-
公开(公告)号：CN118639313A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410854832.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善重掺砷D字条纹的拉晶方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，通过控制晶体的生长速率、固液界面的温度梯度及冷却速度，使得热传导沿着径向方向传输均匀，晶体生长过程中固液界面平坦，从而消除D字条纹，提升器件端的正品率。
-
公开(公告)号：CN118241304A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410373540.8
申请日：2024-03-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于重掺压力控制的装置及控制方法，属于拉晶电气控制技术领域，一方面，不再通过APC阀进行控制，而是通过对主泵的频率进行控制，进而控制压力，能够得到更高上限的压力控制，并且压力控制稳定，另一方面，通过稳定的压力控制使得炉体内氧化物能够及时被抽走，减少了对单晶生长的不利影响，对于低阻产品得不断开发有了更显著的助力。
-
公开(公告)号：CN118207629A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410538090.3
申请日：2024-04-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供半导体级专用姆合金制备方法，涉及半导体级姆合金硅制备的技术领域，通过使用使用高纯热场拉制电阻面内分布均匀晶棒，再将晶棒切割成预定厚度的样片，将样片进行倒角、研磨、腐蚀、ML贴附、ML研磨、ＭＬ电阻測定、外观检查，得到姆合金；以在高纯热场下拉制晶棒使得晶棒内的金属含量低，然后控制样片厚度，对样品进行后续处理，降低杂质含量，使得制成的姆合金纯度高，进而姆合金拉制的产品的体金属稳定，电阻分布均匀，不同批次的电阻率均匀，电阻打靶的准确率提高。
-
公开(公告)号：CN117020956A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311065440.0
申请日：2023-08-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种自行修刀的单晶硅晶棒滚磨机及修刀方法，涉及晶棒滚磨机技术领域，当砂轮或磨头表面粗糙或凹凸不平时，将晶棒取出，通过晶棒夹头将修刀件夹持在原来晶棒的位置上，启动自行修刀的单晶硅晶棒滚磨机，砂轮或磨头进行旋转与修刀件接触，进行修刀，一方面，自行修刀的单晶硅晶棒滚磨机既可通过砂轮、磨头对晶棒进行滚磨加工，也可通过修刀件对砂轮或磨头的表面缺陷进行自动修复，不用频繁更换砂轮或磨头，使得成本降低；另一方面，选择抗磨球墨铸铁作为修刀件的材质，使得修刀件硬度高、耐磨性能强；再一方面，所述修刀件的适用性强，可安装在不同的晶棒滚磨机上进行磨刀。
-
公开(公告)号：CN116892060A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310926929.6
申请日：2023-07-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善单晶硅微缺陷的方法，涉及晶棒拉制方法技术领域，在晶棒拉制过程中，具有冷却系统的热场包括水冷热屏，所述水冷热屏内开设环形水冷空腔，所述环形水冷空腔与所述水冷热屏的形状相同，在所述水冷热屏内的环形水冷空腔通入预定温度的冷水，使得在拉速V相同的情况下，固液界面中心与边缘温度梯度G近似为1，使得单晶横截面不会存在两种不同点缺陷的富积区，进而使得COP缺陷的形成得到了抑制，有效的减少单晶中的粒子缺陷（COP)。
-
公开(公告)号：CN116714119A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310923434.8
申请日：2023-07-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种辅助减少轴承箱震动的夹具及其安装方法，该夹具包括：弧形块、弹性组件和N个固定件；弧形块的正侧面上设置有贯穿的第一固定孔，用以将该弧形块固定在待进行减震的轴承箱上；弧形块的内侧面和外侧面为同向弯曲的弧面，弹性组件固定连接在弧形块的内侧面上，且弹性组件与内侧面之间存在间隙；外侧面上设置有N个第二固定孔，每一个第二固定孔均贯穿弧形块的外侧面和内侧面，每一个固定件的一端均穿过一个第二固定孔接触到弹性组件上。本方案能够减少轴承箱产生的震动，使得线切割机具有更高的精度，进而提高硅片加工的质量。
-
公开(公告)号：CN118028967B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202410347379.7
申请日：2024-03-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺单晶自动放肩的控制方法、装置和可读介质，属于拉晶电气控制技术领域，通过实时采集的实际直径对拉速进行反馈调节，并进行功率干预，以使放肩过程中按照预定的先进行纵向生长，再进行稳定生长，最后进行横向生长，进而重掺放肩过程中拉速的控制精度提高，并适当通过功率进行温度补偿，使得放肩过程中稳定性提高。
-
公开(公告)号：CN118223110B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410346859.1
申请日：2024-03-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种单晶硅棒的电阻率调节方法，涉及半导体材料制备和材料掺杂技术领域，该方法包括以下步骤：步骤1：配制原料、化料、化料完毕后进行单晶硅拉制；步骤2：在放肩开始后及在等径开始前结束拉晶，并将拉制的肩状硅体取出；步骤3：针对肩状硅体进行电阻率测试；步骤4：判断肩状硅体的实测电阻率是否在目标打靶电阻率范围内；若是则继续进行单晶硅拉制；若超出目标打靶电阻率，则根据预先确定的补掺标准向硅熔体中补掺掺杂剂；并利用补掺掺杂剂后的硅熔体继续进行单晶硅拉制。本方案能够实现晶棒电阻率的准确控制，从而提高晶棒的合格率，同时节省制备目标电阻率晶棒的时间和经济成本。
-
公开(公告)号：CN119411215A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411518030.1
申请日：2024-10-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种消除重掺硼单晶硅棒内部米字形条纹的方法及其产品，在现有技术的拉晶工序的基础上增加了预热步骤，该步骤中首先将坩埚调整至第一预设位置，且将籽晶降至所述第二预设位置，并停留30 min至50 min，使籽晶能够充分预热，减少籽晶和熔硅的温差，避免在拉晶过程中由于籽晶与熔硅具有较大的温度差而产生位错，停留30 min至50 min后，将坩埚以第一预设速率提升至第三预设位置，同步将籽晶以第二预设速率提升至第四预设位置，将坩埚和籽晶提升的过程中，由籽晶远离坩埚的一端的上方向下通入温度为引晶温度的±15℃的氩气，控制流量为150 slm至160 slm，使籽晶内部温度更加均匀，制备得到的晶棒部分位置内部出现米字形条纹的缺陷。
