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公开(公告)号：CN119976671A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510382231.1
申请日：2025-03-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 该发明提供一种石英坩埚预装料用密封吸盘辅助提升装置，包括升降机构、提升臂、辅助稳盘机构及辅助操控机构，提升臂平行设置在升降机构上，提升臂的一端与升降机构销接，提升臂的另一端为自由端，在提升臂的自由端设置有用于吊起密封吸盘的吊钩，升降机构可驱动提升臂垂直升降，辅助稳盘机构对称设置在吊钩的两侧，并能够在吊钩的两侧垂直向下伸缩运动，辅助操控机构设置在在提升臂的自由端，并与辅助稳盘机构牵引连接，通过推拉辅助操控机构能够使提升臂的自由端围绕升降机构自由平行转动，并且，在推拉转动的过程中，辅助操控机构能够同时牵引辅助稳盘机构向下伸出，使其按压在被吊起的密封吸盘上表面两侧，使密封吸盘在被移动过程中保持平稳。
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公开(公告)号：CN118219447A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410528159.4
申请日：2024-04-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶棒切割的砂浆更换方法及砂浆更换装置，属于单晶硅技术领域，包括：采用游离磨料线切割技术对晶棒进行切割，并在切割过程中持续更换砂浆；根据晶棒被切割的硅粉量以及碳化硅切割后的破碎量确定砂浆的更换量。本发明通过根据晶棒被切割的硅粉量以及碳化硅切割后的破碎量确定砂浆的更换量，并在切割过程中持续更换砂浆，将受到破碎的碳化硅更换为新的碳化硅，使得碳化硅的粒度分布均匀，从而减少硅片表面的损伤层深度，降低硅片表面粗糙度，使得加工出的硅片质量缺陷明显降低，提高了硅片的成品率。
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公开(公告)号：CN118127613A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410277532.3
申请日：2024-03-12
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善N型重掺轴向电阻率分布均匀性的直拉单晶硅方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，在掺杂N型掺杂剂等径拉晶过程中，根据预定拉速曲线进行晶棒等径拉制，且单晶炉内氩气流量保持在恒定范围内，使得等径拉制过程中，随着等径长度的增加，拉速逐渐降低至最低值，增大尾部杂质挥发，减少杂质进入晶棒等径后段，使得电阻率升高，进而等径头部至尾部的轴向电阻率变化平缓，晶棒轴向电阻率的均匀性提高，整棒的合格率提高。
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公开(公告)号：CN118087027A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410311083.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种减小重掺 晶棒宽面的拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶方法技术领域，将多晶硅料和掺杂剂放置在石英坩埚中，在氩气气氛下加热至稳定的熔硅；在稳定的熔硅中进行引晶、放肩，进入等径生长阶段；在等径的全阶段按照预定拉速曲线、预定补温曲线、预定初始埚位及埚跟比进行晶棒拉制，使得纵向温度梯度平稳且缓解晶棒生长界面的过冷度，防止宽面增大。
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公开(公告)号：CN118028967A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410347379.7
申请日：2024-03-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺单晶自动放肩的控制方法、装置和可读介质，属于拉晶电气控制技术领域，通过实时采集的实际直径对拉速进行反馈调节，并进行功率干预，以使放肩过程中按照预定的先进行纵向生长，再进行稳定生长，最后进行横向生长，进而重掺放肩过程中拉速的控制精度提高，并适当通过功率进行温度补偿，使得放肩过程中稳定性提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117516252A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311683992.8
申请日：2023-12-07
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: F28F25/00 , F28F27/00 , F25D31/00 , C02F1/66 , C02F103/02
Abstract: 一种冷却塔用节水系统和方法，该系统包括储水箱、补水箱、冷却装置、增压泵、PH调节装置和输水管路；储水箱的入口与冷却塔的排污口连通，出口与输水补水箱的入口连通，储水箱中的出口位置设置有高液位开关，用于在储水箱中的液位达到预设液位阈值时开启；补水箱的出口与增压泵的一端连通，另一端与PH调节装置的入口连通，用于抽取补水箱中的冷却水输送至PH调节装置；PH调节装置的出口与冷却塔的补水口连通，用于将PH调节装置中PH值调节合格的冷却水输送至冷却塔；冷却装置设置于储水箱和补水箱附近，用于对储水箱和补水箱中的冷却水进行降温；具有连通关系的各设备之间通过输水管路连通。本方案能够提高冷却水的利用率，减少水资源的浪费。
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公开(公告)号：CN117418303A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311400194.X
申请日：2023-10-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种消除重掺磷原生旋涡缺陷的拉晶方法及单晶晶棒，涉及重掺单晶硅拉晶技术领域，通过调节等径过程中的拉速及固液界面的轴向温度梯度，使得拉速与固液界面的轴向温度梯度的比值增大，增加空位（Vacancy）的生成从而抑点缺陷（self‑interstitial）的生成，进而降低原生缺陷的形成，以提高产品的良率。
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公开(公告)号：CN117418302A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311399827.X
申请日：2023-10-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供改善IGBT氧含量面内分布的拉晶方法及单晶晶棒，在化料步骤中，通过石英加料器进行加料，降低初始氧含量；当化料结束后，调节加热器的高度，使得加热器的发热区处于硅液的液面位置以下，并且调节水平磁场的位置，使得磁场中心位于液面下方；在等径时，在预定磁场强度下，调节磁场与石英坩埚上升的速度，以抑制坩埚熔体内垂直切割磁力线的热对流，以达到降低流体高速运动的目的，使得产生的涡流减小，同时熔体中的强迫对流方向与磁场分量的方向垂直，强迫对流也被减弱，而靠近坩埚内熔体表面的对流几乎被完全抑制，而平行与磁场发现的对流流动速度加快，利于借助自然对流改善熔体内的氧浓度分布，使氧含量的面内分布均匀。
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公开(公告)号：CN117415683A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311443920.6
申请日：2023-10-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶棒滚磨机滚磨方法，涉及晶棒滚磨加工技术领域，通过自动滚磨机对晶棒进行加工，将晶棒放置在转运承载装置上，以使晶棒的中心线与夹头的中心线位于同一水平面，再测量晶棒的长度，晶棒长度测量完成后，夹头根据晶棒的长度夹持晶棒，不用再预先在晶棒两端画圆，夹头能准确进行夹持，不会存在倾斜状态，影响后续参考面的加工；然后再测量晶棒的直径；晶棒直径测量完成后，滚磨机计算磨削量，根据得到的磨削量进行晶棒外圆滚磨加工，得到滚磨晶棒；对滚磨晶棒进行参考面测量、加工，计算参考面宽幅，加工准确。
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公开(公告)号：CN117382010A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311615589.1
申请日：2023-11-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了控制晶棒切割热量的工艺方法，包括以下步骤：将晶棒固定在粘接有碳基树脂板的工件板上；当晶棒切割深度逐渐增大时，不断地控制切片加工仓内设置的控温装置温度、砂浆温度以及流量进行改变；本发明通过控温装置、碳基树脂板以及控制砂浆的变化，综合控制晶棒切片过程中产生的热量，可以有效的降低同一批次硅片的warp值，使用碳基树脂板以及控温装置来控制晶棒加工成过程的热量变化，随着切入晶棒的深度变化以及砂浆温度的变化，控温装置进行及时的调整，避免切断的晶棒温度变化过大，解决现有晶棒切割时热量波动不稳定的问题，现在的通过多个方式控制加工的热量，能更好的更稳定的控制加工的热量。
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