-
公开(公告)号：CN119663422A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411836536.7
申请日：2024-12-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善重掺N型单晶D‑swirl的拉晶方法及单晶晶棒，涉及重掺拉晶技术领域，采用预定热场进行晶棒拉制，且等径过程中包括第一等径工序、第二等径工序，所述第一等径工序采用第一预定拉速进行晶棒拉制；所述第二等径工序采用第二预定拉速进行晶棒拉制；所述第二预定拉速小于第一预定拉速，所述第二预定拉速与第一预定拉速的差值为0.05mm/min~0.2mm/min，所述第一预定拉速、第二预定拉速避免拉晶过程中生长界面收到熔体中的影响，且通过所述预定热场一方面平衡等径过程中拉速带来的温度梯度的变化，另一方面控制气流、温度的稳定，有助于提升单晶生长的均匀性和稳定性，以降低晶棒内的D字条纹，以提升器件正品率。
-
公开(公告)号：CN118880438A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411039116.6
申请日：2024-07-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种增大掺硼单晶硅DZ洁净区的方法，涉及半导体单晶硅拉晶技术领域，通过等径预定距离后，提高拉速，以使晶棒在预定拉速下拉制，增大温度梯度，使得得到的待滚磨晶棒中小尺寸的氧沉淀点位增多，将待滚磨晶棒进行滚磨、分段、切片，得到硅片；对含有诸多小尺寸氧沉淀的硅片进行热处理，氧和空位在高温下的扩散，其在硅晶表面的浓度低于饱和度，小尺寸的氧沉淀在高温下的溶解，使得热处理后硅片的DZ洁净区的深度增加，DZ洁净区深度达到60μm以上。
-
公开(公告)号：CN118621427A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410645465.6
申请日：2024-05-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种半导体生长炉晶棒取出设备及方法，包括两个夹持机构、两个夹持机构之间的连接柱、动力机构；夹持机构包括固定环、旋转环、夹紧部、传动部；固定环可允许晶棒穿过，旋转环套转动装于固定环外部，旋转环的内壁与固定环的外壁之间形成夹腔，夹紧部设于固定环内圆面处，传动部设于夹腔内，传动部的一端铰接于旋转环且另一端穿过固定盘并相接于夹紧部；动力机构的输出端分别对应的与两个夹持机构上的旋转环相连接，使动力机构能够带动两个夹持机构上的旋转环同步转动，实现两个夹持机构同时对晶棒的夹紧或释放。在取晶棒时，采用垂直提取方式，受晶棒重力作用，纵向提升力与晶棒轴线处于一条直线，晶棒重心更加稳定，可防止晶棒与单晶炉发生磕碰。
-
公开(公告)号：CN118181007A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410528413.0
申请日：2024-04-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶棒滚磨机的上料装置、晶棒滚磨系统和方法，涉及单晶硅加工技术领域，该装置包括：固定机构、旋转机构、升降机构、平移机构和夹持机构；固定机构的底端固定于晶棒滚磨机的一端，另一端与旋转机构的底端转动连接，旋转机构的上端与升降机构的底端固定连接，该升降机构的上端与平移机构的一端活动连接，且该平移机构可在升降机构上沿竖直方向上下移动；夹持机构的上端活动固定在平移机构上，且可在平移机构上沿水平方向移动，该夹持机构的下端用于夹持待滚磨的晶棒。本方案能够降低晶棒上下料时操作人员的劳动强度，同时降低上下料时所存在的安全隐患。
-
公开(公告)号：CN119903657A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411986742.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供一种确认热场结构最优功率配比的方法，属于单晶硅制造技术领域。包括：S1、设置多组不同的主底加热器的功率配比，模拟出坩埚的R角以及坩埚侧壁的温度；S2、根据温度的范围以及整体热场的温度分布，确认最优功率配比范围。本发明设置多组不同的主底加热器的功率配比，根据不同的功率配比，通过仿真软件模拟出坩埚的R角以及坩埚侧壁的温度；最后根据温度的范围以及整体热场的温度分布，确认最优功率配比范围。从而不需要对实际的坩埚进行加热，通过仿真软件模拟，根据模拟结果选择最优的功率配比范围，因此不会出现坩埚变形的情况出现，减少对热场使用寿命的影响。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118461131B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410498681.2
