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公开(公告)号：CN120063847A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510232956.2
申请日：2025-02-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种准确检测硅片氧化诱生层错缺陷的预处理方法，属于硅片质量检测技术领域，包括：S1、对待测硅片进行初步酸洗抛光，以去除待测硅片表面的氧化层和损伤层；S2、将抛光后的待测硅片放入氧化退火炉中进行氧化热处理，以使待测硅片的氧化诱生层错缺陷成核长大，并利用氢氟酸溶液对氧化热处理后的待测硅片进行去氧化；S3、利用研磨机对去氧化的待测硅片进行双面研磨，以进一步去除损伤层；S4、对研磨后的待测硅片再次进行酸洗抛光，去除研磨造成的表面损伤；S5、将待测硅片放入择优腐蚀液进行腐蚀，以将氧化诱生层错缺陷完全显露出来，便于检测。从而将加工过程造成的氧化诱生层错缺陷完全去除，准确检测拉晶过程造成的氧化诱生层错缺陷。
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公开(公告)号：CN119779789A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411945206.1
申请日：2024-12-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体硅单晶缺陷检测技术领域，具体涉及一种简单快速检测硅单晶LDP缺陷密度的方法，将硝酸铜溶液涂抹至清洗后的所述硅单晶样片表面，并对其进行高温热处理第一预设时长，使用混酸溶液对冷却后的所述硅单晶样片腐蚀第二预设时长，使用去离子水洗去所述硅单晶样片表面残留的所述混酸溶液，并将其放置于择优腐蚀液中择优腐蚀第三预设时长，再使用去离子水将所述硅单晶样片表面的择优腐蚀液清洗干净，使得具有缺陷的硅单晶样片的表面呈现出清晰且边缘规整的中心聚集环或半径环，若具有LDP缺陷，通过中心聚集环或半径环的环宽计算LDP缺陷密度，提高硅单晶LDP缺陷密度检测的准确性。
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公开(公告)号：CN119223704A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411353424.6
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供的检测硅单晶OISF‑ring的方法，首先在待检测硅片的表面均匀涂抹氧化诱生层错形核剂，得到第一硅片，氧化诱生层错形核剂为含有过渡金属离子的酸根溶液，其次将第一硅片放入预定温度的高温环境下热处理预定时间，得到第二硅片，然后将第二硅片进行混酸清洗，得到第三硅片，去除待测硅片的表面氧化膜，接着将第三硅片放入氧化诱生层错显露剂中进行择优腐蚀，得到检测硅片，最后将检测硅片送至暗室中的聚光灯下，打开聚光灯观察检测硅片表面的OISF‑ring，在热处理过程中，过渡金属离子作为氧化诱生层错的形核中心，缩短了热处理的时间，且氧化诱生层错会包裹着过渡金属离子形核长大，待检测硅片表面存在机械损伤也不会覆盖硅片的OISF‑ring，使检测结果更加清晰。
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公开(公告)号：CN119085493A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411371753.3
申请日：2024-09-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及包装盒检测技术领域，尤其涉及一种半导体硅片包装盒内部尺寸测量系统及测量方法，该半导体硅片包装盒内部尺寸测量系统中设有固定模块、光源模块、采集模块及处理模块，固定模块用于固定半导体硅片包装盒，光源模块及采集模块设置在固定模块的一侧，采集模块与处理模块通信连接；如此，通过光源模块照射半导体包装盒内侧，采集模块收集半导体包装盒内侧的光线信息数据并上传至处理模块，处理模块根据上传的数据生成半导体包装盒内侧轮廓，并将其与预设的标准包装盒模型进行比对来确定半导体包装盒是否合格，在整个过程中没有使用晶圆样品，从而避免晶圆样品与半导体包装盒内部接触时造成的污染，进而防止半导体包装盒对半导体硅片造成污染。
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公开(公告)号：CN119069375A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411210487.6
申请日：2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅单晶切片样片检测分析方法，涉及单晶炉电力控制系统技术领域，将硅单晶切片样片进行Warp、厚度、BOW值检测，得到每个批号硅片不同指标的检测数据以及对应多线切割机的型号；将得到每个批号的硅片不同指标的检测数据以及对应多线切割机的型号进行存储，得到数据库；根据得到的数据库对检测数据进行异常检测、统计分析和趋势预测，以对多线切割机切割出的硅片进行质量监控，并且根据对检测数据进行统计分析和趋势预测能够及时对多线多切割机进行调整，降低硅片不合格的概率，减少浪费。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118928983A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411210673.X
