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公开(公告)号：CN120063847A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510232956.2
申请日：2025-02-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种准确检测硅片氧化诱生层错缺陷的预处理方法，属于硅片质量检测技术领域，包括：S1、对待测硅片进行初步酸洗抛光，以去除待测硅片表面的氧化层和损伤层；S2、将抛光后的待测硅片放入氧化退火炉中进行氧化热处理，以使待测硅片的氧化诱生层错缺陷成核长大，并利用氢氟酸溶液对氧化热处理后的待测硅片进行去氧化；S3、利用研磨机对去氧化的待测硅片进行双面研磨，以进一步去除损伤层；S4、对研磨后的待测硅片再次进行酸洗抛光，去除研磨造成的表面损伤；S5、将待测硅片放入择优腐蚀液进行腐蚀，以将氧化诱生层错缺陷完全显露出来，便于检测。从而将加工过程造成的氧化诱生层错缺陷完全去除，准确检测拉晶过程造成的氧化诱生层错缺陷。
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公开(公告)号：CN119779789A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411945206.1
申请日：2024-12-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体硅单晶缺陷检测技术领域，具体涉及一种简单快速检测硅单晶LDP缺陷密度的方法，将硝酸铜溶液涂抹至清洗后的所述硅单晶样片表面，并对其进行高温热处理第一预设时长，使用混酸溶液对冷却后的所述硅单晶样片腐蚀第二预设时长，使用去离子水洗去所述硅单晶样片表面残留的所述混酸溶液，并将其放置于择优腐蚀液中择优腐蚀第三预设时长，再使用去离子水将所述硅单晶样片表面的择优腐蚀液清洗干净，使得具有缺陷的硅单晶样片的表面呈现出清晰且边缘规整的中心聚集环或半径环，若具有LDP缺陷，通过中心聚集环或半径环的环宽计算LDP缺陷密度，提高硅单晶LDP缺陷密度检测的准确性。
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公开(公告)号：CN114563332B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202210078584.9
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 , 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种测试重掺硅单晶寿命的测试系统及快速检测方法，包括恒温测试箱，恒温测试箱内腔的上下两侧通过密封隔板分为试验腔和元件腔，本发明涉及重掺硅单晶测试技术领域。该测试重掺硅单晶寿命的测试系统及快速检测方法，通过在净化箱的内部错位设置多组分流板，并通过通口形成S型流腔，净化流道增长，氮氧化合物气体进入到催化箱之后，经过S型流腔内的多组催化盒，并通过在催化盒内填充的还原剂和吸附剂，使得催化箱内部的氮氧化合物气体可以经过多次催化处理，有效的提高了对氮氧化合物气体的净化效果，进而避免重掺硅单晶寿命的检测过程中，氮氧化合物气体直接排放会污染环境，且对于操作人员产生危害的问题。
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公开(公告)号：CN114280078B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111586944.8
申请日：2021-12-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G01N21/956 , G01N21/01 , H01L21/66
Abstract: 单晶硅体内BMD的批量评价方法，选取不同氧含量的数个原始硅片；对数个原始硅片分别进行FTIR检测，获得每一原始硅片中心间隙氧的起始值；对每一个原始硅片采用相同的热处理工艺处理，得到处理硅片；对数个处理硅片分别进行FTIR检测，获得每一处理硅片中心间隙氧的剩余值；对数个处理硅片分别进行BMD检测，获得每一个处理硅片的BMD数值；对上述获得的中心间隙氧的起始值、中心间隙氧的剩余值、BMD数值的数据进行线性拟合，获得BMD个数与中心间隙氧的变化值的相关性公式，将待测试硅片通过FTIR检测待测试硅片的间隙氧的变化量，将间隙氧的变化量放入相关性公式中，得到BMD的数目。
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公开(公告)号：CN119223704A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411353424.6
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供的检测硅单晶OISF‑ring的方法，首先在待检测硅片的表面均匀涂抹氧化诱生层错形核剂，得到第一硅片，氧化诱生层错形核剂为含有过渡金属离子的酸根溶液，其次将第一硅片放入预定温度的高温环境下热处理预定时间，得到第二硅片，然后将第二硅片进行混酸清洗，得到第三硅片，去除待测硅片的表面氧化膜，接着将第三硅片放入氧化诱生层错显露剂中进行择优腐蚀，得到检测硅片，最后将检测硅片送至暗室中的聚光灯下，打开聚光灯观察检测硅片表面的OISF‑ring，在热处理过程中，过渡金属离子作为氧化诱生层错的形核中心，缩短了热处理的时间，且氧化诱生层错会包裹着过渡金属离子形核长大，待检测硅片表面存在机械损伤也不会覆盖硅片的OISF‑ring，使检测结果更加清晰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117457523A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311500431.X
