公开(公告)号：CN115896927A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211665741.2

申请日：2022-12-23

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 马吟霜 ,  芮阳 ,  马成 ,  黄柳青 ,  杨少林 ,  徐慶晧 ,  王忠保 ,  盛之林 ,  罗学涛 ,  盛旺 ,  李岩 ,  邹啟鹏 ,  陈炜南

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B15/04

Abstract: 一种调整冷却工艺降低掺硼单晶硅BMD的方法，采用提升晶棒拉速，按照预定的冷却工艺拉速将晶棒提升至炉筒内；提升氩气流量，按照预定的冷却工艺流量将氩气通入到炉筒内；缩短冷却时间，按照预定的冷却时间在炉筒内对晶棒进行冷却的方式，通过改善冷却工艺拉速、通入到炉筒内的氩气流量、以及冷却时间，使BMD降低至规格线要求，保证了晶棒较高的合格率。

公开(公告)号：CN116607206B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202310338426.7

申请日：2023-03-31

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 芮阳 ,  张兴茂 ,  李小红 ,  徐慶晧 ,  王忠保 ,  黄柳青 ,  王黎光 ,  张昆 ,  熊欢 ,  赵泽慧

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 一种等径过程中的温度补偿方法，包括：从数据库中获取至少两炉等径过程中的温度数据；其中温度数据由若干组等径过程中晶体长度与其所对应的温度值构成；针对每一炉温度数据，计算温度数据中各温度值对应的补温参数；利用各炉的补温参数计算各预定晶体长度所对应的补温设定参数；将补温设定参数导入单晶炉的系统中，以实现对单晶在等径过程中的温度补偿。本方案采用的数据量更多，数据覆盖面也大，从而得到的温度补偿数据更加可靠，对于晶体的正常生长也更加有利，而且在计算出补温设定参数后，可以直接导入单晶炉的系统中，不需要人工处理，可以节省大量的时间和人力。

公开(公告)号：CN116607206A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310338426.7

申请日：2023-03-31

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 芮阳 ,  张兴茂 ,  李小红 ,  徐慶晧 ,  王忠保 ,  黄柳青 ,  王黎光 ,  张昆 ,  熊欢 ,  赵泽慧

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 一种等径过程中的温度补偿方法，包括：从数据库中获取至少两炉等径过程中的温度数据；其中温度数据由若干组等径过程中晶体长度与其所对应的温度值构成；针对每一炉温度数据，计算温度数据中各温度值对应的补温参数；利用各炉的补温参数计算各预定晶体长度所对应的补温设定参数；将补温设定参数导入单晶炉的系统中，以实现对单晶在等径过程中的温度补偿。本方案采用的数据量更多，数据覆盖面也大，从而得到的温度补偿数据更加可靠，对于晶体的正常生长也更加有利，而且在计算出补温设定参数后，可以直接导入单晶炉的系统中，不需要人工处理，可以节省大量的时间和人力。

公开(公告)号：CN115961339A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211712751.7

申请日：2022-12-29

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 张兴茂 ,  芮阳 ,  马成 ,  黄柳青 ,  杨少林 ,  徐慶晧 ,  王忠保 ,  盛之林 ,  罗学涛 ,  盛旺 ,  李岩 ,  邹啟鹏 ,  陈炜南

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及一种降低重掺单晶硅棒滑移线的工艺方法，先使熔融硅的液面距离石墨导流筒下沿之间的距离控制在40‑60mm之间，接着经过稳定、试温、引晶、放肩、转肩工序后，进入等径后等径长度100mm时拉晶的生长速度控制在低于30mm/H，保持拉晶的生长速度低于30mm/H至等径结束，在长晶的过程中通过降低拉速来控制长晶界面的径向温度梯度小于10开尔文每米，上述方法获得的晶棒内部位错明显降低，降低重掺单晶硅棒外部和内部因位错所出现的大量滑移线，提高了重掺单晶硅棒的制作效率。

公开(公告)号：CN116592778A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310618051.X

申请日：2023-05-29

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 ,  厦门大学

Inventor： 田定琪 ,  芮阳 ,  黄柳青 ,  徐慶晧 ,  王黎光 ,  曹启刚 ,  马成 ,  王忠保 ,  盛旺 ,  邹啟鹏 ,  陈炜南 ,  罗学涛

IPC: G01B11/14 ,  C30B29/06 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供单晶炉液口距的检测方法，涉及单晶硅制备的技术领域，在单晶炉炉盖上，安装双目相机，根据炉内液口距的确定方法，使得炉内液口距H为目标液口距，然后从引晶开始，通过所述双目相机对同一位置的倒影同时进行连续拍摄，拍摄的倒影分别在双目相机的像面上成像，每次拍摄得到的图像均进行计算得到实际液口距H1与目标液口距H的位置差ΔH，ΔH=H1‑H，当检测得到ΔH≠0时，进行干预调整坩埚升降速度V1，使得ΔH=0，进而使得在拉晶过程中，检测的实际液口距准确，并且通过干预使得实际液口距始终与目标液口距的差值控在±0.1mm以内，使得热场的稳定性提高，进而提高单晶的存活率，减少NG，并且使得拉制的单晶质量提高。

公开(公告)号：CN116581063A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310616244.1

申请日：2023-05-29

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 ,  厦门大学

Inventor： 徐佳美 ,  芮阳 ,  黄柳青 ,  王若男 ,  祁海滨 ,  冉泽平 ,  徐慶晧 ,  王黎光 ,  曹启刚 ,  王忠保 ,  盛旺 ,  邹啟鹏 ,  陈炜南 ,  罗学涛

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/306

Abstract: 一种硅片刻蚀工装及硅片刻蚀方法，该工装包括：第一插片板、第二插片板、上端板和下端板；上端板包括第一上连接板、第二上连接板和第一固定板，该第一固定板分别与第一上连接板和第二上连接板固定，使上端板呈工字型结构；该第一上连接板的两端以及第二上连接板的两端均分别与第一插片板和第二插片板的上侧连接；下端板与上端板结构相似，均为工字型结构；第一插片板和第二插片板上侧的中心部分均设置为镂空结构，且第一插片板的下侧和第二插片板的下侧正对设置若干个插片槽，用以将硅片从第一插片板的插片槽中插入，贯穿至第二插片板上对应插片槽中。利用本工装进行硅片刻蚀能够降低刻蚀成本的同时提高刻蚀效率。