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公开(公告)号：CN119956471A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510227248.X
申请日：2025-02-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种拉制重掺磷硅单晶后的排气方法，涉及单晶硅生产技术领域，该方法在开启上炉筒和下炉筒之间的隔离阀之前，通过对惰性气体流量以及用于平衡调节炉压的APC阀或手动阀的开度进行调节，使惰性气体置换单晶炉上炉筒内的空气；以及，在开启上炉筒和下炉筒之间的隔离阀之后，向单晶炉内通入空气，使单晶炉排气管路内的磷混合物中的红磷与空气接触后缓慢且充分燃烧，并通过对真空球阀进行连续开关操作，将排气管路内壁吸附的磷混合物吹剥落。本方案能够在拉制重掺磷单晶后降低排气时爆炸的几率，提高生产安全性。
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公开(公告)号：CN118461131A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410498681.2
申请日：2024-04-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供用于拉制氧含量面内分布均匀的单晶衬底硅片的方法，涉及单晶硅制备方法的技术领域，在直拉单晶的过程中，在石英坩埚两侧施加CUSP磁场，在预定磁场强度下，CUSP磁场与石英坩埚同步上升，能够更有效地抑制熔汤的对流，增大边界扩散层厚度，在CUSP磁场的作用下，氧的轴向分布均匀性和径向分匀匀性得到改善，杂质的径向分均匀性也变好，使得拉制的晶棒的氧含量面内分布均匀。
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公开(公告)号：CN114577023A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210079676.9
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 , 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了提高CV炉掺锑氧含量的控制系统及微控方法，包括底座和固定在底座顶部的CV炉，所述CV炉的顶部嵌设安装有炉盖，所述炉盖的底部固定有与CV炉相适配的嵌入盘，所述嵌入盘的表面固定有与CV炉内壁接触的空心密封圈，所述空心密封圈内壁的两侧之间固定有挤压弹簧，所述炉盖的固定有把手，本发明涉及CV炉技术领域。该提高CV炉掺锑氧含量的控制系统及微控方法，通过手动加强密封机构的设置，便于通过压紧和充气同时进行的方式进行密封，有效杜绝外部空气进入CV炉内，实现严格密封，进而可有效提高产品的生产质量，通过锁紧机构的设置，便于对双向螺杆进行锁紧，有效防止在使用过程之中出现密封松懈情况，提高使用安全性。
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公开(公告)号：CN118422317B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410661172.7
申请日：2024-05-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高掺硼高拉速单晶硅氧含量的热场装置及拉晶方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，所述热屏位于所述坩埚上方，所述提升环位于所述支撑环的上方，所述支撑环位于所述断热材部上，所述热屏的上部与所述提升环连接，所述提升环与所述热屏绳可拆卸连接，所述支撑环镶嵌在所述断热材部上，所述提升环与所述支撑环存在预定间距，进而使氩气能从提升环与支撑环的间隙进入，在炉内形成循环，有助于石英坩埚中的SiO中的氧原子进入晶棒，以提高高拉速晶棒的氧含量。
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公开(公告)号：CN118880435A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411038490.4
申请日：2024-07-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种单晶炉掺杂装置、单晶炉和重掺杂硅单晶的拉晶方法，涉及单晶硅加工技术领域，该掺杂装置包括固定机构、储料机构、加料机构和升降机构；加料机构包括加料控制组件和导料管，储料机构盛放掺杂剂，加料控制组件的进料端与储料机构的出料端连通；加料控制组件与导料管连接，且加料控制组件的出料端与导料管的进口端连通；导料管的出口端用于伸入单晶炉内的漏斗入口处；升降机构与加料机构活动连接，用于驱动加料机构上下运动将导料管的出口端伸入漏斗；固定机构的一端可转动的连接在升降机构的上方，另一端可转动的连接在炉筒上。本方案能够降低重掺杂硅单晶拉制过程中掺杂剂的挥发，进而保证电阻率要求，提高硅单晶的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114574945B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210078575.X
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 , 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种掺杂钟罩系统及其改变掺杂气体分子路径方法，包括主炉室，所述主炉室的顶部固定有隔离阀，所述隔离阀的顶部固定有副炉室，所述主炉室内壁的底部通过支杆固定有石英坩埚，所述副炉室内壁的左侧滑动连接有滑板，所述滑板的右侧固定有石英钟罩，所述石英钟罩的内部设置有石英杯，所述石英杯的顶部固定有挂环，本发明涉及直拉法生产单晶硅设备技术领域。该掺杂钟罩系统及其改变掺杂气体分子路径方法，通过驱动密封机构的设置，便于加强石英钟罩与上连接罩之间的密封性，使得气体掺杂剂不会从石英钟罩与上连接罩接触处泄漏，进而使得气体掺杂剂能顺利进入至石英坩埚中，进一步提高气体掺杂剂的利用率。
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公开(公告)号：CN118422317A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410661172.7
申请日：2024-05-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高掺硼高拉速单晶硅氧含量的热场装置及拉晶方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，所述热屏位于所述坩埚上方，所述提升环位于所述支撑环的上方，所述支撑环位于所述断热材部上，所述热屏的上部与所述提升环连接，所述提升环与所述热屏绳可拆卸连接，所述支撑环镶嵌在所述断热材部上，所述提升环与所述支撑环存在预定间距，进而使氩气能从提升环与支撑环的间隙进入，在炉内形成循环，有助于石英坩埚中的SiO中的氧原子进入晶棒，以提高高拉速晶棒的氧含量。
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公开(公告)号：CN118127613A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410277532.3
申请日：2024-03-12
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善N型重掺轴向电阻率分布均匀性的直拉单晶硅方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，在掺杂N型掺杂剂等径拉晶过程中，根据预定拉速曲线进行晶棒等径拉制，且单晶炉内氩气流量保持在恒定范围内，使得等径拉制过程中，随着等径长度的增加，拉速逐渐降低至最低值，增大尾部杂质挥发，减少杂质进入晶棒等径后段，使得电阻率升高，进而等径头部至尾部的轴向电阻率变化平缓，晶棒轴向电阻率的均匀性提高，整棒的合格率提高。
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公开(公告)号：CN118087027A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410311083.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种减小重掺 晶棒宽面的拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶方法技术领域，将多晶硅料和掺杂剂放置在石英坩埚中，在氩气气氛下加热至稳定的熔硅；在稳定的熔硅中进行引晶、放肩，进入等径生长阶段；在等径的全阶段按照预定拉速曲线、预定补温曲线、预定初始埚位及埚跟比进行晶棒拉制，使得纵向温度梯度平稳且缓解晶棒生长界面的过冷度，防止宽面增大。
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公开(公告)号：CN114577023B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210079676.9
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 , 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了提高CV炉掺锑氧含量的控制系统及微控方法，包括底座和固定在底座顶部的CV炉，所述CV炉的顶部嵌设安装有炉盖，所述炉盖的底部固定有与CV炉相适配的嵌入盘，所述嵌入盘的表面固定有与CV炉内壁接触的空心密封圈，所述空心密封圈内壁的两侧之间固定有挤压弹簧，所述炉盖的固定有把手，本发明涉及CV炉技术领域。该提高CV炉掺锑氧含量的控制系统及微控方法，通过手动加强密封机构的设置，便于通过压紧和充气同时进行的方式进行密封，有效杜绝外部空气进入CV炉内，实现严格密封，进而可有效提高产品的生产质量，通过锁紧机构的设置，便于对双向螺杆进行锁紧，有效防止在使用过程之中出现密封松懈情况，提高使用安全性。
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