申请日：2023-11-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种硅单晶少子寿命的检测方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，选取P‑或N‑型硅单晶，将硅单晶切片，得到原始硅片，将原始硅片放入碱性腐蚀液中，在预定温度下浸泡预定时间，以生成原硅酸，得到腐蚀硅片，以使硅片表面状态得到调控；将腐蚀硅片进行清洗、并进行干燥得到清洗硅片；将清洗硅片进行钝化，进行μPCD法测试，原始硅片在氢氧化钠腐蚀液中，硅原子与氢氧根结合，硅片上未配对的电子可以与氢氧根结合变成硅氧键，硅氧键断裂后与其他原子形成共价键，最终形成原硅酸，使硅片表面状态得到调控，在该表面状态在再进行钝化时，最大程度降低由于硅片表面状态干扰的复合速率，进而测试时能够得到加工前硅片真实少子寿命值。
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公开(公告)号：CN114280072B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111586949.0
申请日：2021-12-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶硅体内BMD的检测方法，包括预处理步骤，所述预处理步骤具体为：将原始硅片以第一预定升温速率加热至第一预定温度，通入第一预定气体，反应第一预定时间，进行预处理，得到有致密薄膜的原始硅片，以隔绝原始硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散的途径；通过对硅片进行预处理阻止硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散，并且使硅片内部空位、间隙氧扩散均匀，进而在热处理时在硅片内部生成均匀的BMD，因为硅片内部的BMD分布均匀，使得硅片在显微镜下进行BMD计数时不会因为密度区域选取而存在误差，从而BMD的检测数量更精确。
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公开(公告)号：CN114561699B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210078574.5
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 , 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种直拉硅单晶增氧的控制系统及方法，包括壳体，所述壳体固定连接有第一电机，所述第一电机连接有齿轮组件，所述第一电机输出侧靠近齿轮组件端连接有驱动机构，所述齿轮组件侧端连接有从动轴，所述从动轴上端固定连接有盛放壳，所述从动轴连接有第二皮带轮组件，所述第二皮带轮组件连接有清洁杆，所述壳体固定连接有抽气机，所述壳体固定连接有涡流室，所述涡流室固定连接有冷气管，本发明涉及直拉单晶硅生产技术领域。该直拉硅单晶增氧的控制系统及方法，冷气经管道经波纹管将冷气连接杆导至分离件端，在冷气的作用下，转板顶起，冷气经转板所展开的注气槽及滤板排放至石英坩埚底端，石英坩埚遇冷收缩。
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公开(公告)号：CN117038428B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310724899.0
申请日：2023-06-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 一种改善硅片电阻率性能的预处理方法，包括步骤1：利用研磨机对硅片表面进行打磨，以使硅片表面平整；步骤2：将打磨好的硅片浸没在预先制备的碱腐蚀液中进行碱洗；步骤3：将碱洗后的硅片浸没在预先制备的混酸溶液中进行第一次酸洗；步骤4：对酸洗后的硅片进行氧化热处理和快速冷却，以去除硅片中的热施主；步骤5：将冷却后的硅片通过混酸溶液进行第二次酸洗，得到用于进行电阻率性能测试的硅片。本方案能够提高硅片的电阻率稳定性，并能够通过去热施主的方式还原出硅片的真实电阻率，提高硅片电阻率检测的准确性。
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公开(公告)号：CN117419992A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311353564.9
申请日：2023-10-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种硅片swirl、striation和杂质管道缺陷的通用检测方法，包括以下步骤：步骤1：将硅片的测试样片放入碱腐蚀液中进行碱洗；步骤2：将碱洗后的测试样片放入酸腐蚀液中进行酸洗；步骤3：对酸洗后的测试样片进行高温热处理；步骤4：根据硅片的掺杂程度和晶向类型，选择对应的择优腐蚀液对高温热处理后的测试样片进行腐蚀；步骤5：分别从宏观和微观层面上对择优腐蚀后的测试样片上的缺陷进行观察，以确定缺陷的类型。本方案能够同时适用于对swirl、striation和杂质管道缺陷的检测。
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