申请日：2024-04-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供用于拉制氧含量面内分布均匀的单晶衬底硅片的方法，涉及单晶硅制备方法的技术领域，在直拉单晶的过程中，在石英坩埚两侧施加CUSP磁场，在预定磁场强度下，CUSP磁场与石英坩埚同步上升，能够更有效地抑制熔汤的对流，增大边界扩散层厚度，在CUSP磁场的作用下，氧的轴向分布均匀性和径向分匀匀性得到改善，杂质的径向分均匀性也变好，使得拉制的晶棒的氧含量面内分布均匀。
-
公开(公告)号：CN119492251A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411655484.3
申请日：2024-11-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于冷却塔清洗技术领域，具体涉及一种单晶炉冷却塔填料清洗装置及其方法，一级除垢装置中的干燥吹扫组件首先将冷却塔填料内部的潮湿污垢吹干，一级除垢装置中的振动组件将冷却塔填料内部干燥的大颗粒污垢震碎，干燥吹扫组件还将冷却塔填料内部震碎的大颗粒污垢吹出冷却塔填料内部；二级除垢装置中的药剂存储组件内存储有与所述顽固水垢反应的化学药剂，药剂喷洒组件与药剂存储组件连通，药剂喷洒组件用于将药剂存储组件内的化学药剂喷洒至冷却塔填料内，使得化学药剂与冷却塔填料内的水垢进行化学反应，从而去除冷却塔填料内的顽固水垢；本发明提供的装置和方法将冷却塔填料清理的更加干净的同时提高了效率。
-
公开(公告)号：CN118952486A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411353372.2
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种切片机上料夹紧工装、切片机上料夹紧工装、晶锭上料装置及切片机，包括基板、支撑部、夹紧组件；支撑部沿基板的中线对称设在基板的下端面上；基板的下端面设有第一定位凸起、第二定位凸起，第二定位凸起的下端面上开设有气密检测孔；夹紧组件包括连接端头、伸缩部；伸缩部设于基板的上端面，伸缩部的下端贯穿基板，连接端头位于第一定位凸起与第二定位凸起之间且相接于伸缩部的下端。本发明在使用中，无需人工进行紧固，降低人员劳动强度；采用连接端头拉住晶锭接着工件板紧贴基板下端面，利用气密性检测孔检验晶锭接着工件板与基板之间是否处于紧密贴合，不仅能够保证夹紧的稳定性，而且能够确保晶锭的定位精度及切片质量。
-
公开(公告)号：CN118756322A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411028831.X
申请日：2024-07-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 该发明提供一种单晶炉用晶体旋转提拉装置，包括安装在单晶炉上端的基座、旋转机构、以及设置在旋转机构上的用于提拉籽晶的绕绳机构，所述旋转机构安装在基座上，并能够在基座上圆周旋转，所述旋转机构内设置有晶棒重量检测装置，晶棒重量检测装置位于绕绳机构的上方，与绕绳机构相齐平，所述绕绳机构上卷绕有用于提拉籽晶的籽晶绳，籽晶绳固定籽晶的一端向上绕过晶棒重量检测装置后向下穿过旋转机构、基座并自由下垂在单晶炉中，绕绳机构通过籽晶绳提拉籽晶在单晶炉中进行拉制晶棒过程中，晶棒的重量通过籽晶绳作用于晶棒重量检测装置上，通过晶棒重量检测装置检测籽晶绳的压力，以获取拉制过程中的晶棒重量，提高了对晶棒计重的精准度。
-
公开(公告)号：CN118464502A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410538425.1
申请日：2024-04-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G01N1/08
Abstract: 该发明提供一种硅晶圆取样工装，包括钻孔取样装置及硅晶圆固定平台，硅晶圆固定平台包括承载硅晶圆的基座和固定硅晶圆的按压机构，基座平行设置在钻孔取样装置的正下方，按压机构为至少两组，围绕设置在基座上端的两侧或四周，每组按压机构的一端分别可转动的设置在基座上，另一端分别向基座的承载面方向平行伸出，并分别能够在基座的承载面上方自由平行转动，且能够向下按压，以对放置在基座承载面上的硅晶圆进行按压固定。该按压机构可根据硅晶圆的摆放位置转动按压方向，并能够对不同规格的直径及厚度的硅晶圆实施按压固定，以辅助钻孔取样装置进行钻孔取样，保证了硅晶圆在钻孔取样过程中的稳定性，提高了钻孔取样的安全性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.027 seconds)
