公开(公告)号：CN118880439A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411039488.9

申请日：2024-07-31

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 何福琴 ,  王黎光 ,  黄森 ,  芮阳 ,  伊冉 ,  温珂 ,  王忠保 ,  倪浩然

IPC: C30B15/20 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B27/02

Abstract: 本发明涉及晶棒制造技术领域，尤其涉及一种改善重掺 硅单晶内掺杂剂分布不均的拉晶方法，该方法包括以下步骤：步骤1：化料工序；步骤2：稳定工序；步骤3：拉晶工序；步骤4：冷却工序；具体的，通过调整化料工序和稳定工序中的氩气流量，调节单晶炉内的温度热场梯度，使掺杂剂能够在硅单晶内更均匀地溶解；通过调整化料工序和稳定工序中的炉压，能够促进掺杂剂的挥发，防止掺杂剂及其挥发物长时间停留在炉腔内；通过调整等径工序的拉速，使掺杂剂在硅单晶内对称分布；从而使硅单晶内的掺杂剂分布更均匀，并且硅单晶的拉晶速度的拉晶速度高于0.7mm/min，如此，能够提高硅单晶内掺杂剂分布的均匀性，同时提升硅单晶的生产效率。