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公开(公告)号：CN114858286B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202210382635.7
申请日：2022-04-13
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 , 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种确定长晶过程中生长界面形状的制备系统及生产方法，检测机构包括内嵌槽和固环，内嵌槽开设在上炉筒的内壁，内嵌槽的内表面与固环的外表面固定连接，本发明涉及单晶生产技术领域。该确定长晶过程中生长界面形状的制备系统及生产方法，通过设置检测机构，首先通过设置多个红外热像仪，使得检测范围与上炉筒内部径长相同，适用于不同尺寸单晶棒的生长界面确认，其次红外热像仪通过单晶棒的热辐射形成热成像图，通过热成像图的尺寸可最终确认单晶棒的生长界面形状，通过上述结构的组合解决了单晶生长界面在长晶过程中受提拉速度和熔融体对流的影响，仅通过观测弯月面并不能完全确认最终的生长界面形状的问题。
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公开(公告)号：CN119392350A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411502419.7
申请日：2024-10-25
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种降低直拉单晶氧含量的系统及其方法，在化料后，单晶炉内的大部分气体通过进气件分布至气体收集腔内，气体收集腔内的气体能够通过排气件排出，通过石英排气系统，可以有效的控制单晶炉内的气体流出速度，从而控制Oi的挥发速率，增加真空泵排气能力，能够带走更多的挥发O元素，阻止O元素流入固液界面前沿，最终降低O含量，将单晶硅棒中的氧含量稳定的控制在低于5 ppma以下，且在控制O含量的同时，气体收集腔在收集气体的同时，能够通过气体流动，带走隔热组件上半部分表面吸收的辐射热和流体流经带来的热量，提供更优秀的温度场，从而控制晶棒中缺陷的形核与长大。
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公开(公告)号：CN114280078B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111586944.8
申请日：2021-12-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G01N21/956 , G01N21/01 , H01L21/66
Abstract: 单晶硅体内BMD的批量评价方法，选取不同氧含量的数个原始硅片；对数个原始硅片分别进行FTIR检测，获得每一原始硅片中心间隙氧的起始值；对每一个原始硅片采用相同的热处理工艺处理，得到处理硅片；对数个处理硅片分别进行FTIR检测，获得每一处理硅片中心间隙氧的剩余值；对数个处理硅片分别进行BMD检测，获得每一个处理硅片的BMD数值；对上述获得的中心间隙氧的起始值、中心间隙氧的剩余值、BMD数值的数据进行线性拟合，获得BMD个数与中心间隙氧的变化值的相关性公式，将待测试硅片通过FTIR检测待测试硅片的间隙氧的变化量，将间隙氧的变化量放入相关性公式中，得到BMD的数目。
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公开(公告)号：CN119085493A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411371753.3
申请日：2024-09-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及包装盒检测技术领域，尤其涉及一种半导体硅片包装盒内部尺寸测量系统及测量方法，该半导体硅片包装盒内部尺寸测量系统中设有固定模块、光源模块、采集模块及处理模块，固定模块用于固定半导体硅片包装盒，光源模块及采集模块设置在固定模块的一侧，采集模块与处理模块通信连接；如此，通过光源模块照射半导体包装盒内侧，采集模块收集半导体包装盒内侧的光线信息数据并上传至处理模块，处理模块根据上传的数据生成半导体包装盒内侧轮廓，并将其与预设的标准包装盒模型进行比对来确定半导体包装盒是否合格，在整个过程中没有使用晶圆样品，从而避免晶圆样品与半导体包装盒内部接触时造成的污染，进而防止半导体包装盒对半导体硅片造成污染。
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公开(公告)号：CN118685850A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410762951.6
申请日：2024-06-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低硅单晶氧含量的装置及方法，属于单晶硅生产技术领域，包括：单晶炉，单晶炉内部设置有坩埚；热屏，热屏设置在坩埚的上方，热屏包括上段热屏和下段热屏，上段热屏包括倾斜段和竖直段，下段热屏包括下段外侧和下段内侧，下段外侧与竖直段连接，且下段外侧倾斜设置，以增大熔体表面氧元素的挥发量；石墨中轴，石墨中轴设置在坩埚的下方，石墨中轴中心设置有合金中轴，合金中轴下方安装有升降装置，且合金中轴内部通入有冷却水，以在拉晶过程中通过升降装置控制合金中轴的位置，来控制坩埚的温度，减少氧元素的产生。本发明通过改进热屏及中轴的结构，在保证大尺寸单晶硅长晶稳定的情况下，将单晶硅棒中的氧含量控制在5ppma以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114280072B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111586949.0