申请日：2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: B65D25/10 , B65D25/02 , B65D21/036 , B65D81/02
Abstract: 本发明提供一种硅片周转箱及硅片周装箱的使用方法，涉及硅片盛放装置技术领域，包括第一防护组件、第二防护组件、第三防护组件，第一防护组件包括底座、防护箱体、顶盖，防护箱体位于底座上部，顶盖位于防护箱体的上部，第二防护组件、第三防护组件位于底座、防护箱体、顶盖形成容纳空腔内，硅片放置在第三防护组件内，底座与防护箱体的下部连接，防护箱体的上部与顶盖连接，第二防护组件的底部与底座接触，第三防护组件镶嵌在第二防护组件内，第二防护的顶部与顶盖接触，以通过第一防护组件、第二防护组件、第三防护组件相互进行支撑、借力对硅片进行逐级防护，防止硅片在转运过程中受外力影响，导致硅片损伤，进而使得硅片浪费减少。
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公开(公告)号：CN118880439A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411039488.9
申请日：2024-07-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及晶棒制造技术领域，尤其涉及一种改善重掺 硅单晶内掺杂剂分布不均的拉晶方法，该方法包括以下步骤：步骤1：化料工序；步骤2：稳定工序；步骤3：拉晶工序；步骤4：冷却工序；具体的，通过调整化料工序和稳定工序中的氩气流量，调节单晶炉内的温度热场梯度，使掺杂剂能够在硅单晶内更均匀地溶解；通过调整化料工序和稳定工序中的炉压，能够促进掺杂剂的挥发，防止掺杂剂及其挥发物长时间停留在炉腔内；通过调整等径工序的拉速，使掺杂剂在硅单晶内对称分布；从而使硅单晶内的掺杂剂分布更均匀，并且硅单晶的拉晶速度的拉晶速度高于0.7mm/min，如此，能够提高硅单晶内掺杂剂分布的均匀性，同时提升硅单晶的生产效率。
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公开(公告)号：CN119779790A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411945278.6
申请日：2024-12-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供的测量单晶硅片中BMD的方法及测量系统，属于硅片质量检测技术领域，其中测量单晶硅片中BMD的方法需要首先对待测硅片进行热处理使待测硅片内部均匀的生成BMD，且对热处理之后的硅片进行解理，得到测量样片；随后选取测量硅片解理面上的一点作为BMD测量点；接着将BMD测量点放大到一定的测量倍数保证视野中BMD的特征清楚后，对视野中的BMD测量点进行拍照采集得到测量图像，且根据视野的大小可以确定出测量图像的面积；然后将采集到的测量图像与预存储的BMD特征图像进行特征匹配，从而识别出测量图像中的BMD并进行计数，得到BMD的个数，有效避免了人为因素导致测量结果的偏差较大的现象；最后根据BMD的个数与测量图像的面积计算出测量图像中BMD的密度。
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公开(公告)号：CN119290517A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411385462.X
申请日：2024-09-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供的批量检测轻掺型硅单晶间隙氧变化量的方法，包括通过样本实验得到间隙氧初始值与间隙氧变化量的数据分布图，根据数据分布图的数据分布规律从而获得间隙氧初始值与间隙氧变化量的关系，数据分布图可分为第一部分、第二部分，第一部分中间隙氧变化量稳定在预定范围内，第二部分可以获得间隙氧初始值与间隙氧变化量的趋势性公式，检测待检测硅片的间隙氧初始值，当间隙氧初始值属于第一部分时，待检测硅片的间隙氧变化量在预定范围内，当间隙氧初始值属于第二部分时，将间隙氧初始值带入趋势性公式中，得到待检测硅片的间隙氧变化量，根据上述方式以完成对待检测硅片的批量检测，大大降低了检测人员的劳动强度。
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公开(公告)号：CN119142400A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411372142.0
申请日：2024-09-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及晶棒制备设备技术领域，尤其涉及一种具备装卸功能的晶棒运输装置及运输方法，该具备装卸功能的晶棒运输装置中设有放置构件及装卸构件，放置构件用于放置需要运输的晶棒，装卸构件包括竖直调整组件、水平调整组件及夹具组件，竖直调整组件的固定端可旋转地安装在放置构件上，水平调整组件的固定端与竖直调整组件的伸缩端固定连接，夹具组件可滑动的安装在水平调整组件上，竖直调整组件及水平调整组件分别沿竖直方向和水平方向伸缩；如此，通过竖直调整组件及水平调整组件调整夹具组件的活动范围，使得夹具组件能够将需要运输的晶棒放置到放置构件上或从放置构件上将晶棒取下，从而提高晶棒的装卸速度，提升了晶棒的运输效率。
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