阻止单晶炉中排出的尾气氧化沉积的排气管，包括排气管本体，该排气管本体为双层同心圆管结构，该排气管本体内管与外管之间留有空隙，形成密闭的空腔，在排气管本体内管的内壁上开设有若干个与空腔连通的气流引导孔，气流引导孔沿排气管本体内管的长度方向及圆周方向均布开设，在排气管本体外管上设置有连通空腔的进气口，惰性气体从进气口进入空腔后，沿各气流引导孔排入排气管本体内管中，利用惰性气体阻止单晶炉中排出的尾气与排气管本体内管的内壁接触，并可加快单晶炉中排出的尾气在排气管本体内管中的流速，以减少单晶炉中排出的尾气在排气管本体中氧化沉积，降低了排气管本体被氧化物堵塞的现象发生，保证了单晶炉排气顺畅。
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