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公开(公告)号：CN118461131B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410498681.2
申请日：2024-04-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供用于拉制氧含量面内分布均匀的单晶衬底硅片的方法，涉及单晶硅制备方法的技术领域，在直拉单晶的过程中，在石英坩埚两侧施加CUSP磁场，在预定磁场强度下，CUSP磁场与石英坩埚同步上升，能够更有效地抑制熔汤的对流，增大边界扩散层厚度，在CUSP磁场的作用下，氧的轴向分布均匀性和径向分匀匀性得到改善，杂质的径向分均匀性也变好，使得拉制的晶棒的氧含量面内分布均匀。
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公开(公告)号：CN118581562A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410652651.2
申请日：2024-05-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供用于降低轻掺晶棒头部电阻反翘长度的拉晶方法，属于轻掺单晶硅制备方法的技术领域，采用MCZ进行重掺拉晶，控制磁场强度为2000GS~2500GS，晶转为第一预定转速，埚转为第二预定转速，炉压为预定炉压，惰性气体流量为预定流量进行拉晶，使得拉晶过程中，一方面，掺杂剂的有效分凝系数无限接近其平均分凝系数，进而掺杂剂进入晶体的量增大，晶体头部的电阻会降低，进而得到的晶棒的头部电阻下降；另一方面，通过调整上述参数，使得边界层的厚度降低，固液界面的杂质浓度降低，杂质的富集量也降低，进而降低晶棒因杂质富产生位错造成断棱的概率；再一方面，本发明得到的晶棒的氧含量低于5ppma，符合用于IGBT衬底的晶圆的要求。
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公开(公告)号：CN116555897A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310594940.7
申请日：2023-05-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 , 北方民族大学
Abstract: 本发明提供一种基于功率拉晶的晶体直径控制方法，属于半导体晶体制造技术领域，包括以下步骤：S1：在PLC控制模块内将晶体拉速偏差范围设定为±0.01mm/min以内，并设定晶体直径、晶体直径偏差范围、加热器功率及上述参数对应的动作判断条件；S2：通过相机采集晶体直径信号并将晶体直径信号反馈至PLC控制模块，PLC控制模块将晶体实时直径与晶体设定直径比较，根据判断结果采用ADC1控制模式来调整晶体拉速和加热器功率；S3：PLC控制模块通过计算晶体直径偏差并判断晶体直径偏差是否在设定的晶体直径偏差范围内，根据判断结果决定是否启用判断干预模式以控制功率的增加或降低，采用该方法可以使拉速偏差达到±0.01mm/min以内时，直径偏差仍控制在±1.0mm之内。
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公开(公告)号：CN118422317B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410661172.7
申请日：2024-05-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高掺硼高拉速单晶硅氧含量的热场装置及拉晶方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，所述热屏位于所述坩埚上方，所述提升环位于所述支撑环的上方，所述支撑环位于所述断热材部上，所述热屏的上部与所述提升环连接，所述提升环与所述热屏绳可拆卸连接，所述支撑环镶嵌在所述断热材部上，所述提升环与所述支撑环存在预定间距，进而使氩气能从提升环与支撑环的间隙进入，在炉内形成循环，有助于石英坩埚中的SiO中的氧原子进入晶棒，以提高高拉速晶棒的氧含量。
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公开(公告)号：CN116337875A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310338384.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法，可以包括步骤1：将待测硅片在高温环境下氧化热处理，以使待测硅片的氧化诱生层错缺陷成核长大；步骤2：利用氢氟酸溶液对氧化热处理后的待测硅片进行去氧化；步骤3：将去氧化后的待测硅片沿NOTCH槽进行解理，得到测试样片；步骤4：将测试样片放入择优腐蚀液中进行腐蚀；步骤5：将腐蚀后的测试样片的解理面正对显微镜的镜头，观察解理面上的氧化诱生层错。本方案是对硅片的断面进行检测，即使硅片表面有损伤或脏污也不会影响检测结果，能够提高氧化诱生层错缺陷检测的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119121378A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410733508.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种低氧高品质单晶硅的制备方法及单晶晶棒，属于单晶硅制备技术领域，包括以下步骤：S1、在拉晶过程中，调节加热器上升至预定距离，使得加热器的发热区位于硅熔液的液面上方，以降低单晶硅的氧含量；S2、在加热器上升的过程中，施加水平磁场，调节磁场中心位置与液面位置持平，并控制磁场强度保持不变，以抑制液面对流，使熔体温度分布均匀，提高单晶硅的品质，从而在降低单晶硅氧含量的同时保证单晶硅的品质。
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公开(公告)号：CN118563409A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410645015.7
申请日：2024-05-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善终端产品电性均匀性的热场及拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶技术领域，通过在所述降温上部断热材的下部设置空心层，所述降温热屏部位于所述石英坩埚的上方，所述降温上部断热材位于所述断热材部的上方，所述降温热屏部的上端与所述降温上部断热材的上方搭接，所述降温上部断热材与所述断热材部组装，以改善热场温度梯度，以使温度梯度增大，进而在拉晶过程中，晶棒在800℃‑1100℃的停留时间缩短，缺陷生长周期减短，避免已均质成核和异质成核借着过饱和析出而聚结形成的微缺陷，从而降低微缺陷密度，使得终端产品性能均匀性提高。
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公开(公告)号：CN118441348A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410528275.6
申请日：2024-04-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: C30B15/26 , C30B29/06 , G01F23/292
Abstract: 本发明提供一种液口距测量方法及装置，属于单晶硅制备技术领域。包括如下步骤：获取双目相机到导流筒上沿的距离H1，及双目相机到导流筒倒影的距离H2；获取导流筒高度D1；获取热屏下沿到导流筒下沿的距离D2；根据双目相机到导流筒上沿的距离H1、双目相机到导流筒倒影的距离H2、导流筒高度D1以及热屏下沿到导流筒下沿的距离D2，通过计算公式计算得到液口距GAP，以导流筒为参考，利用双目相机测距原理来确定导流筒与硅溶液液面的距离，再根据导流筒与热屏之间的距离从而确定热屏到硅溶液液面的距离，即液口距，从而操作简单，无需控制籽晶的下降距离与热屏之间的关系，使得液口距的测量结果准确，精度高。
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公开(公告)号：CN115961339A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211712751.7
申请日：2022-12-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种降低重掺单晶硅棒滑移线的工艺方法，先使熔融硅的液面距离石墨导流筒下沿之间的距离控制在40‑60mm之间，接着经过稳定、试温、引晶、放肩、转肩工序后，进入等径后等径长度100mm时拉晶的生长速度控制在低于30mm/H，保持拉晶的生长速度低于30mm/H至等径结束，在长晶的过程中通过降低拉速来控制长晶界面的径向温度梯度小于10开尔文每米，上述方法获得的晶棒内部位错明显降低，降低重掺单晶硅棒外部和内部因位错所出现的大量滑移线，提高了重掺单晶硅棒的制作效率。
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公开(公告)号：CN118422317A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410661172.7
申请日：2024-05-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高掺硼高拉速单晶硅氧含量的热场装置及拉晶方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，所述热屏位于所述坩埚上方，所述提升环位于所述支撑环的上方，所述支撑环位于所述断热材部上，所述热屏的上部与所述提升环连接，所述提升环与所述热屏绳可拆卸连接，所述支撑环镶嵌在所述断热材部上，所述提升环与所述支撑环存在预定间距，进而使氩气能从提升环与支撑环的间隙进入，在炉内形成循环，有助于石英坩埚中的SiO中的氧原子进入晶棒，以提高高拉速晶棒的氧含量。
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