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公开(公告)号：CN119663421A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411835394.2
申请日：2024-12-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善单晶硅片气孔的方法及中部加热器，属于单晶硅生产技术领域。包括以下步骤：S1、在单晶炉上依次安装底部加热器、中部加热器及上部加热器，所述中部加热器包括加热器主体及连接支脚，所述加热器主体包括竖直部及倾斜部，所述竖直部及所述倾斜部的位置与坩埚的R部及底部相对应，以通过竖直部及倾斜部对坩埚R部及底部进行加热；S2、在化料过程中，开启上部加热器、中部加热器以及底部加热器，对坩埚内的多晶硅料进行熔化；S3、化料结束后，关闭中部加热器及底部加热器，并继续后续的拉晶工序。本发明通过中部加热器及底部加热器的综合作用，使坩埚底部温度高于坩埚上部温度，坩埚底部熔硅中的气泡能够有效溢出，从而有效改善单晶硅片的气孔。
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公开(公告)号：CN113584585A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110897832.8
申请日：2021-08-05
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法，属于掺杂硅单晶生产技术领域。该方法包括以下步骤：等径前工序中，调节氩气流量为120slm‑130slm，并保持该氩气流量至二段等径工序结束；并且，等径前工序中，调节单晶炉炉压为12 kPa‑15 kPa；一段等径工序中，将单晶炉炉压逐渐升高至18 kPa‑20 kPa；二段等径工序中，维持单晶炉炉压为18 kPa‑20 kPa。通过该方法生产重掺砷硅单晶，能够显著降低所制备的重掺砷硅单晶的电阻率，尤其是将重掺砷硅单晶晶棒的头部电阻率降低至0.0029Ω.cm以下，提高重掺砷硅单晶晶棒的综合利用率，降低生产成本。同时，重掺砷硅单晶晶棒拉制过程中，发生晶变导致NG的概率显著下降，进一步提高重掺砷硅单晶晶棒的合格率。
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公开(公告)号：CN119243323A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411381456.7
申请日：2024-09-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于提高重掺面内电阻均匀性的拉晶方法，涉及重掺单晶拉晶方法技术领域，包括依次进行的掺杂步骤、氧化步骤、试温步骤，在所述掺杂步骤与所述试温步骤之间增加氧化步骤，通过在掺杂结束后，在预定坩埚转速、预定氩气流量、预定炉压下氧化预定时间，一方面，掺杂剂挥发量最小进而掺杂剂最大程度进入熔汤表面，进而保证电阻率要求；另一方面，改善熔汤对流，使得熔汤上表面的掺杂剂进入熔汤中后能够充分得到“搅拌”进而杂质在熔汤内分布均匀，使得放肩NG率降低。
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公开(公告)号：CN113564691A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110794760.4
申请日：2021-07-14
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺砷硅单晶收尾方法及装置，属于重掺杂硅单晶生产技术领域。方法根据等径结束后的埚跟比，首先计算理论拉速上调比例X，以该理论拉速上调比例调节进入收尾时的单晶拉速，进行收尾工序。收尾过程中，根据收尾长度，计算拉速上调比例X，逐级调大单晶拉速，直至收尾结束。实践表明，通过本发明提供的重掺砷硅单晶收尾方法能够有效替代人工主观调整，降低劳动强度，减缓重掺砷硅单晶收尾过程对技术人员的主观依赖。同时，采用本发明提供的重掺砷硅单晶收尾方法能够有效降低重掺砷硅单晶晶棒的尾部NG率，提高重掺砷硅单晶晶棒的良率，收尾NG率由传统技术人员进行调整的45%降低至15%，减少硅原料损失，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN119243322A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411381079.7