申请日：2021-12-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶硅体内BMD的检测方法，包括预处理步骤，所述预处理步骤具体为：将原始硅片以第一预定升温速率加热至第一预定温度，通入第一预定气体，反应第一预定时间，进行预处理，得到有致密薄膜的原始硅片，以隔绝原始硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散的途径；通过对硅片进行预处理阻止硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散，并且使硅片内部空位、间隙氧扩散均匀，进而在热处理时在硅片内部生成均匀的BMD，因为硅片内部的BMD分布均匀，使得硅片在显微镜下进行BMD计数时不会因为密度区域选取而存在误差，从而BMD的检测数量更精确。
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公开(公告)号：CN114858286A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210382635.7
申请日：2022-04-13
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 , 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种确定长晶过程中生长界面形状的制备系统及生产方法，检测机构包括内嵌槽和固环，内嵌槽开设在上炉筒的内壁，内嵌槽的内表面与固环的外表面固定连接，本发明涉及单晶生产技术领域。该确定长晶过程中生长界面形状的制备系统及生产方法，通过设置检测机构，首先通过设置多个红外热像仪，使得检测范围与上炉筒内部径长相同，适用于不同尺寸单晶棒的生长界面确认，其次红外热像仪通过单晶棒的热辐射形成热成像图，通过热成像图的尺寸可最终确认单晶棒的生长界面形状，通过上述结构的组合解决了单晶生长界面在长晶过程中受提拉速度和熔融体对流的影响，仅通过观测弯月面并不能完全确认最终的生长界面形状的问题。
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公开(公告)号：CN114280631B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202111601669.2
申请日：2021-12-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种硅片BMD辅助定位装置及硅片BMD的测量方法，包括固定夹具、定位板，所述固定夹具包括夹紧组件、架体，所述夹紧组件一端与所述架体的一侧滑动连接，所述夹紧组件的另一端与所述架体的另一侧接触，所述架体能够沿所述定位板滑动，本发明通过硅片BMD辅助定位装置，将硅片的解理面对准定位板，然后通过夹紧组件将硅片夹紧，将架体翻转180°，再将定位板移开，以将硅片的解理面对准显微镜，使得显微镜在计数时，因为硅片始终保持水平，在显微镜观察BMD数目时，显微镜只需进行一次调整，便可使显微镜观察的区域均清晰，进而针对同一深度时，BMD计数时更加准确。
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公开(公告)号：CN119142400A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411372142.0
申请日：2024-09-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及晶棒制备设备技术领域，尤其涉及一种具备装卸功能的晶棒运输装置及运输方法，该具备装卸功能的晶棒运输装置中设有放置构件及装卸构件，放置构件用于放置需要运输的晶棒，装卸构件包括竖直调整组件、水平调整组件及夹具组件，竖直调整组件的固定端可旋转地安装在放置构件上，水平调整组件的固定端与竖直调整组件的伸缩端固定连接，夹具组件可滑动的安装在水平调整组件上，竖直调整组件及水平调整组件分别沿竖直方向和水平方向伸缩；如此，通过竖直调整组件及水平调整组件调整夹具组件的活动范围，使得夹具组件能够将需要运输的晶棒放置到放置构件上或从放置构件上将晶棒取下，从而提高晶棒的装卸速度，提升了晶棒的运输效率。
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公开(公告)号：CN114280631A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111601669.2
申请日：2021-12-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种硅片BMD辅助定位装置及硅片BMD的测量方法，包括固定夹具、定位板，所述固定夹具包括夹紧组件、架体，所述夹紧组件一端与所述架体的一侧滑动连接，所述夹紧组件的另一端与所述架体的另一侧接触，所述架体能够沿所述定位板滑动，本发明通过硅片BMD辅助定位装置，将硅片的解理面对准定位板，然后通过夹紧组件将硅片夹紧，将架体翻转180°，再将定位板移开，以将硅片的解理面对准显微镜，使得显微镜在计数时，因为硅片始终保持水平，在显微镜观察BMD数目时，显微镜只需进行一次调整，便可使显微镜观察的区域均清晰，进而针对同一深度时，BMD计数时更加准确。
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