公开(公告)号：CN120063847A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510232956.2

申请日：2025-02-28

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 徐佳美 ,  祁海滨 ,  王若男 ,  杨凯 ,  黄森 ,  陈国喆 ,  刘琨

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N1/44 ,  C30B29/06 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供一种准确检测硅片氧化诱生层错缺陷的预处理方法，属于硅片质量检测技术领域，包括：S1、对待测硅片进行初步酸洗抛光，以去除待测硅片表面的氧化层和损伤层；S2、将抛光后的待测硅片放入氧化退火炉中进行氧化热处理，以使待测硅片的氧化诱生层错缺陷成核长大，并利用氢氟酸溶液对氧化热处理后的待测硅片进行去氧化；S3、利用研磨机对去氧化的待测硅片进行双面研磨，以进一步去除损伤层；S4、对研磨后的待测硅片再次进行酸洗抛光，去除研磨造成的表面损伤；S5、将待测硅片放入择优腐蚀液进行腐蚀，以将氧化诱生层错缺陷完全显露出来，便于检测。从而将加工过程造成的氧化诱生层错缺陷完全去除，准确检测拉晶过程造成的氧化诱生层错缺陷。