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公开(公告)号:CN115961339A
公开(公告)日:2023-04-14
申请号:CN202211712751.7
申请日:2022-12-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种降低重掺单晶硅棒滑移线的工艺方法,先使熔融硅的液面距离石墨导流筒下沿之间的距离控制在40‑60mm之间,接着经过稳定、试温、引晶、放肩、转肩工序后,进入等径后等径长度100mm时拉晶的生长速度控制在低于30mm/H,保持拉晶的生长速度低于30mm/H至等径结束,在长晶的过程中通过降低拉速来控制长晶界面的径向温度梯度小于10开尔文每米,上述方法获得的晶棒内部位错明显降低,降低重掺单晶硅棒外部和内部因位错所出现的大量滑移线,提高了重掺单晶硅棒的制作效率。
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公开(公告)号:CN115896927A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211665741.2
申请日:2022-12-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种调整冷却工艺降低掺硼单晶硅BMD的方法,采用提升晶棒拉速,按照预定的冷却工艺拉速将晶棒提升至炉筒内;提升氩气流量,按照预定的冷却工艺流量将氩气通入到炉筒内;缩短冷却时间,按照预定的冷却时间在炉筒内对晶棒进行冷却的方式,通过改善冷却工艺拉速、通入到炉筒内的氩气流量、以及冷却时间,使BMD降低至规格线要求,保证了晶棒较高的合格率。
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