公开(公告)号：CN119243322A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411381079.7

申请日：2024-09-30

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 马成 ,  芮阳 ,  王黎光 ,  马英剑 ,  商润龙 ,  张兴茂 ,  王刚 ,  王忠保

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C30B27/02 ,  C30B30/04

Abstract: 本发明提供一种用于降低晶体碳含量的拉晶方法，涉及直拉单晶方法技术领域，采用预定导流筒进行拉晶，在保证热场热稳定性、机械强度的情况下，一方面，以降低高温下C的产生，从而减少C与炉内惰性气体中的氧气发生化学反应生成CO；另一方面，减少C与石英坩埚发生反应生成CO；然后在等径过程中通过预定炉压、预定氩气流量将产生的CO带走，以减少CO进入硅溶液中的量，从而降低硅单晶中碳含量。

公开(公告)号：CN119243323A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411381456.7

申请日：2024-09-30

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 马成 ,  芮阳 ,  王黎光 ,  王忠保 ,  马英剑 ,  商润龙 ,  张兴茂 ,  王刚

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C30B27/02 ,  C30B15/04

Abstract: 本发明提供一种用于提高重掺面内电阻均匀性的拉晶方法，涉及重掺单晶拉晶方法技术领域，包括依次进行的掺杂步骤、氧化步骤、试温步骤，在所述掺杂步骤与所述试温步骤之间增加氧化步骤，通过在掺杂结束后，在预定坩埚转速、预定氩气流量、预定炉压下氧化预定时间，一方面，掺杂剂挥发量最小进而掺杂剂最大程度进入熔汤表面，进而保证电阻率要求；另一方面，改善熔汤对流，使得熔汤上表面的掺杂剂进入熔汤中后能够充分得到“搅拌”进而杂质在熔汤内分布均匀，使得放肩NG率降低。

公开(公告)号：CN119082849A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411211913.8

申请日：2024-08-30

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 马英剑 ,  芮阳 ,  王黎光 ,  马成 ,  王忠保 ,  张兴茂 ,  商润龙 ,  王刚

IPC: C30B15/20 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供提高12寸轻掺单晶稳定性的方法，涉及轻掺单晶拉晶方法技术领域，在预定散热热场下，进行轻掺单晶拉制，在等径过程中，在预定拉速范围及预定温度范围内进行晶棒拉制，使得高氧情况下，拉速增大，轴向温度梯度减小，空位增多，在晶棒不变形的前提下，进而生成OISF的区域越靠近晶棒边缘，直至消失，使得降低OISF缺陷得到改善，硅片不易断裂，进而制得的外延片的稳定性提高。

公开(公告)号：CN119392354A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411502798.X

申请日：2024-10-25

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 商润龙 ,  芮阳 ,  王黎光 ,  马成 ,  王忠保 ,  张兴茂 ,  王刚 ,  倪浩然

IPC: C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04

Abstract: 本发明属于废水处理技术领域，具体涉及一种用于减少引放次数的硅熔体重掺磷方法及其装置，化完料后，熔硅体自动安定；首次掺杂时关闭磁场，防止磁场抑制熔体对流，同时将锅转速率提升至第一速率、将氩气流量提高至第一流量、功率增大至第一功率、炉压升高至第一炉压，用于加快熔体对流；掺杂结束后打开磁场，进行试温和拉晶步骤，若未出现放肩断棱、等径断棱，则拉晶结束，若出现肩断棱、等径断棱，则进行补掺，补掺时关闭磁场，所述补掺的次数不超过4次，补掺时将锅转速率提升至第二速率、将氩气流量提高至第二流量、功率增大至第二功率、炉压升高至第二炉压，硅熔体的对流效果得到显著提升，减少磷与氧在高温下结合形成难溶物，减少引放次数。

公开(公告)号：CN119121378A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410733508.6

申请日：2024-06-07

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 张兴茂 ,  王黎光 ,  芮阳 ,  马成 ,  马英剑 ,  王刚 ,  商润龙 ,  杨少林

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种低氧高品质单晶硅的制备方法及单晶晶棒，属于单晶硅制备技术领域，包括以下步骤：S1、在拉晶过程中，调节加热器上升至预定距离，使得加热器的发热区位于硅熔液的液面上方，以降低单晶硅的氧含量；S2、在加热器上升的过程中，施加水平磁场，调节磁场中心位置与液面位置持平，并控制磁场强度保持不变，以抑制液面对流，使熔体温度分布均匀，提高单晶硅的品质，从而在降低单晶硅氧含量的同时保证单晶硅的品质。

公开(公告)号：CN118441348A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410528275.6

申请日：2024-04-29

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 马英剑 ,  芮阳 ,  马成 ,  王黎光 ,  曹启刚 ,  杨少林 ,  张兴茂 ,  王刚 ,  王忠保 ,  白园 ,  赵娜

IPC: C30B15/26 ,  C30B29/06 ,  G01F23/292

Abstract: 本发明提供一种液口距测量方法及装置，属于单晶硅制备技术领域。包括如下步骤：获取双目相机到导流筒上沿的距离H1，及双目相机到导流筒倒影的距离H2；获取导流筒高度D1；获取热屏下沿到导流筒下沿的距离D2；根据双目相机到导流筒上沿的距离H1、双目相机到导流筒倒影的距离H2、导流筒高度D1以及热屏下沿到导流筒下沿的距离D2，通过计算公式计算得到液口距GAP，以导流筒为参考，利用双目相机测距原理来确定导流筒与硅溶液液面的距离，再根据导流筒与热屏之间的距离从而确定热屏到硅溶液液面的距离，即液口距，从而操作简单，无需控制籽晶的下降距离与热屏之间的关系，使得液口距的测量结果准确，精度高。