申请日：2024-09-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于降低晶体碳含量的拉晶方法，涉及直拉单晶方法技术领域，采用预定导流筒进行拉晶，在保证热场热稳定性、机械强度的情况下，一方面，以降低高温下C的产生，从而减少C与炉内惰性气体中的氧气发生化学反应生成CO；另一方面，减少C与石英坩埚发生反应生成CO；然后在等径过程中通过预定炉压、预定氩气流量将产生的CO带走，以减少CO进入硅溶液中的量，从而降低硅单晶中碳含量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114045556A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111642133.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，包括主炉体、测温组件，所述主炉体的侧壁由内至外依次包括主保温层、中保温层和炉壁外层，在中保温层和炉壁外层上设有测温孔，所述测温孔沿主炉体的径向延伸，所述测温孔的一端贯通炉壁外层，所述测温孔的另一端不贯通主保温层，所述测温组件包括圆形测温玻璃、阻隔件，所述圆形测温玻璃盖合在测温孔位于炉壁外层一端的端面，所述阻隔件设有贯通的连接孔，所述阻隔件夹装在中保温层和炉壁外层之间的中空层中，所述阻隔件的连接孔与测温孔同轴，在中空层中安装阻隔件，阻隔件的设置能阻止中空层中的气体进入测温孔，避免测温玻璃被熏黑，解决了300mm单晶硅片掺砷拉晶工艺不稳的问题。
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公开(公告)号：CN113417003A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110688408.2
申请日：2021-06-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法及装置，属于单晶硅生产技术领域。生产时，单晶硅原料化料后，增加降氧处理过程，对硅熔汤进行搅拌的同时，提高氩气流量至化料结束后氩气流量的1.5倍～3倍，和/或提高拉晶炉的炉内压力为化料结束后炉内压力的1.5倍～3倍，实践结果表明，采用上述手段能够有效地降低单晶硅晶棒的头部氧含量约50%，有效打破了大直径单晶硅晶棒头部氧含量无法进一步降低的技术瓶颈。
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公开(公告)号：CN119082849A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411211913.8
申请日：2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供提高12寸轻掺单晶稳定性的方法，涉及轻掺单晶拉晶方法技术领域，在预定散热热场下，进行轻掺单晶拉制，在等径过程中，在预定拉速范围及预定温度范围内进行晶棒拉制，使得高氧情况下，拉速增大，轴向温度梯度减小，空位增多，在晶棒不变形的前提下，进而生成OISF的区域越靠近晶棒边缘，直至消失，使得降低OISF缺陷得到改善，硅片不易断裂，进而制得的外延片的稳定性提高。
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公开(公告)号：CN117552079A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311586251.8
申请日：2023-11-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种用于降低硅单晶微缺陷的单晶炉改进方法，该改进方法基于原单晶炉的结构基础上进行，包括：将原单晶炉中石墨保温桶底部用于排出惰性气体的第一排气孔堵塞，并在该石墨保温桶侧壁上开设用于排出惰性气体的第二排气孔；以及，沿原单晶炉内壁架设排气管道，该排气管道的两端分别连通所述第二排气孔和原单晶炉底部用于排出惰性气体的第三排气孔。本方案能够在拉晶过程中降低硅单晶微缺陷的形成。
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公开(公告)号：CN117107352A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310923647.0
申请日：2023-07-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种降低硅单晶拉制过程中微缺陷形成的装置及安装方法，该装置包括降温部件、法兰和辅助降温组件；降温部件包括内筒和外筒，内筒的中间为空心结构，用于在硅单晶拉制过程中通过硅单晶，内筒的上端与法兰固定；外筒密封包裹在内筒的外表面，外筒的上端与法兰的下表面固定，外筒和内筒之间的密封空间内设置有水道，该水道的进水口和出水口分别正对设置于外筒两侧；辅助降温组件包裹在降温部件的外表面上，且降温部件的外表面与该辅助降温组件的内表面之间存在间隙，该辅助降温组件上设置有若干个气体导向孔，用于在单晶硅拉制过程中氩气通过气体导向孔吹向降温部件的外表面。本方案能够降低单晶硅中缺陷的含量，从而提高拉制的单晶硅的质量。
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