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公开(公告)号：CN117552084A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311587967.X
申请日：2023-11-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于MCZ法的超低阻单晶硅的制备方法，涉及单晶硅生长技术领域。在整个等径过程中，根据硅液高度中心位置调整磁场中心位置，使得磁场中心位置与硅液高度中心位置平齐，以通过磁场抑制硅液对流，从而减少掺杂剂的挥发，提高掺杂剂的掺杂效率，并且保持磁场中心位置与硅液高度中心位置平齐，可以提高磁场对硅液对流抑制的稳定性，使得硅液对流处于稳定的状态，进而提高拉晶过程的稳定性；同时，调节等径过程中的炉压、液口距、氩气流量、坩埚旋转速度以及结晶旋转速度，以减少单晶硅的体微缺陷，提高晶体的成活率，实现无缺陷超低阻单晶硅的制备。
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公开(公告)号：CN117966252A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410137914.6
申请日：2024-01-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺半导体单晶硅的掺杂装置及掺杂方法，涉及重掺单晶硅生产技术领域。包括掺杂钟罩，掺杂钟罩包括外层钟罩、中隔离层、内隔离层，其中，外层钟罩、中隔离层、内隔离层的高度依次降低；所述外层钟罩、所述中隔离层、所述内隔离层的底部位于同一水平面，且所述外层钟罩的底部与所述中隔离层的底部之间封闭，所述中隔离层的底部与所述内隔离层的底部之间封闭，所述内隔离层的底部呈开口结构，以使所述掺杂钟罩的底部形成空心圆形状。通过设置多层掺杂钟罩，增加气化的掺杂剂在掺杂钟罩内预储存的时间，延长掺杂时间，且气化的掺杂剂只能通过掺杂钟罩底部的一个出口慢慢流出，使得气化掺杂剂能够被硅液充分吸收，提高掺杂效率。
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公开(公告)号：CN117490817A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311459327.0
申请日：2023-11-03
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶棒测量系统及方法，涉及晶棒测量技术领域，将晶棒放置在支撑槽上，通过称重称晶棒的总重量，并将采集的晶棒重量传输给所述计算单元；所述计算单元得到晶棒重量后将信号传输给所述控制器，所述控制器控制所述第一驱动电机转动，使得导轨转动带动所述测量臂沿支撑槽的长度方向运动，使得红外扫描件采集到晶棒的直径及长度，并将采集的晶棒长度、直径传输给所述计算单元；所述计算单元根据获取的晶棒的重量、直径、长度计算晶棒头部、尾部、等径的长度、重量，并将计算结果传输至显示装置进行显示，不用再进行手工测量，检测精度大大提高，且检测更加便利。
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公开(公告)号：CN116732602A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310926832.5
申请日：2023-07-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高晶棒轻、重掺杂效率的方法，涉及晶棒掺杂方法技术领域，在化料结束后，打开单晶炉副炉室，将掺杂剂装入容纳筒体中，所述防挥发盖体盖合在所述筒体的开口上，通过挂接组件挂在单晶炉重锤上，关闭副炉室，对副炉室进行净化，净化后打开隔离阀，将炉压稳定；下降晶升，当容纳筒体的下沿距硅溶液液面预定距离后停止下降，进行掺杂，使得掺杂剂升华或液化直接通过挥发孔进入硅溶液中，防止被炉内的气流抽走，进而掺杂效率提高，拉制成晶棒后的电阻率降低。
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